薄膜磁头、磁头万向架组件以及硬盘装置制造方法及图纸

作为本发明专利技术，在本发明专利技术中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向（平行于膜面的方向）的顽磁力Ｈｃ维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有用来将磁记录介质等的磁场强度作为信号读取的磁阻效应元件的薄膜磁头、以及、包括该薄膜磁头的磁头万向架组件以及硬盘装置。
技术介绍
近年来，随着硬盘装置的面记录密度的提高，对薄膜磁头的性能提出了更高的要求。作为薄膜磁头，广泛使用的是，在基片上层叠具有读取专用磁阻效应元件(以下，有时简称为MR(Magneto-resistive)元件)的再生磁头、以及、具有写入专用感应型磁转换元件的记录磁头而构成的复合型薄膜磁头。作为MR元件，可列举出，利用各向异性磁阻(AnisotropicMagneto-resistive)效应的AMR元件、利用巨磁阻(GiantMagneto-resistive)效应的GMR元件、利用隧道磁阻(TunnelMagneto-resistive)效应的TMR元件等。作为GMR元件，以自旋阀型GMR元件用得较多。自旋阀型GMR元件具有，非磁性层、形成于该非磁性层的一个面上的软磁性层、形成于非磁性层的另一个面上的强磁性层、以及、形成于位于非磁性层之相反一侧的强磁性层上的钉扎层(一般是反强磁性层)。软磁性层，是磁化方向随着外部信号磁场而改变的层，强磁性层，是靠钉扎层(反强磁性层)的磁场使磁化方向钉扎的层。作为再生磁头，要求其具有输出大、巴克豪森噪声小的特性。而作为减小巴克豪森噪声的手段，通常是对MR元件在长度方向上施加偏移磁场(以下称作纵偏移磁场)。对MR元件施加纵偏移磁场，是例如在MR元件的两侧设置永久磁铁、或由强磁性层和反强磁性层的层叠体构成的偏移磁场施加层而实现的。但是，为了适应磁记录密度的进一步提高，要求MR再生磁头的磁道宽度更窄、作为设置在MR元件上下的两个屏蔽层之间的距离的屏蔽间隔的长度更短。对于MR再生磁头，如上所述，是在MR元件的两侧设置永久磁铁等偏移磁场施加层，利用来自偏移磁场施加层的纵向偏移磁场使磁敏层(特别是软磁性层)的磁畴消失，从而抑制巴克豪森噪声的。然而，若使MR再生磁头的屏蔽间隔更短、磁道更窄，则会产生这样的问题，即，对磁敏层(特别是软磁性层)有效施加纵向偏移磁场将变得困难，尤其是，磁道宽度越窄，越容易产生巴克豪森噪声。为解决这个问题，特开平10-312512号公报、特开平10-312514号公报提出了，在由Co类硬磁性层构成的偏移磁场施加层与MR元件二者的连接处加装FeCo磁性基底层的方案。通过设置FeCo磁性基底层，可避免偏移磁场施加层与MR元件之间在磁路上分断，能够对磁敏层稳定且有效地施加偏移磁场。但是，本专利技术人经潜心研究发现，按照上述方案，也许是由于FeCo基底层上成膜的Co类硬磁性层在c轴面内的取向性变坏，存在着由Co类硬磁性层构成的偏移磁场施加层在面内方向(平行于膜面的方向)上的顽磁力Hc减小的倾向。因此，即便是上述方案，当以间隔更短、磁道宽度更窄为目标时，仍有可能出现无法有效施加偏移磁场的倾向，无法有效抑制巴克豪森噪声的产生。
技术实现思路
本专利技术是针对上述实际情况提出的，其目的是，提供这样一种薄膜磁头，即，可使偏移磁场施加层在面内方向上的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道宽度更窄为目标的场合，也能够施加有效的偏移磁场，抑制巴克豪森噪声的产生；并且，提供一种具有经过如上改进的薄膜磁头的磁头万向架组件以及硬盘装置。为实现上述任务，本专利技术作为一种以具备具有磁阻效应膜的磁阻效应元件而成的薄膜磁头，所说磁阻效应膜是，具有非磁性层、形成于非磁性层的一个面上的强磁性层、形成于非磁性层的另一个面上的软磁性层、为了钉扎所说强磁性层的磁化朝向而与强磁性层的单面(与非磁性层相接触的面之相反一侧的面)相接触地形成的钉扎层的多层膜，在所说磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部，中间隔着磁性基底层设置有用来向软磁性层提供纵向偏移磁场的一对偏移磁场施加层，所说磁性基底层与所说偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距在±0.5％的允许范围内而实质上相吻合。