光学记录介质及其制造方法技术

一种用于ＤＶＤ－Ｒ型光学数据存储器的记录介质，其可以用波长６３０到６８０ｎｍ的激光束来读写，该记录介质含有一种亚酞菁（ｓＰｃＹ）用来吸收激光能量，该亚酞菁部分是以与二酚盐或三酚盐或与二－或三硫酚盐（ｂＰｈ或ｔＰｈ）组成的离子配合物形式，部分是以与阴离子的金属－硫羟－或金属－重氮－配合物（ＭＫ）的离子配合物形式存在的，所述离子配合物具有结构（Ⅰ）和（Ⅱ），其中ｓＰｃＹ，ｓＰｃＹ’，ｓＰｃＹ”和ｓＰｃＹ′″相同或不同。该记录介质显示出很高的稳定性且能用很高的记录速度来进行书写。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学数据存储器领域，并涉及到一种如第一个独立权利要求的前序部分所述的光学记录介质和一种相应独立权利要求前序部分所述的制备光学记录介质的方法。已知的光学数据存储器具有一个圆盘状的，由透明塑料制成的载体，一个涂覆于载体之上的记录层和一个涂覆于记录层之上的反射层。所述载体在涂覆有记录层的那面上还具有螺旋形的记录槽。沿着该槽，利用作为记录光的激光来书写数据存储器。该过程中，记录层会受到局部改变，并在记录层和载体之间形成泡状坑穴。然后作为读取光的另一束激光扫描到被书写过的轨道，同时读取光的反射光作为读取信号记录到反射层上。DVD-R(可记录数字化视频光盘)型和CD-R(可记录光盘)型的光学数据存储器的差别就在于前者的记录槽相互间设置得更为紧密且圆盘通常具有两个对半的载体，并在其间设置有记录层和反射层。为了读写DVD-R，所使用的激光的波长为630到680nm(CD-R780nm)。相应的记录层由一种记录介质组成，并且该介质含有，比如，具有以下通式的，用于吸收激光能量的亚酞菁(Subphthalocyanin)-硼-化合物 其中的A1到A12相互独立地为-H，-卤素，-烷基，-芳基，-烷基-芳基，-氧-烷基，-氧-芳基，-氧-烷基-芳基，-硫-烷基，-硫-芳基或-硫-烷基-芳基，同时所述的烷基具有1到20个碳原子并且所述的芳基是苯基-或萘基或它们的卤代衍生物，而其中的Y是硼。X是，如在US-5776656的公开文本中所记载的，卤素，-OH，-OC2H5或-O-叔丁基。在该文本中推荐X还可以是苯基或苯氧基，优选是未被取代的。记录层中还含有公知的猝灭剂，比如金属配合物(如金属-硫醇配合物)，以及必要时还可有稳定剂，如胺。本专利技术的目的在于提供一种可用波长630到680nm的激光来读写的光学数据存储器，即，用于如DVD-R的基于亚酞菁基的记录介质，该介质相对于已知的那些记录介质，其特征在于有着极高的抗光和气候影响的稳定性，并且由本专利技术的记录介质形成的记录层可以以很高的速度来书写(极低的最佳记录能)。此外，本专利技术的目的还在于提供一种制备记录介质的方法。这些目的可以通过如权利要求中所述的记录介质及其生产方法来实现。本专利技术的记录介质含有用作吸收激光能量的化合物的一种具有硼或铝作为中心原子的亚酞菁。这种亚酞菁在本专利技术的记录介质中以离子配合物的形式存在，更确切的说，它部分是作为由两个或三个亚酞菁单元(sPcY-)和一个二酚盐或三酚盐或一个二或三硫酚盐(-bPh-或＞tPh-)组成的离子配合物，并且部分是作为由一个亚酞菁单元(sPcY-)和一个阴离子的金属-硫羟-或金属-重氮-配合物(MK)组成的离子配合物，即，本专利技术的记录介质包含以下离子配合物sPcY-bPh-YsPc’或 和sPcY-MK其中sPcY，sPcY’，sPcY”和sPcY是相同或不同的亚酞菁并且具有以下的通式结构 其中的A1到A12相互独立地为-H，-卤素，-烷基，-芳基，-烷基-芳基，-氧-烷基，-氧-芳基，-氧-烷基-芳基，-硫-烷基，-硫芳基或-硫-基-芳基，其中所述的烷基具有1到20个碳原子并且所述的芳基是苯基-或萘基或它们的卤素取代的衍生物，而Y是硼或是铝；其中的bPh和tPh具有以下的通式结构 该结构式中Z不存在，或代表-CH2-，-C2H4-，-S-，-O或-NH-，而位置Z’代表-(CnH(2-1)＜，其中的n＝1，2或3，或代表-N＜。