本发明专利技术公开操作存储器装置的方法。一种方法可包含在第一时间间隔期间确定与存储器装置的至少一个存储体相关联的有效命令的数目。所述方法可进一步包含基于在所述第一时间间隔期间与所述至少一个存储体相关联的有效命令的所述数目在第二时间间隔内调整所述至少一个存储体的行锤刷新速率。本发明专利技术还描述一种存储器装置及一种电子系统。存储器装置及一种电子系统。存储器装置及一种电子系统。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于调整行锤刷新速率的方法及相关存储器装置及系统
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2019年4月23日申请的题为“用于调整行锤刷新速率的方法及相关存储器装置及系统(Methods For Adjusting Row Hammer Refresh Rates and Related Memory Devices and Systems)”的序列号为16/391,560的美国临时专利申请案的申请日权益。
[0003]本公开的实施例涉及调整存储器装置的行锤刷新速率，且更明确来说，涉及基于存储体活动独立调整存储器装置的一或多个存储体的行锤刷新速率。又更明确来说，一些实施例涉及用于此调整的方法及相关存储器装置及系统。
技术介绍
[0004]存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据(例如主机数据、错误数据等)且尤其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、内容可寻址存储器(CAM)、晶闸管随机存取存储器(TRAM)、低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)及图形DDR SDRAM。
[0005]随着存储器密度提高，间歇故障已出现于一些存储器装置中，其可由于对一特定行的存储器单元(例如耦合到存取线的单元)重复存取而经历故障。举例来说，物理邻近频繁被存取的行的行经历数据损坏的概率增加。特定行的重复存取可称为“锤击”事件，且行的锤击可致使例如(举例来说)跨传递门迁移的问题。由行的锤击致使的泄漏及寄生电流可致使可称为相邻行或受害行的未存取物理邻近行中的数据损坏。例如，所致损坏问题可称为锤击干扰及/或行锤干扰。
[0006]行锤效应是由于可包含一个晶体管及一个电容器的存储器单元的性质。电容器的电荷状态可确定存储器单元是否将“1”或“0”存储为二进制值。另外，大量存储器单元紧密堆积在一起。密集堆积单元可致使经激活电容器对邻近电容器的电荷产生效应，尤其当单元中的一者被快速激活(例如行锤效应)时。另外，电容器可具有自然放电速率且可经重写以补偿此放电，称为“刷新”。
[0007]减少行锤击对邻近行的不利效应的一些方法包含响应于确定锤击事件已发生而刷新邻近行。举例来说，响应于确定特定行已成为重复存取的目标(例如，行已在刷新周期内经受超过阈值数目个存取)，可选择其物理邻近相邻行用于目标刷新操作，此可称为行锤刷新操作。
[0008]公开内容
[0009]本公开的一或多个实施例包含一种操作存储器装置的方法。所述方法可包含在第一时间间隔期间确定与存储器装置的至少一个存储体相关联的有效命令的数目。所述方法
还可包含基于在所述第一时间间隔期间与所述至少一个存储体相关联的有效命令的所述数目在第二时间间隔内调整所述至少一个存储体的行锤刷新速率。
[0010]本公开的一些实施例包含一种存储器装置。所述存储器装置可包含存储器阵列，其包含数个存储体。所述存储器还可包含至少一个控制器，其经配置以基于与所述数个存储体中的至少一个存储体相关联的活动量调整所述至少一个存储体的行锤刷新速率。
[0011]本公开的额外实施例包含一种电子系统。所述电子系统可包含至少一个输入装置、至少一个输出装置及可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置的至少一个处理器装置。所述电子系统还可包含至少一个存储器装置，其可操作地耦合到所述至少一个处理器装置且包含存储器单元阵列及至少一个控制器，所述存储器单元阵列包含数个存储体。所述至少一个控制器可经配置以检测与所述数个存储体中的至少一个存储体相关联的行存取。所述至少一个控制器还可经配置以基于与所述至少一个存储体相关联的检测到的行存取的数目设置所述至少一个存储体的行锤刷新速率。
附图说明
[0012]图1是根据本公开的至少一个实施例的存储器装置的框图。
[0013]图2说明根据本公开的至少一个实施例的包含数个存储体的实例集成电路。
[0014]图3A及3B描绘包含与存储器装置相关联的数个刷新命令的实例时序图。
[0015]图4A及4B描绘包含与存储器装置的独立自动刷新及行锤刷新泵取相关联的数个刷新命令的其它实例时序图。
[0016]图5说明根据本公开的各个实施例的包含与存储器装置的数个存储体相关联的数个实例时间间隔的时序图。
[0017]图6描绘根据本公开的各个实施例的包含与存储器装置的数个存储体相关联的数个实例时间间隔的另一时序图。
[0018]图7描绘与存储器装置相关联的数个实例刷新序列。
