光学信息记录媒体及其制造方法、其记录再生方法和装置制造方法及图纸

技术编号:3069895 阅读:157 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供一种能抑制交叉擦除、即使在高密度、高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。在透明基板1上依次重叠下侧保护层2、记录层3、上侧保护层4、中间层5、反射层6,构成媒体,导热系数按照反射层、中间层、上侧保护层的顺序依次增大,而且使记录层的厚度为4~16nm。设光吸收层的折射率为n↓[1]、消光系数为k↓[1],光吸收层的厚度d↓[1]在0.1λ/(n↓[1].k↓[1])≤d↓[1]≤1.0λ/(n↓[1].k↓[1])的范围内。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过将激光光束等高能量的光束照射到在基板上形成的薄膜上,能记录·再生信号质量高的信息信号的光学信息记录媒体、其制造方法、其记录再生方法、以及记录再生装置。如果一边调整照射条件、一边将激光光束照射到在基板上形成的硫族材料等的薄膜上进行局部加热,则能使被照射的部分在光学常数(折射率n、消光系数k)不同的非晶相和晶相之间发生相变。利用这样的相变,开发了将特定波长的光的反射光量或透射光量的差作为信号检测的进行高速·高密度信息记录的媒体及其利用方法。在相变记录中,如果只使用单一的激光光束,根据信息信号,将激光输出功率调制在记录电平和擦除电平这两种电平之间,并将光束照射在信息磁道上,则能一边擦除已有的信号,一边记录新的信号(例如特开昭56-145530号公报)。该方法的优点在于不需要光磁记录中所需要的磁回路零件,能简化磁头,由于能同时进行擦除和记录,所以能缩短改写时间。为了使相变记录高密度化,可以采用下述方法通过缩短记录用的光源的波长、增大物镜的NA(数值孔径)等,形成更小的记录标记,提高圆盘状的基板上的记录标记的圆周方向线密度及径向磁道密度。另外,为了提高圆周方向密度,提出了使记录标记的长度上带有信息的标记边缘记录方法,而为了提高径向密度,提出了将设置在基板上的作为激光导向用的槽的纹和该导向槽之间的纹间平面这两者作为记录磁道的纹间平面和纹记录方法。另外,不仅高密度化、而且提高信息处理速度、即提高信息的记录再生速度也是重要的,因此,关于在半径相同的位置以高转速使盘旋转,进行记录再生的高线速度化的研究已取得进展。另外,还提出了通过分离层重叠多层可记录的信息层、使容量倍增的记录媒体(例如特开平9-212917号公报),以及选择这样的多个信息层中的一个、进行记录再生用的层识别装置和层切换装置(例如特开平10-505188号公报)。如果促进记录的高密度化,则过量写入失真和重复劣化也将成为问题,特别是将记录标记记录在某磁道上时,使得相邻磁道的记录标记局部地消失的现象(以下称“交叉擦除”)将成为问题。由于提高径向的记录密度,磁道的间隔越短,交叉擦除变得越显著。特别是在纹间平面和纹记录时,与只在纹间平面或纹一者上记录的情况相比,记录标记之间的径向间隔减小一半,所以影响变大。交叉擦除对记录时与汇聚的激光光点进行记录的磁道相邻的磁道产生影响。具体地说,可以认为由激光产生的相邻磁道的直接加热、以及由来自欲进行记录的磁道的热传导产生的相邻磁道的间接加热成为发生交叉擦除的原因。另外,在由单一光束进行的过量写入的情况下,在非晶体部分和晶体部分光吸收率不同,另外,在晶体部分必须有熔融潜热,所以两者之间在用相同功率的光束照射的情况下,达到的温度不同,过量写入时受过量写入前的信号的影响,使得标记边缘位置不一致。而且,由此引起再生信号的时间轴方向的误差(跳动)增大或擦除率下降。该现象出现在记录的高线速度·高密度化、尤其是导入标记边缘记录方式时将成为大问题。为了解决该问题,必须使晶体部分和非晶体部分在用相同功率的光束照射时达到相同的温度。而且,假定用波长为λ的激光光束照射时晶体部分的吸收率为Acry,非晶体部分的吸收率为Aamo,由此为了补偿晶体部分的熔融潜热,必须使光吸收率比Acry/Aamo大于1.0。此外,假定用波长为λ的激光光束照射时晶体部分的反射率为Rcry,非晶体部分的反射率为Ramo,为了获得高的C/N比,最好使反射率差ΔR=Rcry-Ramo增大。迄今,如上所述,作为同时增大Acry/Aamo和ΔR的技术,提出了以下方案没有反射层的3层结构(特开平3-113844号公报,特开平5-298748号公报)、采用反射率低的材料的反射层、或者有厚度非常薄的反射层的4层结构(特开平4-102243号公报,特开平5-298747号公报)。可是,即使采用上述的方法,同时增大Acry/Aamo和ΔR,也未必能获得足够的记录再生特性。例如,在反射层的厚度薄的情况或反射层的导热系数低的情况下,由记录层的光吸收产生的热跑到反射层上,所谓冷却能力不足,有碍于非晶体化。在作为非晶体的标记的前端部分,该现象特别明显,造成标记前端部分的宽度比后端部分的宽度窄的失衡现象。另外,标记边缘位置不仅发生物理性地偏离所希望的位置,而且标记宽度不均匀,所以作为电信号的边缘位置偏移更大,其结果,使得跳动增大。在高密度·高线速度的记录中,这将成为大问题。