带有电屏蔽的磁记录换能器制造技术

本发明专利技术是用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出／写入磁头。它包括用于向磁性媒体写入信息的写入磁头元件、从磁性媒体读出信息的读出磁头元件和设置在写入磁头元件与读出磁头元件之间的电磁场屏蔽元件。屏蔽用来使读出磁头屏蔽掉写入磁头元件产生的电磁场能量。改进的第二实施例包括靠近读出磁头元件设置的电路元件，用来在读出磁头元件处产生电磁场，该电磁场与写入磁头元件产生的电磁场相反地取向。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及读出/写入磁头组件，并且尤其涉及用于屏蔽和抵消这种磁头内的不需要的电磁场的装置。在利用所谓的MR磁头作为记录换能器的传统的硬盘驱动器(HDD)中，记录磁头典型地使用磁头上的不同的元件来执行写入和读出操作。在硬盘上的写入典型地应用感应写入磁头元件来执行，并且从硬盘的读回典型地应用具有磁致电阻(MR)元件的读出磁头来执行。感应写入磁头元件和MR元件是读出/写入磁头上的特制的结构，由特殊沉积的薄膜层构成。MR元件层典型地首先沉积在衬底上，在MR元件沉积后沉积感应元件层。显然，由于写入信号产生的电磁场与读回信号之间的干扰，写入磁头元件和读出磁头元件不能同时操作。在另一个已有技术装置中，感应元件层首先沉积，在此之后沉积MR元件层。但是，写入信号与读回信号之间的干扰仍然存在，并且这些装置也不能同时向盘写入和从盘读出。在工业上具有同时向盘写入数据和从盘读出数据的能力的读出/写入磁头有重要的应用。但是，由于上述的写入信号电磁场干扰，已有技术的读出/写入磁头不能执行这项任务。因此，需要一种其中写入功能和读出功能可同时被执行的读出/写入磁头。本专利技术是用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出/写入磁头。它包括用于向磁性媒体写入信息的写入磁头元件、从磁性媒体读出信息的读出磁头元件和设置在写入磁头元件与读出磁头元件之间的电磁场屏蔽元件。电磁场屏蔽用来使读出磁头屏蔽掉写入磁头元件产生的电磁场能量，以降低在写入操作期间读出磁头元件所遭受的总的电磁场。改进的第二实施例包括靠近读出磁头元件设置的电路元件，用来在读出磁头元件处产生电磁场，该电磁场与写入磁头元件产生的电磁场相反地取向。用于操作硬盘驱动器中的读出/写入磁头的方法，包括把数据写在硬盘上并与数据写入同时从硬盘读出数据的步骤。这是通过应用设置在写入磁头元件与所述的读出磁头元件之间的电磁场屏蔽元件使读出磁头屏蔽掉在数据写入期间产生的电磁场能量来实现的。第二实施例的电路元件优选与写入磁头电路互相连接。本专利技术的一个优点是可同时执行写入数据和读出数据的功能。本专利技术的另一个优点是电磁场屏蔽元件使读出磁头屏蔽掉写入磁头元件产生的电磁场，从而读出磁头元件的信号干扰被最大程度减小。本专利技术的又一个优点是干扰降低电路元件可被靠近读出磁头元件来设置以产生与写入磁头元件的电磁场相干扰的电磁场。本专利技术还有一个优点是改进的读出/写入磁头已经利用现有的制造工艺被开发出来。本专利技术的又一个优点是具有设置其上的改进的读出/写入磁头的改进的滑动器和改进的硬盘驱动器可能通过利用本专利技术来实现。本专利技术的这些和其它特征与优点在一读完下面的参考附图中的几个附图的对优选实施例的具体描述后将得到充分的理解。附图说明图1是具有设置在其后表面上的本专利技术的读出/写入磁头的典型的硬盘驱动器滑动器的立体图。图2是沿图1的2-2线看去，根据本专利技术的第一实施例的读出/写入磁头的横截面图。图3是图1中描述的具有切除部分的读出/写入磁头的升高的视图。图4是图3中描述的带有更好体现本专利技术的进一步切除部分的读出/写入磁头的立体图。图5是根据本专利技术的第二实施例的与图2所描述的视图类似的读出/写入磁头的侧截面图。图6是图5中描述的带有切除部分的并且与图3所描述的视图类似的读出/写入磁头的实施例的升高的视图。图7是图6中描述的带有更好体现本专利技术的进一步切除部分的并与图4所描述的视图类似的读出/写入磁头的立体图。在本专利技术中，描述了带有新颖、有利结构特征的磁记录磁头。第一个重要特征是首先把感应写入磁头沉积在衬底上，在感应元件沉积后沉积MR读出磁头。当这种类型的磁头被用在硬盘驱动器中时，硬盘的被写入区在从写入磁头下面通过后立刻在读出磁头的下方通过，从而促使在写入后的几乎是立刻的读出。