[0019]图8描绘根据本公开的各个实施例的包含与存储器装置的存储体相关联的数个实例时间间隔的时序图。
[0020]图9描绘根据本公开的各个实施例的与存储器装置的数个存储体相关联的额外实例刷新序列。
[0021]图10A是根据本公开的一或多个实施例的包含实例刷新地址控制电路的存储器装置的一部分的框图。
[0022]图10B是说明用于编程行锤刷新速率的各个行锤刷新速率及相关联多位字的表。
[0023]图11是根据本公开的各个实施例的实例控制器的框图。
[0024]图12是根据本公开的各个实施例的操作存储器装置的实例方法的流程图。
[0025]图13是根据本文中描述的一或多个实施例实施的实例存储器装置的简化框图。
[0026]图14是根据本文中描述的一或多个实施例实施的实例电子系统的简化框图。
具体实施方式
[0027]通常，当执行刷新命令以刷新邻近于受锤击字线的字线时，发生“行锤事件”。特定字线在其经由存储器存取操作(例如有效命令)以可能导致邻近字线中的数据错误的方式
存取时被“锤击”。通常，字线在其被存取超过预定数目次时被锤击。
[0028]行锤刷新操作通常可经由刷新窃取操作执行，其中从存储器装置控制器发送且在存储器装置处接收的刷新操作(或刷新操作的一部分)被“窃取”且行锤刷新代替自动刷新执行。
[0029]本公开的各个实施例涉及调整存储器装置的行锤刷新速率。更明确来说，在一些实施例中，存储器装置的一或多个存储体的行锤刷新速率可基于与一或多个存储体相关联的活动量(例如行存取的数目)独立调整。又更明确来说，根据一些实施例，可计数与存储体相关联的有效信号的数目(例如在存储体处接收的有效信号的数目)(例如，在一时间间隔期间)，且存储体的行锤刷新速率(例如，在后续时间间隔内)可基于有效信号的数目调整。
[0030]如本文中更完全公开，各个实施例可减少存储器装置的功耗及处理开销，而基本上不降低存储器装置的性能及/或可靠性。更明确来说，至少一些实施例可消除不必要的行锤刷新操作，从而减少功耗同时仍减轻不良行锤效应。
[0031]图1是根据本公开的一或多个实施例的存储器装置100的框图。存储器装置100可包含例如DRAM(动态随机存取存储器)本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种操作存储器装置的方法，其包括：在第一时间间隔期间确定与存储器装置的至少一个存储体相关联的有效命令的数目；及基于在所述第一时间间隔期间与所述至少一个存储体相关联的有效命令的所述数目在第二时间间隔内调整所述至少一个存储体的行锤刷新速率。2.根据权利要求1所述的方法，其中确定与至少一个存储体相关联的有效命令的所述数目包括确定在所述至少一个存储体处接收的有效命令的所述数目。3.根据权利要求1所述的方法，其中调整所述行锤刷新速率包括响应于有效命令的所述数目大于阈值数目而增大所述行锤刷新速率。4.根据权利要求1所述的方法，其中调整所述行锤刷新速率包括响应于有效命令的所述数目小于阈值数目而减小所述行锤刷新速率。5.根据权利要求1所述的方法，其中调整所述行锤刷新速率包括以下中的至少一者：响应于与所述至少一个存储体中的第一存储体相关联的有效命令的所述数目小于阈值数目而减小所述第一存储体的行锤刷新速率；及响应于与所述至少一个存储体中的第二不同存储体相关联的有效命令的所述数目大于所述阈值数目而增大所述第二不同存储体的行锤刷新速率。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述第二时间间隔期间确定与存储器装置的所述至少一个存储体相关联的有效命令的数目；及基于在所述第二时间间隔期间与所述至少一个存储体相关联的有效命令的所述数目在第三时间间隔内调整所述至少一个存储体的所述行锤刷新速率。7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二时间间隔内调整所述行锤刷新速率包括基于有效命令的所述数目大于阈值数目将所述行锤刷新速率设置到默认行锤刷新速率。8.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包含数个存储体；及至少一个控制器，其经配置以基于与所述数个存储体中的至少一个存储体相关联的活动量调整所述至少一个存储体的行锤刷新速率。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述至少一个控制器经耦合到所述数个存储体中的每一存储体且经配置以将一信号传达到每一存储体以独立控制与所述每一存储体相关联的所述行锤刷新速率。10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述至少一个控制器包含数个控制器，其中所述数个存储体中的每一存储体包含用于调整与其相关联的所述行锤刷新速率的所述数个控制器中的控制器。11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述至少一个控制器进...
【专利技术属性】
技术研发人员：李周相，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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