此外，本专利技术作为一种以具备具有磁阻效应膜的磁阻效应元件而成的薄膜磁头，所说磁阻效应膜是，具有非磁性层、形成于非磁性层的一个面上的强磁性层、形成于非磁性层的另一个面上的软磁性层、为了钉扎所说强磁性层的磁化朝向而与强磁性层的单面(与非磁性层接触的面的相反一侧的面)接触而形成的钉扎层的多层膜，在所说磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部，中间隔着磁性基底层设置有用来向软磁性层提供纵向偏移磁场的一对偏移磁场施加层，所说磁性基底层，具有六面体立方晶系晶体结构，其等直径的晶格常数用a表示，所说偏移磁场施加层，具有六方柱六方晶系晶体结构，其六边形平面内的晶格常数用b表示、且六方柱高度方向上的晶格常数用c表示，将 的值与 的值之比设定在0.995～1.005的范围内，以使得所说磁性基底层与所说偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合。此外，作为本专利技术一最佳实施形式，所说偏移磁场施加层，由以Co为主成分的Co类硬磁性层构成，所说磁性基底层，以FeCo为主成分，并相对于该主成分，含有从Mo、W、Ni、Cr、Nb、Ta、V、Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、Au组群之中选择的至少一种以上地构成。此外，作为本专利技术一最佳实施形式，所说Co类硬磁性层，由CoPt、CoCrPt、CoCrTa、或者、含有它们的合金构成。此外，作为本专利技术一最佳实施形式，所说磁性基底层，由FeCoMo构成，Mo的含量为5～15at％。此外，作为本专利技术一最佳实施形式，所说磁性基底层，由FeCoW构成，W的含量为3～10at％。此外，作为本专利技术一最佳实施形式，所说磁性基底层的厚度为1.2～5.5nm。此外，本专利技术的磁头万向架组件，以具有，包括所说薄膜磁头的、与记录介质对置地设置的滑片，以及，对所说滑片以弹性方式进行支持的悬架，而构成。此外，本专利技术的硬盘装置，以具有，包括所说薄膜磁头的、与受到驱动而旋转的圆盘状的记录介质对置地设置的滑片，以及，对所说滑片进行支持并使之相对于所说记录介质定位的定位装置，而构成。本专利技术中，在磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部，配置有通过磁性基底层而用来向软磁性层提供纵向偏移磁场的一对偏移磁场施加层，所说磁性基底层与所说偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。附图说明图1是对本专利技术实施形式的再生磁头的主要部分进行展示的俯视图。图2是图1的A-A向剖视图。图3是图1的B-B线剖视图。图4是对六面体立方晶系的晶体结构进行展示的示意立体图。图5是用来对横跨4个晶格的、一个边的长度为 的正方形的面S1(用斜面表示)进行说明的立体图。图6是对六方柱六方晶系晶体结构进行展示的示意立体图。图7是用来对六方柱六方晶系的用斜线表示的约为正方形的面S2(用斜面表示)进行说明的立体图。图8是用来对钉扎层设置在顶部的、所谓钉扎层顶置型自旋阀膜的构成进行说明的剖视图。图9是用来对本专利技术一最佳实施形式所涉及的薄膜磁头的构成进行说明的附图，示出垂直于薄膜磁头的空气轴承面和基片的剖面。图10是用来对本专利技术一最佳实施形式所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜磁头，具备包括磁阻效应膜的磁阻效应元件而成，其特征是，所说磁阻效应膜是包含下述层的多层膜：非磁性层，形成于非磁性层的一个面上的强磁性层，形成于非磁性层的另一个面上的软磁性层，为了钉扎所说强磁性层的磁化朝向而与强磁性层的单面（ 与非磁性层相接触的面之相反一侧的面）相接触地形成的钉扎层，在所说磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，所说磁性基底层与所说偏移磁场施加层二 者相重合的面上的彼此的晶格结点间距在±０．