这种写入后的立刻读出在磁记录系统中可提供明显的优点。其次，在感应写入磁头沉积后并且在MR读出磁头沉积之前沉积写入/读出电磁场屏蔽层。用这个屏蔽层，记录写入磁头可向硬盘写入并且MR读出磁头可同时从硬盘读回。这个同时的写入/读出性能在磁记录期间是非常有用的。第三，为进一步降低写入磁头与读出磁头之间的干扰，干扰降低电路元件可在读出磁头沉积完成后被沉积在读出磁头的项部。当写入电流也通过干扰降低元件时，从写入磁头和干扰降低元件产生的净电磁场在读出磁头的MR元件处被明显降低。感应写入磁头结构和MR读出磁头结构，以及这两种结构的制造过程与读出/写入磁头的传统的制造过程类似。下面将讨论本专利技术的具体特征。如图1所描述的那样，本专利技术的读出/写入磁头10被设置在典型的滑动器18的后表面14上。如已有技术中熟知的那样，这种滑动器18典型地被设置来在硬盘22的表面上方飞移，硬盘22以箭头26的方向从滑动器18的前沿表面30向后表面14旋转。飞移高度随记录密度提高的要求而趋向于降低，因此，正研究近接触和接触记录以将来应用盘驱动器。由于获得的益处不依赖于飞移高度，本专利技术可有利地被用于使用近接触和接触记录的驱动器中。接着将联系图2、3和4进行讨论，得到对本专利技术的新颖性特征的最好理解。图2是沿图1的2-2线看去的读出/写入磁头10的侧截面图，图3是具有切除部分以描述其内部组件的读出/写入磁头10的升高的视图，图4是具有更好描述本专利技术的组件的切除部分的读出/写入磁头10的立体图。如图2、3和4所示，读出/写入磁头10通常包括形成在滑动器18的后表面14上的感应写入磁头40、形成在写入磁头40的外侧上的电磁场屏蔽44和形成在电磁场屏蔽44的外侧上的磁致电阻(MR)读出磁头48。在下面将具体讨论各个元件。写入磁头40包括形成在滑动器18的后表面14上的第一磁极件60。读出/写入磁头10的各种元件利用半导体处理工业中熟知的薄膜沉积工艺来制造，绝缘材料66被沉积在写入磁头40、屏蔽层44与读出磁头48的的各种有源组件之间，这对熟悉本领域的人员是公知的。写入磁头40的第一磁极件60用扩宽的上面部分72形成，该上面部分72向较窄的下面部分76以锥度延伸并且在下面端部以相对窄的极尖80终止。磁极连接元件86把第一磁极件60的上面端部72与第二磁极件94的上面端部90连接起来。第二磁极件94通常用与第一磁极件60相同的形状形成；即其具有扩宽的上面端部90和变窄的下面端部96，该下面端部96以具有宽度100的窄极尖98终止。第二极尖98的宽度100不必要与第一极尖80的宽度相同。写入间隙104通过形成在第一磁极件60的极尖80上的间隙形成件108形成在第一磁极件的下面极尖80和第二磁极件的下面极尖98之间。间隙形成件108的宽度(W)确定数据写入磁道的宽度。感应线圈120被用来产生由磁极件60和94聚焦的磁场。感应线圈120具有通常的环形、螺旋形形状并用通过磁极件60和94之间的下部线圈部分124和通过磁极件60和94外侧的上部线圈部分128形成。为向感应线圈120提供电能，第一电引线134与线圈120的外端138接触，第二电引线144与线圈120的内端148接触。形成引线144的薄膜沉积处理工艺可包括形成通路152以把引线144引出感应线圈120的平面并引向外部电连接终端156。已有技术中已知的感应写入磁头具有不同于这里描述的实施例的形状和尺寸，并且本专利技术并不被限制于这里描述的写入磁头40的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出／写入磁头，包括：一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；一个从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的ＭＲ元件；及一个设置在所述写入磁头与读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1999-5-24 09/317,6681.一种用于向磁性媒体写入信息并从磁性媒体读出信息的读出/写入磁头，包括一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；一个从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的MR元件；及一个设置在所述写入磁头与读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽。