太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池的制造方法。即使在进行了制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池的制造方法，其包含：在半导体基板的背面侧的第一区域形成图案化的第一导电型半导体层以及剥离层的第一半导体层形成工序；在半导体基板的背面侧的第一区域的剥离层以及第二区域上形成第二导电型半导体层的材料膜的第二半导体层材料膜形成工序；及除去剥离层，由此在第二区域形成图案化的第二导电型半导体层的第二半导体层形成工序。在第二半导体层形成工序中使半导体基板的背面侧与蚀刻溶液的液面相对并与蚀刻溶液接触，在蚀刻溶液的液面上输送半导体基板。体基板。体基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池的制造方法


[0001]本专利技术涉及背面电极型(背接触型)的太阳能电池的制造方法。

技术介绍

[0002]作为使用半导体基板的太阳能电池，具有在受光面侧以及背面侧的两面形成有电极的两面电极型的太阳能电池、和仅在背面侧形成有电极的背面电极型的太阳能电池。在两面电极型的太阳能电池中，由于在受光面侧形成电极，所以太阳光被该电极遮挡。另一方面，在背面电极型的太阳能电池中，由于没有在受光面侧形成电极，所以与两面电极型的太阳能电池比较太阳光的受光率高。在专利文献1中公开了背面电极型的太阳能电池。
[0003]专利文献1所记载的太阳能电池具备：作为光电转换层发挥功能的半导体基板、在半导体基板的背面侧的一部分依次层叠的第一导电型半导体层和第一电极层、以及在半导体基板的背面侧的另一部分依次层叠的第二导电型半导体层和第二电极层。
[0004]专利文献1：日本特开2014
‑
75526号公报
[0005]一般，在第一导电型半导体层的刻画图案(第一次刻画图案)以及第二导电型半导体层的刻画图案(第二次刻画图案)中，利用使用了光刻技术的蚀刻法。然而，在使用了光刻技术的蚀刻法中，例如需要由旋涂法进行的光致抗蚀剂涂敷、光致抗蚀剂干燥、光致抗蚀剂曝光、光致抗蚀剂显影、将光致抗蚀剂作为掩模使用的半导体层的蚀刻、以及光致抗蚀剂剥离的工序，工序复杂。
[0006]关于该点，在专利文献1记载了在第二次刻画图案中，通过使用了剥离层(牺牲层)的剥离法，实现刻画图案的工序的简化的技术。在剥离法中，存在被剥离后的除去物再次附着于太阳能电池的受光面这样的问题。若被剥离后的除去物再次附着于太阳能电池的受光面，则太阳能电池的性能降低，外观受损。

