光学记录介质和将数据光学记录在其中的方法技术

一种光学记录介质，包括：基底、在基底上形成的含有选自Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ和Ｓｎ的元素作为主要成分的第一记录层、位于第一记录层附近的并含有选自Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ和Ｓｎ的但是与第一记录层中含有的主要成分不同的元素作为主要成分的第二记录层。根据这样形成的光学记录介质，通过在其上投射波长为３５０ｎｍ－４５０ｎｍ的激光束，可以在其中光学记录数据和从其中重现数据，该光学记录介质包括两个或者多个记录层，它能够减少重现信号的噪声电平，并提高Ｃ／Ｎ比。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学记录介质和将数据光学记录在该光学记录介质中的方法，尤其涉及通过在其上投射波长为350nm-450nm的激光束而在其中记录数据和从其中重现(reproduce)数据的光学记录介质，它包括两层或多层记录层，并能够降低所重现的信号的噪声电平和提高其C/N比，还涉及在其中光学记录数据的方法。
技术介绍
光学记录介质例如CD、DVD等已经广泛用作记录数字数据的记录介质。这些光学记录介质可以粗略的分为不能写入和重新写入数据的光学记录介质例如CD-ROM和DVD-ROM(ROM类型的光学记录介质)、可以写入但是不能重新写入数据的光学记录介质例如CD-R和DVD-R(一次写入型光学记录介质)、以及可以重新写入数据的光学记录介质例如CD-RW和DVD-RW(可重写数据型光学记录介质)。在该领域已经知道，通常利用在光学记录介质制造过程中在基底上预先形成的凹坑来在ROM光学记录介质中记录数据，而在可重写数据型光学记录介质中，通常利用相变材料作为记录层的材料，利用相变材料中相变导致的光学特性的变化来记录数据。在另一方面，在一次写入型光学记录介质中，通常采用有机染料例如花青染料、酞菁染料或者偶氮染料来作为记录层的材料，利用有机染料中化学变化导致的光学特性变化来记录数据，其中这种化学变化通常伴随着物理变形。但是，由于有机染料在暴露在太阳光等之下时会降解，所以在使用有机染料作为记录层材料的情况下难以改善长期保存的稳定性。因此希望提高一次写入型光学记录介质的长期保存稳定性以形成有机染料之外的材料的记录层。如日本专利申请公开No.62-204442中披露了一种将无机材料形成的两个记录层层压而制成的光学记录材料，这是一种公知的其记录层是由有机染料之外的材料形成的光学记录介质示例。另一方面，已经提出了一种新型光学记录介质，它能够改善记录密度并具有极高的数据传送速率。在这种新型光学记录介质中，要实现记录容量提高和极高的数据传送速率将不可必避免的要求用于记录和重现数据的激光束光斑直径减小到非常小的尺寸。为了减小激光束光斑直径，必须将会聚激光束的物镜的数值孔径提高到0.7或更高，例如提高至大约0.85，并将激光束的波长缩短到450nm或更少，例如缩短至400nm。因此，在形成无机材料的多个记录层的过程中，必须选择能够充分吸收波长等于或者小于450nm的蓝色激光束的无机材料。
技术实现思路
因此本专利技术的一个目的是提供一种通过在其上投射波长为350nm-450nm的激光束而在其中记录数据和从其中重现数据的光学记录介质，它包括两个或多个记录层，并能够降低所重现的信号的噪声电平和提高其C/N比，还提供在其中光学记录数据的方法。本专利技术的专利技术人为实现上述目的进行了大量的研究，结果发现，C、Si、Ge和Sn中的每一种是相对于波长为350nm-450nm的激光束具有高光吸收的无机材料，当激光束用于在由含有选自C、Si、Ge和Sn的一种元素作为主要成分的第一记录层和含有选自C、Si、Ge和Sn的一种与第一记录层中的主要成分不同的元素作为主要成分并在第一记录层附近形成的第二记录层构成的光学记录介质中记录数据时，形成包括第一记录层中的主要成分元素和第二记录层中的主要成分元素的混合区，以显著改变该区的反射系数，并以高灵敏度来记录数据。专利技术人还发现，通过利用包括第一记录层中的主要成分元素和第二记录层中的主要成分元素的混合区和其他区之间反射系数的大的差异可以降低重现信号的噪声电平以改善C/N比。