并且其中每个苯环除了-O-或S-基团外还带有不超过两个其他的取代基R1到R6，而这其中的R1到R6可分别独立的代表-卤素，-CN，-NO2，-烷基，-芳基，-烷基芳基，-氧-烷基，-氧-芳基，-氧-烷基-芳基，-硫-烷基，-硫-芳基，-硫-烷基-芳基，-SO3H，-SO2H，-SO3N(烷基)2，-NH2，-NH(烷基)，-NH(芳基)，N(烷基)2，-N(芳基)2，其中所述的烷基具有1到8个碳原子而所述的芳基是-苯基或-萘基或它们的取代衍生物；其中的MK是具有以下通式结构的金属-硫羟配合物或金属-重氮-配合物 这里的M＝Ni，Co，Fe，Cu，Sn，Zn，Al，Ti，TiO，Cr，V，VO，Pt，Pd，Ge或Si，并且每个苯环带有不超过两个取代基R’1到R’8。而R’1到R’8又分别独立地为-卤素，-NO2，NH2，NH(烷基)，-NH(芳基)，N(烷基)2，N(芳基)2，-CN，-氧-烷基，-氧-芳基，-硫-烷基，硫-芳基，这里所述的烷基具有1到8个碳原子，而所述的芳基是-苯基或-萘基或它们的取代衍生物。存在于本专利技术记录介质中的亚酞菁单元可以完全相同地被取代并且具有相同的中心原子Y(硼或铝)，或者它们可以不同地被取代并具有不同的中心原子Y。优选的方案是所有的亚酞菁单元中取代基A1到A4分别与取代基A5到A8和A9到A12相同。优选的亚酞菁的例子具有以下取代基A1到A12＝-H(未取代的sPcY)；A1，A4，A5，A8，A9，A12＝-辛基且A2，A3，A6，A7，A10，A11＝-H；A2，A3，A6，A7，A10，A11＝-辛基且A1，A4，A5，A8，A9，A12＝-H；A2或A3，A6或A7，A10或A11＝-S-辛基且其余为-H；A2，A6，A10＝-苯氧基且其余＝-H；A1，A5，A9＝-硫代苯氧基-(Thiophenoxy)且其余＝-H；A1，A5，A9＝-氧-己基，A3，A7，A11＝-C1在本专利技术的记录介质中，酚盐或不同酚盐的混合物可选自二酚盐或三酚盐或二硫酚盐或三硫酚盐。其中，在每个酚盐中取代基R1/R2优选和取代基R3/R4或R5/R6相同。二酚盐和三酚盐或是-硫酚盐的优选例子是以下酚的阴离子2，2’-亚甲基-二(6-叔丁基-4-甲基酚)，2，2’-亚甲基-二(6-叔丁基-4-乙基酚)，2，2’-亚甲基-二(4，6-二甲基酚)，2，2’-亚异丁基-二(4，6-二甲基酚)，2，2’-亚甲基-二(4-甲基-6-α-环己基酚)，4，4-亚甲基-二(2，6-二叔丁基酚)，4，4’-亚丁基-二(6-叔丁基-3-甲基酚)2，2’-硫-二(6-叔丁基-4-甲基酚)2，2’-硫-二(4-甲基-6-α-甲基苄基苯酚)，2，2’-硫-二(4，6-二-仲戊基苯酚)，4，4’-硫-二(6-叔丁基-2-甲基酚)，二-(4-羟基-3，5-二叔丁基苄基)-硫醚，2，2’-二(5-二乙基氨基-酚)，4，4’-二乙基-6，6’-二叔丁基-2，2’-双酚，4，4’-二乙基-6，6’-二叔丁基-2，2’-双硫酚，1，1，3-三(5’-叔丁基-4’-羟基-2’-甲基苯基)-丁烷。