作为光记录介质的金属茂基酞菁制造技术

可以通过在催化剂存在下使包含两种酞菁（Ⅰ）和（Ⅱ）的混合物Ａ与金属茂衍生物反应获得的金属茂基酞菁的混合物，以及低聚的金属茂基酞菁，其制备方法，其尤其用于光记录和光记录介质的用途。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及金属茂基酞菁、它们的混合物、制备它们的方法以及它们在光学记录中的用途。本专利技术属于光数据存储领域，特别是用于一次写入存储介质。其中，利用染料在写入点和未写入点的不同光学性质储存信息。这样的存储介质是已知的，例如，名称为“WORM”系统(一次写入多次读取)，并且存储介质进一步分成，例如，“CD-R”或“DVD-R”。例如M.Emmelius在Angewandte Chemie，number 11，1475-1502页(1989)中描述了在近红外区域(NIR区域)吸收辐射的染料用于在WORM系统中记录信息的用途。为了在这样的记录材料中通过物理(例如，通过升华或扩散)或化学变化(例如，染料的光致变色、异构化或热分解)记录数字形式的信息，激光照射可以产生必要的吸收变化。取代的酞菁代表用于这种WORM系统中的一类重要染料，因为在适当取代时它们在700nm-900nm的范围内具有强NIR吸收，而与通常存在的中心金属原子无关。所使用的记录层必须满足非常苛刻的要求，例如，在激光波长下的高折射率和低吸收、写入坑的高对比度、具有不同坑长度的坑的均匀性，在日光和弱激光辐射(读出)下的高光稳定性并且同时在强激光辐射(写入)下具有高灵敏度、高长期稳定性、低噪音、高分辨率，以及作为特别重要的方面，在最佳写入能量下坑长度与规定值的非常小的系统偏差和随机偏差(“不稳定性”)。因为记录层一般用溶液涂敷，例如，通过旋涂，所述染料应该容易溶解在常规溶剂中，如在EP-A 511 598(与其中制备的极性和非极性溶剂之间的差别无关)中所述。用于光记录的聚合或低聚合酞菁本身是已知的，即，包含至少两个酞菁单元的化合物，所述两个单元通常彼此通过单键或原子或分子作为桥相互连接，例如，JP-A 59073994描述了聚合记录材料，其具有在主链中由酞菁构成的大环。JP-A 59229396描述了包含染料低聚物的记录材料，其中，至少两个分子，例如含有钒或氧化钒VO作为中心原子的酞菁，彼此通过-COO基团或含有至少两个-COO基团的单元相连。JP-A 62059285描述式Pc-(CONH-L-OH)n的酞菁化合物，其中，Pc是含有中心原子如Co(II)的酞菁基团，L是C1-C5亚烷基并且n是大于或等于1的数，其可以通过加聚或缩聚聚合。GB-A 2259517描述通式(Q-X-)qPc(-X-Q-y)p的聚合酞菁，其中，X是O、S、Se、Te、NH、N-烷基或N-芳基，Q是碳原子或芳香族或杂环基团，Y是能形成桥的反应性基团并且p＞2，q≥0，16≥(p+q)。含有至少一个二茂铁单元作为取代基的酞菁化合物同样是已知的。因此，例如，J.Organomet.Chem.468(1-2)(1994)205-212描述了1，1”，1’”，1”””-(29H，31H-酞菁-2，9，16，23-四基)四二茂铁，Chin.Chem.Lett.4(4)(1993)339-342描述了氧基]苯氧基]丁基]-4，4’-二吡啶鎓合(2-)-N29，N30，N31，N32]二溴化锌，New J.Chem.21(2)(1997)267-271描述了1’，1-二(次氮基次甲基)]双二茂铁和J.Organomet.Chem.541(1-2)(1997)441-443描述了2O的合成(其中，dppe＝1，2-乙烷二基双(二苯基膦)；Cp＝环戊二烯基；Pc＝酞菁)。J.Chem.Commun.1995，1715-1716中描述了通过使二茂铁碳酰氯与带有一个羟基作为取代基的无金属酞菁反应以形成相应的酯化合物来制备液晶二茂铁基酞菁。Inorg.Chem.37(1998)411-417描述了双(二茂铁羧基合)(酞菁合)硅，且二茂铁单元结合到中心原子上。WO-A 9723354描述了基于含有作为取代基特别结合到中心原子的二茂铁单元的酞菁的光记录材料。WO-A 0009522描述了金属茂基酞菁或其与二价金属、氧代-金属、卤代-金属或羟基-金属的配合物，其中，酞菁的四个苯环中至少一个带有至少一个金属茂基作为通过桥接单元E结合的取代基，其中，E由至少两个原子的链或选自-CH2-、-C(＝O)-、-CH(C1-C4烷基)-、C(C1-C4烷基)2-、-NH-、-S-、-O-和-CH＝CH-的原子团组成。使用CD-R作为计算机数据存档和备份介质越来越需要更快的写入速度。另一方面，当其用作声频媒介时，需要慢的(1×)速度。对于这样的宽带行为，这导致记录层必须连续重新优化(直到最近的1×-8×，现在的1×-16×，未来的24×及以上)，其对所用的记录层提出了非常高的要求。已知含有酞菁的记录层具有良好的中速(2×-8×)测量值，但是对于对比度以及和坑和纹间表面与规定值的长度偏差以及对于其随机波动(“不稳定”)显示不良的1×值。术语对比度指坑和纹间表面之间的反射差异或相应的高频信号调制幅度。术语不稳定具体指信号变化中的时间缺陷，其可归因于坑太短或太长。例如，在一个CD-R中，坑或纹间表面的长度可以在3T-11T范围内变化，其中，当速度为1.2m/s(1×)时1T＝231.4ns。例如，当3T坑的长度仅仅稍短或稍长时，这可能导致BLERs数(＝块误差率，其是指存在于CD上的物理误差数量)增大并且因此导致较低的质量。根据应用标准，BLER应该小于每秒220，并且根据目前的市场需求，甚至应该低于每秒10-20。