夹紧结构、硅片切割装置及其切割工艺制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种夹紧结构、硅片切割装置及其切割工艺，其中硅片切割工艺，包括目测确定晶棒与切割线网接触的位置，并将所述位置在进给方向上的坐标确定为目测零点坐标；根据所述目测零点坐标确定在所述进给方向上的入刀位置区间值，并预设第一加工参数；所述晶棒沿所述进给方向移动，直至所述晶棒的即时位置坐标落入所述入刀位置区间值内时，控制硅片切割设备处于采用所述第一加工参数运行的状态，当所述晶棒接触所述切割线网时，以所述第一加工参数进行切割。本发明专利技术减小了因目测确定的切割零点与实际切割零点之间的偏差造成的入刀TTV。点与实际切割零点之间的偏差造成的入刀TTV。点与实际切割零点之间的偏差造成的入刀TTV。

【技术实现步骤摘要】
夹紧结构、硅片切割装置及其切割工艺


[0001]本专利技术涉及硅片加工
，特别是涉及一种夹紧结构、硅片切割装置及其切割工艺。

技术介绍

[0002]随着太阳能光伏行业的发展，硅片在半导体器件、太阳能电池等领域的应用不断增多。随之出现了硅片多线切割技术，其是通过晶棒与切割线网之间的高速相对往复运动，将半导体加工区域的晶棒一次性切割为数百片硅片的一种切割加工方法。
[0003]硅片多线切割过程中存在TTV异常，TTV异常是硅片多线切割所得到的硅片在厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值，用户称作硅片的总厚度变化，这个差值是衡量硅片优劣的一个重要标准。由此可见，TTV异常的存在会直接影响硅片合格率，甚至导致硅片降级为B片。然而，TTV异常通常包括入刀TTV及中后期TTV；目前的硅片切割工艺在对TTV异常进行改善时主要是针对切割加工的中后期的加工参数进行优化，进而提出了中后期TTV异常处理方法，以改善切割加工的中后期TTV。但导致中后期TTV与导致入刀TTV原因完全不一样，中后期TTV主要是切割过程异常所导致的，入刀TTV主要是机台及切割前异常所导致的，例如工件夹持不稳或工件与切割线网接触时的加工参数异常均会导致入刀TTV。现有的中后期TTV异常处理方法无法改善入刀TTV，另外，现有的硅片切割装置也没有针对改善入刀TTV进行的改进。
[0004]然而，在生产过程中，通过数据采集系统(MES数据系统)检测得到入刀TTV占总TTV异常的50％左右，因此对入刀TTV进行优化，能够减小TTV异常，利于提高硅片合格率。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对现有的硅片切割工艺及装置，无法改善入刀TTV的问题，提供一种夹紧结构、硅片切割装置及其切割工艺。
[0006]一种夹紧结构，所述夹紧结构设置于切割线网的上方，所述夹紧结构包括本体及工件板；本体包括夹持槽及拉升件，所述夹持槽开设于所述本体靠近所述切割线网的一侧，所述夹持槽具有两个在第一方向上相对设置的第一夹持面及第二夹持面，所述拉升件沿第二方向固定于所述夹持槽的槽底、且所述拉升件位于所述第一夹持面及第二夹持面之间，所述拉升件具有第一抵接面，所述第一方向与所述第二方向垂直；工件板可移除地设置于所述本体，所述工件板包括夹持于所述第一夹持面及所述第二夹持面之间的夹持部及用于固定工件的连接部，所述夹持部开设有与所述拉升件相配合的配合凹槽，所述配合凹槽具有与所述第一抵接面在所述第二方向上相抵的第二抵接面。
[0007]上述夹紧结构在本体上开设夹持槽，夹持槽设置有第一夹持面及第二夹持面，以对工件板的两侧进行第一方向上地夹持；同时在本体上设置拉升件，并在工件板上设置配合凹槽，第一抵接面与第二抵接面相抵时，本体能够沿第二方向拉升固定工件板。如此设置，本体与工件板在相互垂直的第一方向及第二方向均存在配合关系，使工件板较为稳定
地固定在本体上，当工件接触切割线网时，减轻工件板的抖动，也就使得工件较为稳定地进入被切割状态，能够减小入刀TTV，利于提高硅片合格率。
[0008]下面对本申请的技术方案作进一步说明：
[0009]在其中一个实施例中，所述第一夹持面及所述第二夹持面均朝向所述切割线网的方向倾斜设置。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一夹持面固定设置有第一加强部，以形成平行于所述第一夹持面的第一加强夹持面；所述第二夹持面固定设置有第二加强部，以形成平行于所述第二夹持面的第二加强夹持面；所述夹持部夹持于所述第一加强夹持面与第二加强夹持面之间，以提供第二抵接面沿所述第二方向下压所述第一抵接面的作用力。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一加强部包括在第一夹持面焊接形成的第一加厚层，所述第二加强部包括在第一夹持面焊接的第二加厚层。
[0012]本专利技术还提供一种硅片切割装置，其包括上述的夹紧结构。
