磁记录介质用玻璃基体的制造方法技术

磁记录介质用玻璃基体的一种制备方法，该方法包括如下步骤：在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置的上和下两划线台之间夹心一块供校正的磨耗板，同时，使该上和下划线台与该抛光装置适配，在提供冷水的同时以相反方向旋转该上和下划线台，以此将这些划线台的表面抛光到台表面的平整度不超过３０μｍ的级别；然后将磨耗布分别粘在该上下划线台上；此后，重复地抛光该磁记录介质用玻璃基体的表面。本发明专利技术方法可有效制造一种极好的磁记录介质用玻璃基体。甚至在磁记录层一侧上玻璃基体表面的周边区域，该玻璃基体也没有任何显著程度的周边凹凸，甚至在磁记录层一侧上最外周边附近的区域，该玻璃基体表面的光滑度或平整度以及一致性也很出色，而且该玻璃基体没有任何明显量的表面疵点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体涉及一种制造方法，其能够制造磁记录介质用玻璃基体，该方法在磁记录层一侧玻璃基体表面的周边上，在相当程度上不引起边缘凹凸(edge-sagging)，该周边光滑均匀，甚至在磁记录层一侧上玻璃基体表面的最外周边区域也是如此，并且其含有相当少量的表面疵点。作为常规磁记录介质用基体，主要使用的是经多步加工方法，以Ni-P镀覆铝合金板，然后抛光该板的镀覆主表面而制备的各种基体。但是，甚至在便携式电脑例如笔记本个人电脑中，目前也已采用磁盘记录装置，而且该磁记录介质应当以不少于10000rpm级别的高速度旋转，以便提高磁盘记录装置的反应速度。为此，需要开发一种磁盘记录介质用基体，该基体具有能耐受这类严酷条件的高强度。作为能满足前述要求的这类基体，人们已采用了玻璃基体。这类被广泛采用的磁记录介质用玻璃基体，包括例如，化学增强的玻璃基体，其强度靠化学增强处理得以改进；或者结晶玻璃基体，其制备经过熔化，以及为获得玻璃基体而模制玻璃材料，并在长时间内将该玻璃基体保持在范围600-800℃的高温以便在该基体中或在玻璃基质中部分分离出晶体相。化学增强玻璃基体是，例如经过熔化玻璃材料并将该熔体形成用于化学增强玻璃基体的玻璃基体，然后让该玻璃基体经受研磨和抛光处理，并将其浸入例如硝酸钠或硝酸钾的熔融盐中，以便在其表面层中形成一压缩的受压层，从而获得的一种基体。结晶玻璃是这样一种玻璃，其包含40-80％的晶体相和20-60％的无定形玻璃相，并且晶体相的作用使它的强度提高。磁盘记录装置的存储容量已被大大提高，已经观察到一种倾向，即，甚至在该磁记录层一侧接近该基体周边的区域内，在磁记录介质用玻璃基体的表面上形成磁记录层，并且将这样形成的周边区域用作磁记录层，以便改进每一磁记录介质的记录容量。为此，要求甚至在其周边附近的区域内确立磁记录介质的高光滑度。另外，磁记录介质用元件被显著微型化，以便增加记录密度，并因此还要求磁记录介质用玻璃基体上的疵点应当更小，并且其数量应相当地减少。但是，在当通过按照公知方法研磨和抛光这类玻璃材料制备磁记录介质用玻璃基体时的抛光步骤中，很难稳定地制造边缘凹凸(edge-sagging)程度落在要求范围内的玻璃基体，该方法使用例如发泡聚氨酯型的硬磨耗布或例如麂皮型的软磨耗布，并且磨耗液含约数个百分数的含铈磨料，该磨料的平均粒度范围是约0.5-2μm。当抛光机生产商制造用于抛光磁记录介质用玻璃基体的双侧抛光装置时，生产商一般通过在整个抛光过程中经抛光而完成，将该装置划线台表面的平整度调节到不多于50μm的水平。然而，在使上下划线台适合于实际使用的双侧抛光装置时，不可能校正该划线台表面的平整度。为此，经抛光机生产商调节过平整度的划线台被不做任何改动或调节地使用。通常，该双侧抛光装置中使用的磨耗布是一种弹性材料，从而某种程度上，由于磨耗布的弹性，可减轻划线台表面的变形。但是，在把磨耗布粘合在划线台表面时，如果继续抛光步骤，由于划线台使用期间施加在划线台表面的压力，以及抛光作业生成的热，划线台表面会受到变形，并且该变形在其早期阶段达到不少于100μm的水平。在这样的条件下，划线台表面的变形量大于磨耗布的弹性量，因此，台表面的变形不能因磨耗布的弹性而被减轻。结果，划线台表面条件(平整度)的改变或变形，以及在适配上划线台的磨耗布和适配下划线台的磨耗布之间的平行关系陷于混乱下继续的抛光作业，都极大地影响磨耗布的表面状况。这导致完成抛光所需的时间比要求的范围延长(这又导致每一块磨耗布可抛光的玻璃基体的数量减少)。这还导致在玻璃基体上产生表面疵点，并且这成为边缘凹凸的主要成因。如果划线台的表面能被抛光到以致改进该表面的平整度，同时，上下划线台与供抛光磁记录介质用玻璃基体的双侧抛光装置适配，则前述问题会容易地解决。因此，本专利技术的目的是，提供磁记录介质用玻璃基体的有效制造方法，该方法不在磁记录层侧玻璃基体表面周边上引起任何可观程度的边缘凹凸，其甚至在接近磁记录层一侧表面的最外周边也是光滑的，而且其在很大程度上没有表面疵点。本专利技术人为达成前述目的进行了各种研究，已经发现，通过改进常规周知方法可完成上述专利技术目的，其步骤包括将磁记录介质用玻璃基体研磨到要求厚度，然后抛光该玻璃基体，这样的改进在使这些划线台与抛光该玻璃基体的双侧抛光装置适配的同时上下划线台表面能被容易地抛光，通过把这些磨耗布分别粘合到相应的上下划线台，能改进磨耗布外表面平整度的精度，而且，通过将这些磨耗布在一起摩擦，可进一步改进磨耗布外表面的表面精度，这样就完成了本专利技术。