优选的阴离子金属-硫醇配合物和金属-重氮-配合物如下述 离子配合物(sPcY)2-bPh或(sPcY)3-tPh(由亚酞菁和二或三酚盐或-硫酚盐组成的离子配合物)和离子配合物sPcY-MK(由亚酞菁和阴离子的金属-硫羟配合物或金属-重氮配合物组成的配合物)之间的摩尔比在1∶99到99∶1之间。除了酞菁-离子配合物外，记录介质中还可含有作为另外的吸收激光能的化合物的物质，如花青-，肉桂(Styril)-，甲-，重氮和/或金属化的重氮颜料。另外，还可以含有金属茂(如二茂铁)，乙酰丙酮化物-金属配合物，N，N’-四烷基-本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于光学数据存储器的记录介质，其可用波长６３０到６８０ｎｍ的激光束来读写，该记录介质含有一种亚酞菁（ｓＰｃＹ）用来吸收激光能量，该亚酞菁部分是以与二酚盐或三酚盐或与二硫酚盐或三硫酚盐（ｂＰｈ或ｔＰｈ）组成的离子配合物形式，部分是以与阴离子的金属－硫羟－或金属－重氮－配合物（ＭＫ）组成的离子配合物形式存在的，该离子配合物具有以下结构：ｓＰｃＹ－ｂＰｈ－ＹｓＰｃ’或ｓＰｃＹ－＊－ＹｓＰｃ’和ｓＰｃＹ’”－ＭＫ其中：ｓＰｃＹ－，ｓＰｃＹ’－，ｓＰｃＹ”－和ｓ ＰｃＹ’”－相同或不同并且具有以下的结构：＊＊＊其中的Ａ１到Ａ１２相互独立地为－Ｈ，－卤素，－烷基，－芳基，－烷基－芳基，－氧－烷基，－氧－芳基，－氧－烷基－芳基，－硫－烷基，－硫－芳基或－硫－烷基－芳基，其中所述的烷基具有 １到２０个碳原子并且所述的芳基是苯基或萘基或它们的取代衍生物，并且其中Ｙ是硼或是铝；其中的ｂＰｈ和ｔＰｈ具有以下的结构：＊＊＊其中Ｚ不存在，或代表－ＣＨ↓［２］－，－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］－，－Ｓ－，－Ｏ－或－ＮＨ－， 而Ｚ’代表－（Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［（２ｎ－１）］）＜，其中的ｎ＝１，２或３，或代表－Ｎ＜，并且其中每个苯环除了－Ｏ↑［－］或－Ｓ↑［－］基团外还带有不超过两个其它的取代基Ｒ１到Ｒ６，而Ｒ１到Ｒ６分别独立代表－卤素，－ＣＮ，－ＮＯ↓［２］，－烷基，－芳基，－烷基芳基，－氧－烷基，－氧－芳基，－氧－烷基－芳基，－硫－烷基，－硫－芳基，－硫－烷基－芳基，－ＳＯ↓［３］Ｈ，－ＳＯ↓［２］Ｈ，ＳＯ↓［３］Ｎ（烷基）↓［２］，－ＮＨ↓［２］，－ＮＨ（烷基），－ＮＨ（芳基），Ｎ（烷基）↓［２］或－Ｎ（芳基）↓［２］，其中所述的烷基具有１到８个碳原子而所述的芳基是－苯基或－萘基或它们的取代衍生物；其中的ＭＫ是具有以下结构的至少一种化合物：＊＊＊这里的Ｍ＝Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｔｉ，ＴｉＯ ，Ｃｒ，Ｖ，ＶＯ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｇｅ或Ｓｉ，并且每个苯环带有不超过两个取代基Ｒ’１到Ｒ’８，而Ｒ’１到Ｒ’８又分别独立地为－卤素，－ＮＯ↓［２］，ＮＨ↓［２］，ＮＨ（烷基），－ＮＨ（芳基），－Ｎ（烷基）↓［２］，－Ｎ（芳基）↓［２］，－ＣＮ，－氧－烷基，－氧－芳基，－硫－烷基或硫－芳基，这里所述的烷基具有１到８个碳原子而所述的芳基是－苯基或－萘基或它们的取代衍生物。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A扎菲罗夫，S拉科夫斯基，J巴卡吉瓦埃内瓦，L普拉霍夫，L阿塞诺瓦，F马兰迪诺，
申请(专利权)人：因特拉克西亚股份公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]