记录介质必须满足的要求和应用标准对于本领域技术人员是已知的，所以对于该主题的进一步解释是多余的。已经提出了解决与酞菁有关的上述困难的各种建议；特别地，已经进行了降低与其它类型染料相比的较高分解温度的尝试。因此DE-A 4 112 402提出了酞菁和在上述波长范围内吸收的花青(作为吸光元素)的一种混合物作为记录薄膜。但是，这里重复阅读液也导致吸光剂的损坏，因此未获得希望的性质。此外，已知花青染料不是耐晒的，所以它通常需要加入稳定剂。EP-A 600 427描述了一种光记录介质，其记录层包含酞菁和一种添加剂，例如二茂铁衍生物、金属乙酰乙酸盐或抗爆剂。根据该申请，加入所述添加剂改善记录质量，但是，缺点是以添加剂形式使用外加物质和在记录材料生产过程中留下的染料回收困难，因为必须除去活性或者重新调节其浓度以便重新使用。JP-A 8-118800描述了光记录介质，其记录层包含被二茂铁单元取代的偶氮化合物。还特别描述了这些偶氮化合物与酞菁和五甲炔花青的混合物。这里的缺点是使用单独使用偶氮化合物或酞菁不能获得令人满意的记录层。上面已经讨论的WO-0009522描述了可以在光信息储存介质中用作记录材料的金属茂基酞菁，没有其它的添加剂，优选在用于CD-R中时，与现有技术相比，具有显著改善的宽带行为(1×-8×)，并且在半导体激光(770-790nm)的波长下显示出优异的记录和重现特性。此外，这些化合物使得一种回收记录层生产中所用染料的改进方法成为可能。但是，迄今为止已知的记录材料不能完全满足对非常高写入速度的不断增长的要求。特别是发现对于不同的写入速度范围，记录层的最佳厚度是不同的。当在低写入速度(1×-2×)时，不能令人满意的低对比度(I11)通常是关键参数，其可以用较厚的层改善，而在较高的写入速度(≥4×本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属茂基酞菁的混合物，其通过在催化剂存在下使包含以下物质的混合物Ａ与金属茂衍生物反应：（ａ）１－９９重量％，优选５０－９５重量％的式Ⅰ的酞菁：＊＊＊（Ⅰ）其中Ｍ↓［１］是二价金属、氧代－金属基团、卤代－金属基 团或羟基－金属基团或两个氢原子，其中一个或两个配体可以结合到二价金属原子、氧代－金属基团、卤代－金属基团或羟基－金属基团上，Ｘ是卤素如氯、溴或碘，优选为氯或溴，Ｙ↓［１］是－ＯＲ↓［１］、－ＯＯＣ－Ｒ↓［２］、－ＮＨＲ↓［１ ］、－Ｎ（Ｒ↓［１］）Ｒ↓［２］、－ＳＲ↓［１］，优选为－ＯＲ↓［１］，Ｙ↓［２］是－ＣＨＯ、－ＣＨ（ＯＲ↓［３］）ＯＲ↓［４］、－ＣＨ＝Ｎ－ＯＨ、－ＣＨ＝Ｎ－ＯＲ↓［３］、－ＣＨ＝Ｎ－ＮＨＲ↓［５］、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ（Ｒ↓［３］）Ｒ ↓［５］、－ＣＨ↓［２］ＯＨ、－（ＣＨ↓［２］）↓［２－２０］ＯＨ、－ＣＨ↓［２］ＯＲ↓［３］、－ＣＨ↓［２］ＯＯＣ－Ｒ↓［３］、－ＣＯ－Ｒ↓［３］、－ＣＯＯＨ或－ＣＯＯＲ↓［３］，Ｒ↓［１］－Ｒ↓［５］可以相互独立地为未取代或卤素 －、羟基－、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷氧基－、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基氨基－或Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］二烷基氨基－取代的Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基，其可以插入－Ｏ－、－Ｓ－或－ＮＲ↓［１１］－，其中Ｒ↓［１１］可以是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基，且Ｒ↓［１］和Ｒ↓［２］还可以是：Ｃ↓［５］－Ｃ↓［２０］环烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］链烯基、Ｃ↓［５］－Ｃ↓［１２］环烯基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］炔基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１８］芳基或Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１８］ 芳烷基，ｘ是０－８的有理数，优选为０－５，特别优选为０－３，ｙ↓［１］是０－６的有理数，优选为１－６的整数，特别优选为３－５，非常特别优选为４，ｙ↓［２］是０－４的有理数，优选为０－２，特别优选为０－１，其中 （ｘ＋ｙ↓［１］＋ｙ↓［２］）≤１６，且Ｒ↓［１５］可以是含羟基基团、含羧基基团或含有酰基氯基团的基团，优选为－ＣＨ↓［２］ＯＨ、－ＣＨ（Ｍｅ）ＯＨ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＣｌ，和（ｂ）９９－１重量％，优选为５０－５重量 ％的式Ⅱ的酞菁：＊＊＊（Ⅱ）。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J贝里希，R布拉特纳，JL布德里，W弗雷塔，C莫尔顿，GA穆菲，B施密德哈尔特，M舒尔茨，H斯帕尼，C斯泰恩，A沃勒布，H沃勒布，R策尔珀，
申请(专利权)人：西巴特殊化学品控股有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]