技术实现思路

[0007]本专利技术目的在于提供一种即使进行制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损的太阳能电池的制造方法。
[0008]本专利技术的太阳能电池的制造方法是具备半导体基板、在上述半导体基板的与一个主面侧相反的一侧的另一个主面侧的一部分亦即第一区域依次层叠的第一导电型半导体层和第一电极层、以及在上述半导体基板的上述另一个主面侧的另一部分亦即第二区域依次层叠的第二导电型半导体层和第二电极层的背面电极型的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池的制造方法包含以下工序：第一半导体层材料膜形成工序，在上述半导体基板的上述另一个主面侧形成上述第一导电型半导体层的材料膜；剥离层形成工序，在上述第一导电型半导体层的材料膜上形成剥离层；第一半导体层形成工序，除去上述第二区域的上述剥离层以及上述第一导电型半导体层的材料膜，由此在上述第一区域形成图案化的上述第一导电型半导体层以及上述剥离层；第二半导体层材料膜形成工序，在上述第一区域的上述剥离层以及上述第二区域上形成上述第二导电型半导体层的材料膜；以及第二半导
体层形成工序，除去上述剥离层，由此除去上述第一区域的上述第二导电型半导体层的材料膜，在上述第二区域形成图案化的上述第二导电型半导体层，在上述第二半导体层形成工序中，使上述半导体基板的上述另一个主面侧与蚀刻溶液的液面相对并与蚀刻溶液接触，在上述蚀刻溶液的液面上输送上述半导体基板。
[0009]根据本专利技术，即使进行太阳能电池的制造工序的简化，也能够抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损。
附图说明
[0010]图1是从背面侧观察本实施方式的太阳能电池的图。
[0011]图2是图1的太阳能电池的II
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II线剖视图。
[0012]图3A是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层材料膜形成工序以及剥离层形成工序的图。
[0013]图3B是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层形成工序的图。
[0014]图3C是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层形成工序的图。
[0015]图3D是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层形成工序的图。
[0016]图3E是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第二半导体层材料膜形成工序的图。
[0017]图3F是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第二半导体层形成工序的图。
[0018]图4是用于说明图3F所示的第二半导体层形成工序的蚀刻工序的图。
[0019]图5A是说明图3F所示的第二半导体层形成工序的蚀刻工序用的图。
[0020]图5B是用于说明图3F所示的第二半导体层形成工序的蚀刻工序的图。
[0021]图6是用于说明图3F所示的第二半导体层形成工序的蚀刻工序的图。
具体实施方式
[0022]以下，参照附加的附图对本专利技术的实施方式的一个例子进行说明。此外，在各附图中对相同或者相当的部分标注相同的附图标记。另外，方便起见，有时也省略了阴影、部件附图标记等，在这种情况下，参照其它附图。
[0023](太阳能电池)
[0024]图1是从背面侧观察本实施方式的太阳能电池的图。图1所示的太阳能电池1是背面电极型的太阳能电池。太阳能电池1具备具有两个主面的半导体基板11，在半导体基板11的主面具有第一区域7和第二区域8。
[0025]第一区域7呈所谓的梳型的形状，具有相当于梳齿的多个指部7f、和相当于梳齿的支承部的母线部7b。母线部7b沿着半导体基板11的一个边部向第一方向(X方向)延伸，指部7f从母线部7b向与第一方向(X方向)交叉的第二方向(Y方向)延伸。
[0026]同样，第二区域8是所谓的梳型的形状，具有相当于梳齿的多个指部8f、和相当于梳齿的支承部的母线部8b。母线部8b沿着与半导体基板11的一个边部对置的另一个边部向第一方向(X方向)延伸，指部8f从母线部8b向第二方向(Y方向)延伸。
[0027]指部7f与指部8f在第一方向(X方向)上交替地设置。
[0028]此外，第一区域7以及第二区域8也可以形成为条纹状。
[0029]图2是图1的太阳能电池的II
‑
II线剖视图。如图2所示，太阳能电池1具备：半导体基板11、在半导体基板11的主面中的受光侧的一个主面亦即受光面侧依次层叠的本征半导体层13以及光学调整层15。另外，太阳能电池1具备：在半导体基板11的主面中的受光面的相反侧的另一个主面亦即背面侧的一部分(第一区域7)依次层叠的第一本征半导体层23、第一导电型半导体层25以及第一电极层27。另外，太阳能电池1具备：在半导体基板11的背面侧的另一部分(第二区域8)依次层叠的第二本征半导体层33、第二导电型半导体层35以及第二电极层37。
[0030]半导体基板11由单晶硅或者多晶硅等结晶硅材料形成。半导体基板11例如是在结晶硅材料中掺杂了n型掺杂剂的n型半导体基板。作为n型掺杂剂例如可举出磷(P)。
[0031]半导体基板11作为吸收来自受光面侧的入射光而生成光载流子(电子以及空穴)的光电转换基板发挥功能。
[0032]作为半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池的制造方法，其是具备半导体基板、在上述半导体基板的与一个主面侧相反的一侧的另一个主面侧的一部分亦即第一区域依次层叠的第一导电型半导体层和第一电极层、以及在上述半导体基板的上述另一个主面侧的另一部分亦即第二区域依次层叠的第二导电型半导体层和第二电极层的背面电极型的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池的制造方法包含以下工序：第一半导体层材料膜形成工序，在上述半导体基板的上述另一个主面侧形成上述第一导电型半导体层的材料膜；剥离层形成工序，在上述第一导电型半导体层的材料膜上形成剥离层；第一半导体层形成工序，除去上述第二区域的上述剥离层以及上述第一导电型半导体层的材料膜，由此在上述第一区域形成图案化的上述第一导电型半导体层以及上述剥离层；第二半导体层材料膜形成工序，在上述第一区域的上述剥离层以及上述第二区域上形成上述第二导电型半导体层的材料膜；以及第二半导体层形成工序，除去上述剥离层，由此除去上述第一区域的上述第二导电型半导体层的材料膜，在上述第二区域形成图案化的上述第二导电型半导体层，在上述第二半导体层形成工序中，使上述半导体基板的上述另一个主面侧与蚀刻溶液的液面相对并与蚀刻溶液接触，在上述蚀刻溶液的液面上输送上述半导体基板。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野邦裕，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：