本专利技术的目的在于提供一种交叉擦除少的、适合于高密度的信息记录再生的光学信息记录媒体。另外,本专利技术的另一个目的在于提供一种即使在高密度·高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。另外,本专利技术的再一个目的在于提供一种这些光学信息记录媒体的制造方法及记录再生方法、以及利用上述光学信息记录媒体的光学信息记录再生装置。为了达到上述目的,本专利技术的第一种光学信息记录媒体的特征在于包括透明基板、以及在该透明基板上形成的多层膜,该多层膜从靠近上述透明基板的一侧开始依次包括下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、中间层及反射层,上层保护层、中间层及反射层距离上述记录层越远的层的导热系数越大,上述记录层的厚度在4nm以上16nm以下。通过采用这样的光学信息记录媒体,能促进从记录层向多层膜的厚度方向的热传导,能降低交叉擦除。记录层的厚度最好在6nm以上14nm以下。本专利技术的第二种光学信息记录媒体的特征在于包括透明基板、以及在上述透明基板上形成的多层膜,上述多层膜从靠近上述透明基板一侧开始依次包括下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、光吸收层及反射层,上述光束的波长为λ时在上述光吸收层的折射率n1和在上述反射层的折射率n2的差Δn=n1-n2在2以上6以下,而且,上述反射层的厚度大于上述光吸收层的膜厚。通过采用这样的光学信息记录媒体,能同时增大Acry/Aamo和ΔR,能获得充分的冷却效果。其结果,能实现即使在高密度·高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。在上述第二种光学信息记录媒体中,设第一反射层的消光系数为k1,上述第一反射层的厚度最好在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。如果采用该优选例,则能获得优异的C/N比、擦除率及跳动的值。另外,本专利技术的第三种光学信息记录媒体的特征在于包括透明基板、以及在上述透明基板上形成的多层膜,上述多层膜从靠近上述透明基板一侧开始依次包括下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、光吸收层及反射层,设上述光束的波长为λ,波长为λ的光在上述光吸收层的折射率及消光系数分别为n1及k1,上述光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。本专利技术的光学信息记录媒体可以备有多个记录层,也可以包括由含有记录层的多层膜构成的两个以上的信息层。在此情况下,两个以上的信息层最好通过分离层重叠。这样的光学信息记录媒体例如包括透明基板、以及在上述透明基板上形成的多层膜,上述多层膜从靠近上述透明基板一侧开始依本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学信息记录媒体,其特征在于:包括透明基板、以及在该透明基板上形成的多层膜,上述多层膜从靠近上述透明基板的一侧开始依次包括下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、中间层及反射层,上述上层保护层、上述中间层及上述反射层距离上述记录层越远的层的导热系数越大,上述记录层的厚度在4nm以上16nm以下。

【技术特征摘要】
JP 1998-8-5 221924/98;JP 1998-11-19 329890/981.一种光学信息记录媒体,其特征在于包括透明基板、以及在该透明基板上形成的多层膜,上述多层膜从靠近上述透明基板的一侧开始依次包括下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、中间层及反射层,上述上层保护层、上述中间层及上述反射层距离上述记录层越远的层的导热系数越大,上述记录层的厚度在4nm以上16nm以下。2.根据权利要求1所述的光学信息记录媒体,其特征在于记录层的厚度在6nm以上14nm以下。3.根据权利要求1所述的光学信息记录媒体,其特征在于反射层含有从Au、Ag、Cu及Al中选择的至少一种。4.根据权利要求1所述的光学信息记录媒体,其特征在于中间层含有从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Os、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、Pb、Sb及Bi中选择的至少一种元素。5.根据权利要求4所述的光学信息记录媒体,其特征在于中间层由从氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、氟化物、硒化物、碲化物及元素间化合物中选择的至少一种化合物构成。6.一种光学信息记录媒体,其特征在于包括透明基板、以及在上述透明基板上形成的多层膜,上述多层膜从靠近上述透明基板一侧开始依次包括下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、光吸收层及反射层,波长为λ的上述光束在上述光吸收层的折射率n1和在上述反射层的折射率n2的差Δn=n1-n2在2以上6以下,而且,上述反射层的厚度大于上述光吸收层的厚度。