新型化合物及其在有机电致发光显示器件中的应用制造技术

本发明专利技术公开了新型化合物及其在有机电致发光显示器件中的应用，该化合物的化学结构如所示，X选自C、O、S或N，Cy为碳原子数为5

【技术实现步骤摘要】
新型化合物及其在有机电致发光显示器件中的应用


[0001]本专利技术属于有机电致发光材料领域，具体涉及新型化合物及其在有机电致发光显示器件中的应用。

技术介绍

[0002]目前，有机电致发光显示器件(OLED)的空穴传输材料要求对化合物分子具有良好的空穴迁移率和能级、优秀的成膜性和分子稳定性，其中9，9二苯基芴在OLED的空穴传输材料中广泛使用，表现出良好的空穴传输能力，但是可能出现结晶现象从而造成器件寿命降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提供一种新型环烷基取代的化合物，在9，9二苯基芴的苯基上同时连接一个胺基和环烷基，这一构造使得化合物整体具有极好的成膜性和抗结晶性，同时对分子的稳定性也有较大改善，作为空穴传输层材料能够较大程度地提升器件的使用寿命。
[0004]本专利技术提供一种新型环烷基取代的化合物，具有如化学式1所示的化学结构：
[0005][0006]其中，在化学式1中，
[0007]X为单键，选自C、O、S或N原子；
[0008]Cy为碳原子数为5
–
30的环烷基；
[0009]R(a)和R(b)分别表示具有a和b个独立的R取代基，且a和b均为整数，0＜a＜5，0＜b＜5；
[0010]R为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1
–
20的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为1
–
20的氟烷基或氰基；
[0011]Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的亚芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的亚杂芳基。
[0012]本专利技术中新型化合物具有如下优势：极好的成膜性、抗结晶性以及分子稳定性。从位阻大小看，邻位大于间位而间位大于对位，大位阻化合物具有优良的抗结晶能力，能显著地提高材料稳定性和器件寿命，而环烷基相较于烷基具有更高的稳定性，提供较大位阻的
同时具有好的热稳定性，另外环烷基与胺基的位置对器件的稳定性影响较大。本专利技术的新型化合物在9，9二苯基芴的苯基上同时连接一个胺基和环烷基，作为空穴传输层材料具有极好的成膜性和抗结晶性，同时对分子稳定性也有较大改善，能够较大程度地提升器件的使用寿命。
[0013]参考以下详细说明更易于理解本专利技术的上述以及其他特征、方面和优点。
附图说明
[0014]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更显著：
[0015]图1是实施例中有机电致发光显示器件的结构示意图。
具体实施方式
[0016]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]本专利技术提供的新型环烷基取代的化合物，具有如化学式1所示的化学结构：
[0018][0019]其中，在化学式1中，
[0020]X为单键，选自C、O、S或N原子；
[0021]Cy为碳原子数为5
–
30的环烷基；
[0022]R(a)和R(b)分别表示具有a和b个独立的R取代基，且a和b均为整数，0＜a＜5，0＜b＜5；
[0023]R为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1
–
20的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为1
–
20的氟烷基或氰基；
[0024]Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的亚芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的亚杂芳基。
[0025]根据一些实施方式，上述新型化合物具有如化学式1所示的化学结构：
[0026][0027]在化学式2中，R(a)和R(b)分别表示具有a和b个独立的R取代基，a和b均为4。
[0028]根据一些实施方式，在化学式1或化学式2中，R为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1
–
20的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
12的芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
12的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为1
–
10的氟烷基或氰基；
[0029]Cy为碳原子数为5
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15的环烷基；
[0030]Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的成环碳原子数为5
–
12的亚芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
12的亚杂芳基。
[0031]根据一些实施方式，在化学式1或化学式2中，Cy与取代胺基位于苯环的相邻位置。
[0032]化学式1或化学式2中所示的新型化合物中取代基的描述如下，当不限于此。
[0033]“取代或未取代的”指选自以下一个或多个取代基取代：氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、氧化膦基团、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、甲硅烷基、硼基、烷基、环烷基、烯基、芳基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、芳烷基胺基、杂芳基胺基、芳基胺基和杂环基，或未取代；或者连接以上取代基中的两个或多个取代基的取代基取代，或未取代，如“连接两个或多个取代基的取代基”包括联苯基，即联苯基可为芳基或者为连接两个苯基的取代基。
[0034]“芳基”可为单环芳基或多环芳基，单环芳基包括苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基，多环芳基包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基；以上对芳基的描述可用于亚芳基，不同之处在于亚芳基为二价。
[0035]“杂环基”包括吡啶基、吡咯基、嘧啶基、哒嗪基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、唑基、异唑基、噻唑基、异噻唑基、三唑基、二唑基、噻二唑基、二噻唑基、四唑基、吡喃基、噻喃基、吡嗪基、嗪基、噻嗪基、二氧杂环己烯基、三嗪基、四嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、吖啶基、呫吨基、菲啶基、二氮杂萘基、三氮杂茚基、吲哚基、二氢吲哚基、中氮茚基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、苯并噻唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、吩嗪基、咪唑并吡啶基、吩嗪基、菲啶基、菲咯啉基、吩噻嗪基、咪唑并吡啶基、咪唑并菲啶基、苯并咪唑并喹唑啉基、苯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.新型化合物，具有如化学式1所示的化学结构：其中，在化学式1中，X为单键，选自C、O、S或N原子；Cy为碳原子数为5
–
30的环烷基；R(a)和R(b)分别表示具有a和b个独立的R取代基，且a和b均为整数，0＜a＜5，0＜b＜5；R为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1
–
20的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为1
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20的氟烷基或氰基；Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的亚芳基、取代或未取代的成环碳原子数为5
–
60的亚杂芳基。2.根据权利要求1所述的新型化合物，其特征在于，具有如化学式2所示的化学结构：在化学式2中，R(a)和R(b)分别表示具有a和b个独立的R取代基，且a和b均为4。3.根据权利要求1或2所述的新型化合物，其特征在于，在化学式1或化学式2中，R为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1
–
20的烷基或烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为5
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12的芳基、取代或未取代的成环碳原子数...

【专利技术属性】
技术研发人员：王湘成，何为，
申请(专利权)人：上海钥熠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：