本专利技术的上述和其他目的可以通过以下光学记录介质来实现，该光学记录介质包括基底、在基底上形成的含有选自C、Si、Ge和Sn的一种元素作为主要成分的第一记录层、以及位于第一记录层附近的含有选自C、Si、Ge和Sn的一种与第一记录层中的主要成分不同的元素作为主要成分的第二记录层。在本专利技术中，第一记录层中含有特定的元素作为主要成分意味着该元素的含量在第一记录层中所含的元素中是最大的，而第二记录层含有特定的元素作为主要成分意味着该元素的含量在第二记录层中所含元素中是最大的。在本专利技术中，不是绝对要求第二记录层要与第一记录层相接触，只要第二记录层位于第一记录层附近以在激光辐射的时候能够形成包括有第一记录层的主要成分和第二记录层的主要成分的混合区就足够了。另外，在第一记录层和第二记录层之间可以插入一层或多层其它层例如介电层。但是当一层或多层其它层例如介电层插入到第一记录层和第二记录层之间时，该插入层的厚度必须等于30nm或比其薄，优选等于20nm或比其薄。在本专利技术中，优选的是形成第二记录层使其与第一记录层相接触。在本专利技术中，光学记录介质可以包括一层或多层含有选自C、Si、Ge和Sn的一种元素作为主要成分的记录层。尽管在照射激光束时为什么能够形成包括第一记录层的主要成分和第二记录层的主要成分的混合区的原因还不完全清楚，但是合理的推测是第一和第二记录层的主要成分会部分或者全部熔化或扩散，由此形成一个第一和第二记录层的主要成分混合的区。混合第一和第二记录层的主要成分而形成的区相对于重现数据的激光束的反射系数、以及其他区相对于重现数据的激光束的反射系数极为不同，因此通过利用反射系数中这种大的差异可以高灵敏度的重现所记录的数据。另外，专利技术人发现，C、Si、Ge和Sn对于环境仅有很轻的影响，并且由于C和Si不是昂贵的材料，因此可以降低该光学记录介质的成本。在本专利技术的一个优选方面，光学记录介质还包括设置在基底的与第一记录层和第二记录层相对一侧上的透光层。在本专利技术另一个优选方面，光学记录介质还包括设置在透光层、以及第一记录层和第二记录层之间的第一介电层，和在第一记录层及第二记录层、以及基底之间的第二介电层。根据本专利技术的这个优选方面，可以可靠地防止基底或者透光层因为在其中辐射激光束来记录数据时产生的热量而导致的变形。另外，根据本专利技术的这个优选方面，由于可以防止在第二记录层中含有的作为主要成分的元素被腐蚀，因此可以更有效地防止所记录的数据经过长时间以后会变差。在本专利技术的再一个优选方面，光学记录介质还包括设置在基底和第二介电层之间的反射层。根据本专利技术的这个优选方面，可以通过多重干涉效应而提高记录区和非记录区之间反射系数的差异，由此获得更高的重现信号(C/N比)。在本专利技术中，优选形成第一记录层和第二记录层而使得其总厚度为2nm-30nm，更优选的是3-24nm，最优选的是5-12nm。在本专利技术中，优选将选自Cu、Au、Ag、Pd、Pt、Fe、Ti、Mo、W和Mg的至少一种元素加入到第一记录层和/或第二记录层中。通过向第一记录层和/或第二记录层中加入选自Cu、Au、Ag、Pd、Pt、Fe、Ti、Mo、W和Mg的至少一种元素，可以改善第一记录层和/第二记录层的表面平滑度，并减少所重现的信号的噪声电平。在本专利技术中，光学记录介质优选被构成为一次写入型光学记录介质。本专利技术的上述和其他目的也可以通过以下所述的在光学记录介质中光学记录数据的方法来实现，该方法包括将波长为350nm-450nm的激光束投射在光学记录介质上，所述光学记录介质包括基底、在基底上形成的含有选自C、Si、Ge和Sn的一种元素作为主要成分的第一记录层、以及位于第一记录层附近的含有选自C、Si、Ge和Sn的一种与第一记录层中的主要成分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学记录介质，包括：基底、在基底上形成的含有选自Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ和Ｓｎ的元素作为主要成分的第一记录层、位于第一记录层附近并含有选自Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ和Ｓｎ的但是与第一记录层中含有的主要成分不同的元素作为主要成分的第二记录层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：青岛正贵，井上弘康，三岛康儿，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]