[0013]本专利技术还提供一种硅片切割工艺，其包括步骤：
[0014]S1、目测确定晶棒与切割线网接触的位置，并将所述位置在进给方向上的坐标确定为目测零点坐标；
[0015]S2、根据所述目测零点坐标确定在所述进给方向上的入刀位置区间值，并预设第一加工参数；
[0016]S3、所述晶棒沿所述进给方向移动，直至所述晶棒的即时位置坐标落入所述入刀位置区间值内时，控制硅片切割设备处于采用所述第一加工参数运行的状态，确保当所述晶棒接触所述切割线网时，以所述第一加工参数进行切割。
[0017]上述硅片切割工艺根据目测零点位置确定一个入刀位置区间值，当晶棒相对于切割线网沿进给方向移动，直至晶棒的即时位置坐标落入入刀位置区间值内时，控制硅片切割工艺处于采用第一加工参数运行的状态，如此当晶棒实际接触切割线网时，能够采用第一加工参数进行切割。本申请中的硅片切割工艺相较于现有技术中的硅片切割工艺，设置入刀位置区间值，并在入刀位置区间值内采用同一个预设的第一加工参数，以一定程度上减小因目测确定的切割零点与实际切割零点之间的偏差造成的入刀TTV。
[0018]在其中一个实施例中，所述硅片切割工艺还包括步骤：
[0019]S4、所述晶棒沿所述进给方向继续移动，直至所述即时位置坐标脱离所述入刀位置区间值时，开始以预设的第二加工参数进行切割，且所述第二加工参数大于所述第一加工参数。
[0020]在其中一个实施例中，步骤S2包括将所述目测零点坐标确定为入刀位置区间值的中点值，并根据目测误差区间值确定所述入刀位置区间值的极值，并确保所述入刀位置区间值包含所述目测误差区间值。
[0021]在其中一个实施例中，所述目测误差区间值的确定方法包括步骤：
[0022]S01、目测确定在晶棒的进给方向上晶棒与切割线网接触的位置；
[0023]S02、确定晶棒与切割线网接触的实际位置；
[0024]S03、将目测确定的位置在进给方向的坐标与实际位置在进给方向的坐标作差，得到误差值；
[0025]反复进行步骤S01
‑
步骤S03多次后，对多次得到的误差值的绝对值加和求平均值
t，确定目测误差区间值为[
‑
t，+t]。
[0026]在其中一个实施例中，当所述目测零点坐标为0mm,且所述目测误差区间值为[
‑
1.5mm，+1.5mm]时，将所述入刀位置区间值确定为[
‑
2.5mm，+2.5mm]。
附图说明
[0027]图1为本专利技术一实施例中夹紧结构的结构分解示意图；
[0028]图2为本专利技术一实施例中夹紧结构的结构示意图；
[0029]图3为本专利技术另一实施例中夹紧结构的结构示意图；
[0030]图4为图3中I部分的局部放大图；
[0031]图5为图3中II部分的局部放大图；
[0032]图6为本专利技术一实施例中硅片切割工艺的步骤示意图；
[0033]图7为本专利技术一实施例中硅片切割工艺的加工状态示意图；
[0034]附图标记：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种夹紧结构，所述夹紧结构设置于切割线网的上方，其特征在于，所述夹紧结构包括：本体，包括夹持槽及拉升件，所述夹持槽开设于所述本体靠近所述切割线网的一侧，所述夹持槽具有两个在第一方向上相对设置的第一夹持面及第二夹持面，所述拉升件沿第二方向固定于所述夹持槽的槽底、且所述拉升件位于所述第一夹持面及第二夹持面之间，所述拉升件具有第一抵接面，所述第一方向与所述第二方向垂直；工件板，可移除地设置于所述本体，所述工件板包括夹持于所述第一夹持面及所述第二夹持面之间的夹持部及用于固定工件的连接部，所述夹持部开设有与所述拉升件相配合的配合凹槽，所述配合凹槽具有与所述第一抵接面在所述第二方向上相抵的第二抵接面。2.根据权利要求1所述的夹紧结构，其特征在于，所述第一夹持面及所述第二夹持面均朝向所述切割线网的方向倾斜设置。3.根据权利要求2所述的夹紧结构，其特征在于，所述第一夹持面固定设置有第一加强部，以形成平行于所述第一夹持面的第一加强夹持面；所述第二夹持面固定设置有第二加强部，以形成平行于所述第二夹持面的第二加强夹持面；所述夹持部夹持于所述第一加强夹持面与第二加强夹持面之间，以提供第二抵接面沿所述第二方向下压所述第一抵接面的作用力。4.根据权利要求3所述的夹紧结构，其特征在于，所述第一加强部包括在第一夹持面焊接形成的第一加厚层，所述第二加强部包括在第一夹持面焊接的第二加厚层。5.一种硅片切割装置，其特征在于，包括如权利要求1
‑
4任一项所述的夹紧结构。6.一种硅片切割工艺，其特征在于，包括步骤：S1、目测确定晶棒与切割线网接触的位置，并将所述位置在进给方向上的坐标确定为目测零点坐标；S2、根据所述目测零...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙信明，
申请(专利权)人：阜宁协鑫光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：