【技术实现步骤摘要】
一种适用于刻蚀机氮气供应分配装置
[0001]本技术涉及半导体设备
,特别涉及一种适用于刻蚀机氮气供应分配装置。
技术介绍
[0002]等离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式,这种设计的是富有弹性的,用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法:反应性等离子体(RIE),顺流等离子体(downstream),直接等离子体(direction plasma)。
[0003]现有的氮气分配装置占用了机台的内部空间,不利于设备的维护。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种适用于刻蚀机氮气供应分配装置。
[0005]实现本技术目的的技术方案是:一种适用于刻蚀机氮气供应分配装置,具有安装板,所述安装板上设置有减压阀,所述减压阀一端连接有压力计, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于刻蚀机氮气供应分配装置,其特征在于:具有安装板(1),所述安装板(1)上设置有减压阀(2),所述减压阀(2)一端连接有压力计(3),另一端连接有第一隔膜阀(4),所述压力计(3)另一端和三通焊接管(5)的第一端口连接,所述三通焊接管(5)的第二端口连接有第二隔膜阀(6),所述三通焊接管(5)的第三端口连接有第三隔膜阀(7),所述第一隔膜阀(4)另一端连接有过滤器(8),所述过滤器(8)另一端连接有转接头(9)。2.根据权利要求1所述的适用于刻蚀机氮气供应分配装置,其特征在于:所述减压阀(2)和第一隔膜阀(4)之间设置有直通焊接管(10),所述第一隔膜阀(4)和过滤器(8)之间...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖海涛,孙文彬,林政勋,
申请(专利权)人:无锡邑文电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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