7.根据权利要求6所述的光学信息记录媒体,其特征在于设上述光吸收层的消光系数为k1,光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。8.一种光学信息记录媒体,其特征在于包括透明基板、以及在上述透明基板上形成的多层膜,上述多层膜从靠近上述透明基板一侧开始依次包括下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、光吸收层及反射层,设上述光束的波长为λ,上述波长为λ的光在上述光吸收层的折射率及消光系数分别为n1及k1,上述光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。9.根据权利要求6或8所述的光学信息记录媒体,其特征在于反射层含有从Au、Ag及Cu中选择的至少一种。10.根据权利要求6或8所述的光学信息记录媒体,其特征在于光吸收层含有从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Os、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、Pb、Sb及Bi中选择的至少一种元素。11.根据权利要求10所述的光学信息记录媒体,其特征在于光吸收层由从氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、氟化物、硒化物、碲化物及元素间化合物中选择的至少一种化合物构成。12.根据权利要求6或8所述的光学信息记录媒体,其特征在于记录层的厚度在4nm以上16nm以下。13.根据权利要求1、6或8中任意一项所述的光学信息记录媒体,其特征在于在下侧保护层和记录层之间,以及在记录层和上侧保护层之间这两处中的至少一处的界面上还备有界面层。14.根据权利要求13所述的光学信息记录媒体,其特征在于界面层包含从Ge、Si、Cr、Ti及Al中选择的至少一种。15.根据权利要求1、6或8中任意一项所述的光学信息记录媒体,其特征在于上侧保护层的厚度在10nm以上200nm以下。16.根据权利要求1、6或8中任意一项所述的光学信息记录媒体,其特征在于记录层包含Ge、Sb及Te。17.根据权利要求16所述的光学信息记录媒体,其特征在于记录层以Ge、Sb及Te为主要成分,还包含6.0原子%以下的N。18.根据权利要求1、6或8中任意一项所述的光学信息记录媒体,其特征在于从上侧保护层及下侧保护层选择的至少一层含有60~100摩尔%的ZnS、以及40~0摩尔%的SiO2。19.根据权利要求1、6或8中任意一项所述的光学信息记录媒体,其特征在于假设作为光束被记录媒体反射的比率的反射率及作为被记录层吸收的比率的吸收率在记录层为晶相的情况下分别为Rcry及Acry,在上述记录层为非晶相的情况下分别为Ramo及Aamo,反射率差(Rcry-Ramo)为5%以上,而且,吸收率比(Acry/Aamo)为1.0以上。20.一种光学信息记录媒体,其特征在于包括透明基板、以及在上述透明基板上从靠近上述透明基板一侧开始依次形成的第一信息层、分离层及第二信息层,上述第一信息层及上述第二信息层分别含有通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层,上述第二信息层从靠近上述透明基板一侧开始依次含有下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、中间层及反射层,上述上层保护层、上述中间层及上述反射层距离上述记录层越远的层的导热系数越大,上述记录层的厚度在4nm以上16nm以下。21.一种光学信息记录媒体,其特征在于包括透明基板、以及在上述透明基板上从靠近上述透明基板一侧开始依次形成的第一信息层、分离层及第二信息层,上述第一信息层及上述第二信息层分别含有通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层,上述第二信息层从靠近上述透明基板一侧开始依次含有下侧保护层、通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层、上侧保护层、光吸收层及反射层,上述光束的波长为λ时在上述光吸收层的折射率n1和在上述反射层的折射率n2的差Δn=n1-n2在2以上6以下,而且,上述反射层的厚度大于上述光吸收层的厚度。22.一种光学信息记录媒体,其特征在于包括透明基板、以及在上述透明基板上从靠近上述透明基板一侧开始依次形成的第一信息层、分离层及第二信息层,上述第一信息层及上述第二信息层分别含有通过光束照射能进行光学检测且能在两种不同状态之间进行可逆变化的记录层,上述第二信息层从靠近上述透明基板一侧开始...

【专利技术属性】
技术研发人员:北浦英树河原克巳山田升大田启之
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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