按照本专利技术的第一方面，提供一种磁记录介质用玻璃基体的制备方法，该方法包括如下步骤在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置的上和下两划线台之间夹有一块供校正的磨耗板，同时，使该上和下划线台与该抛光装置适配，在提供冷水的同时以相反方向旋转该上和下划线台，以此将这些划线台的表面抛光到台表面的平整度不超过30μm的级别；然后将磨耗布分别粘在该上下划线台上；此后，重复地抛光该磁记录介质用玻璃基体的表面。按照本专利技术的第二方面，提供一种用于磁记录介质玻璃基体的制备方法，该方法包括如下步骤在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置的上和下两划线台之间夹有一块供校正的磨耗板，同时，使该上和下划线台与该抛光装置适配，在提供冷水的同时以相反方向旋转该上和下划线台，以此将这些划线台的表面抛光到台表面的平整度不超过30μm的级别；然后将磨耗布分别粘在该上下划线台上，在上和下磨耗布之间夹有一块供校正的磨耗板，不提供任何冷水地使这些磨耗布与该上和下划线台一起旋转，以此改进这些磨耗布外表面的平整度精度；此后，重复地抛光该磁记录介质用玻璃基体的表面。按照本专利技术的第三方面，提供一种用于磁记录介质玻璃基体的制备方法，该方法包括如下步骤在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置的上和下两划线台之间夹有一块供校正的磨耗板，同时，使该上和下划线台与该抛光装置适配，在提供冷水的同时以相反方向旋转该上和下划线台，以此将这些划线台的表面抛光到台表面的平整度不超过30μm的级别；然后将磨耗布分别粘在该上下划线台上，在上和下磨耗布之间夹有一块供校正的磨耗板，不提供任何冷水地使这些磨耗布与该上和下划线台一起旋转，以此改进这些磨耗布外表面的平整度精度；然后，不使用任何校正磨耗板，通过使这些磨耗布与该上和下划线台一起旋转，让上和下磨耗布在一起摩擦，以此进一步改进该磨耗布外表面的平整度精度；此后，重复地抛光该磁记录介质用玻璃基体的表面。在根据本专利技术的中，按照前述实施方案1、2或3重复地进行玻璃基体抛光，接着除去磨耗布，然后，按照前述实施方案1、2或3，从开始重复该制造方法。以下更详细地描述本专利技术。在本专利技术的制造方法中，可使用的校正用磨耗板例如为，金属粘合的砂轮、树脂粘合的砂轮、玻璃状材料粘合的砂轮，其含磨料颗粒，例如金刚石、立方氮化硼、碳化硼、碳化硅、氧化锆和氧化铝。如上述，当抛光机生产商制造供磁记录介质用玻璃基体抛光的双侧抛光装置时，该生产商一般经抛光而完成将该装置划线台表面的平整度调节到不超过50μm的水平。在这一点上，本专利技术人发现，需要将划线台表面的平整度控制到不超过30μm的水平，以便实现前述目的。台表面的平整度可容易地调节到不超过30μm以及优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁记录介质用玻璃基体的一种制备方法，该方法包括如下步骤： 在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置的上和下两划线台之间夹心一块供校正的磨耗板，同时，使该上和下划线台与该抛光装置适配，在提供冷水的同时以相反方向旋转该上和下划线台，以此将这些划线台的表面抛光到台表面的平整度不超过３０μｍ的级别；然后将磨耗布分别粘在该上下划线台上；此后，重复地抛光该磁记录介质用玻璃基体的表面。

【技术特征摘要】
JP 2000-6-9 173382/001.磁记录介质用玻璃基体的一种制备方法，该方法包括如下步骤在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置的上和下两划线台之间夹心一块供校正的磨耗板，同时，使该上和下划线台与该抛光装置适配，在提供冷水的同时以相反方向旋转该上和下划线台，以此将这些划线台的表面抛光到台表面的平整度不超过30μm的级别；然后将磨耗布分别粘在该上下划线台上；此后，重复地抛光该磁记录介质用玻璃基体的表面。2.磁记录介质用玻璃基体的一种制备方法，该方法包括如下步骤在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置的上和下两划线台之间夹有一块供校正的磨耗板，同时，使该上和下划线台与该抛光装置适配，在提供冷水的同时以相反方向旋转该上和下划线台，以此将这些划线台的表面抛光到台表面的平整度不超过30μm的级别；然后将磨耗布分别粘在该上下划线台上，在上和下磨耗布之间夹有一块供校正的磨耗板，不提供任何冷水地使这些磨耗布与该上和下划线台一起旋转，以此改进这些磨耗布外表面的平整度精度；此后，重复地抛光该磁记录介质用玻璃基体的表面。3.磁记录介质用玻璃基体的一种制备方法，该方法包括如下步骤在抛光玻璃基体所用的双侧抛光装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤村明男，保坂俊雄，益永纯次，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]