５％的允许范围内而实质上相吻合。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-30 186388/031.一种薄膜磁头，具备包括磁阻效应膜的磁阻效应元件而成，其特征是，所说磁阻效应膜是包含下述层的多层膜非磁性层，形成于非磁性层的一个面上的强磁性层，形成于非磁性层的另一个面上的软磁性层，为了钉扎所说强磁性层的磁化朝向而与强磁性层的单面(与非磁性层相接触的面之相反一侧的面)相接触地形成的钉扎层，在所说磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，所说磁性基底层与所说偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距在±0.5％的允许范围内而实质上相吻合。2.一种薄膜磁头，具备包括磁阻效应膜的磁阻效应元件而成，其特征是，所说磁阻效应膜是包含下述层的多层膜非磁性层，形成于非磁性层的一个面上的强磁性层，形成于非磁性层的另一个面上的软磁性层，为了钉扎所说强磁性层的磁化朝向而与强磁性层的单面(与非磁性层接触的面的相反一侧的面)接触而形成的钉扎层，在所说磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，所说磁性基底层，具有六面体立方晶系晶体结构，其等直径的晶格常数用a表示，所说偏移磁场施加层，具有六方柱六方晶系晶体结构，其六边形平面内的晶格常数用b表示、且六方柱高度方向上的晶格常数用c表示，将 的值与 的值之比设定在0.995～1.005的范围内，以使得所说磁性基底层与所说偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合。3.如权利要求1所说的薄膜磁头，其特征是，所说偏移磁场施加层，由以Co为主成分的Co类硬磁性层构成，所说磁性基底层，以FeCo为主成分，并相对于该主成分，含有从Mo、W、Ni、Cr、Nb、Ta、V、Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、Au组群之中选择的至少一种以上地构成。4.如权利要求2所说的薄膜磁头，其特征是，所说偏移磁场施加层，由以Co为主成分的Co类硬磁性层构成，所说磁性基底层，以FeCo为主成分，并相对于该主成分，含有从Mo、W、Ni、Cr、Nb、Ta、V、Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、Au组群之中选择的至少一种以上地构成。5.如权利要求3所说的薄膜磁头，其特征是，所说Co类硬磁性层是CoPt、CoCrPt、CoCrTa、或者、含有它们的合金。6.如权利要求4所说的薄膜磁头，其特征是，所说Co类硬磁性层是CoPt、CoCrPt、CoCrTa、或者、含有它们的合金。7.如权利要求5所说的薄膜磁头，其特征是，所说磁性基底层由FeCoMo构成，Mo的含量为5～15at％。8.如权利要求6所说的薄膜磁头，其特征是，所说磁性基底层由FeCoMo构成，Mo的含量为5～15at％。9.如权利要求5所说的薄膜磁头，其特征是，所说磁性基底层由FeCoW构成，W的含量为3～10at％。10.如权利要求6所说的薄膜磁头，其特征是，所说磁性基底层由FeCoW构成，W的含量为3～10at％。11.如权利要求1所说的薄膜磁头，其特征是，所说磁性基底层的厚度为1.2～5.5nm。12.一种磁头万向架组件，以具有，包括所说薄膜磁头的、与记录介质对置地配置的滑片，以及，对所说滑片以弹性方式进行支持的悬架，而构成，其特征是，所说薄膜磁头具备包括磁阻效应膜的磁阻效应元件，所说磁阻效应膜是包括下述层的多层膜非磁性层，形成于非磁性层的一个面...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水友晶，岛泽幸司，田中浩介，照沼幸一，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]