2.如权利要求1所述的读出/写入磁头，其特征在于所述写入磁头被设置在滑动器表面上，所述电磁场屏蔽被设置在所述写入磁头上，所述读出磁头被设置在所述电磁场屏蔽上。3.如权利要求2所述的读出/写入磁头，其特征在于所述写入磁头包括一个感应线圈，其中所述电磁场屏蔽用通常相应于所述感应线圈的平面形状的形状形成。4.如权利要求3所述的读出/写入磁头，其特征在于所述感应线圈通常是环形的并具有线圈直径，其中所述电磁场屏蔽用通常是环形的并具有至少与所述线圈直径一样大的屏蔽直径。5.如权利要求2所述的读出/写入磁头，其特征在于所述电磁场屏蔽由导电材料构成。6.如权利要求5所述的读出/写入磁头，其特征在于所述电磁场屏蔽具有大于趋肤深度的厚度。7.如权利要求6所述的读出/写入磁头，其特征在于所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有大约0.5微米到大约25微米的范围的厚度。8.如权利要求6所述的读出/写入磁头，其特征在于所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有大约10微米的厚度。9.如权利要求1所述的读出/写入磁头，还包括一个靠近所述读出磁头设置的并用来在所述读出磁头处产生通常与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反的电磁场的电磁场干扰装置。10.如权利要求1所述的读出/写入磁头，还包括一个连接于所述写入磁头的导电线路，其中所述导电线路靠近于所述读出磁头通过从而在所述导电线路中流过的电流将在所述读出磁头处产生基本上与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场方向相反的电磁场。11.如权利要求10所述的读出/写入磁头，其特征在于所述电流也通过所述写入磁头。12.如权利要求1所述的读出/写入磁头，还包括一个MR元件，其中所述写入磁头形成有具有极尖宽度W的写入磁头极尖，并且其中所述MR元件具有从大约W到大约W的1/10的宽度。13.一种用于硬盘驱动器的滑动器装置，包括一个适合于在硬盘表面上飞移的滑动器本体；形成在所述滑动器本体的表面上的一个读出/写入磁头，所述读出/写入磁头包括一个用于向磁性媒体写入信息的写入磁头；一个从所述磁性媒体读出信息的读出磁头，所述读出磁头包括第一磁屏蔽、第二磁屏蔽和设置在其间的MR元件；及一个设置在所述写入磁头与读出磁头之间的并用来使所述读出磁头屏蔽掉所述写入磁头产生的电磁场能量的电磁场屏蔽。14.如权利要求13所述的滑动器装置，其特征在于所述写入磁头被设置在所述滑动器本体表面上，所述电磁场屏蔽被设置在所述写入磁头上，所述读出磁头被设置在所述电磁场屏蔽上。15.如权利要求14所述的滑动器装置，其特征在于所述写入磁头包括一个感应线圈，其中所述电磁场屏蔽用通常相应于所述感应线圈的平面形状的形状形成。16.如权利要求15所述的滑动器装置，其特征在于所述感应线圈通常是环形的并具有线圈直径，其中所述电磁场屏蔽用通常是环形的并具有至少与所述线圈直径一样大的屏蔽直径。17.如权利要求14所述的滑动器装置，其特征在于所述电磁场屏蔽由导电材料构成。18.如权利要求17所述的滑动器装置，其特征在于所述电磁场屏蔽具有大于趋肤深度的厚度。19.如权利要求18所述的滑动器装置，其特征在于所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有大约0.5微米到大约25微米的范围的厚度。20.如权利要求18所述的滑动器装置，其特征在于所述电磁场屏蔽由铜构成，并具有大约10微米的厚度。21.如权利要求14所述的滑动器装置，还包括一个靠近所述读出磁头设置的并用来在所述读出磁头处产生通常与所述写入磁头在所述读出磁头处产生的电磁场相反方向的电磁场的电磁场干扰装置。22.如权利要求13所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯常勇，段陕林，林天洛，梁伟祥，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]