磁光记录介质制造技术

本发明专利技术公开了一种磁光记录介质，用于ＭＳＲ再现，其中，台面和沟槽的表面都用作记录轨道并具有高信号品质。在基片上的台面部分和沟槽部分通过经物镜施加激光束而都用作记录和再现轨道，沟槽部分的轨道宽度（Ｗｇ）和台面部分的轨道宽度（Ｗ１）之间的比率（Ｗｇ／Ｗ１）设定成不小于０．６５且不大于０．８５，此外，激光的波长为λ，物镜的数值孔径为ＮＡ，基片的折射率为ｎ，沟槽之间的间距（Ｇｐ）不小于１．０×λ／ＮＡ且不大于１．２×λ／ＮＡ，并且，沟槽的深度（Ｄ）不小于λ／１１ｎ且不大于λ／８ｎ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磁光记录介质，并尤其涉及一种台面和沟槽都用作记录和再现轨道的磁光记录介质。
技术介绍
可擦写和可读取的磁光记录介质(下面简称为光盘)广泛用作个人电脑的文件存储器并广泛用于存储音乐和图象数据。为了应付这些需求，已经研发并正在研发各种技术，用来增大记录容量。作为增大记录容量的方法，可以采用一种提高径向和圆周方向上的记录密度的方法。作为一种提高径向上的记录密度的方法，可采用台面-沟槽记录格式，其中，台面(平坦部分)和沟槽(开槽的部分)二者都用作记录轨道。尽管传统上仅台面和沟槽中的一个用作记录轨道，但是这个方法是台面和沟槽二者都用作记录轨道的方法，来提高记录密度。在台面-沟槽记录方法中，出现记录在相邻轨道上的信号之间的串扰的影响，即来自记录于邻近台面的沟槽上的信号的串扰或来自记录于邻近沟槽的台面上的信号的串扰，因此需要抑制串扰。此外，在台面-沟槽记录中，在从再现激光束的入射平面观察时，可以观察到具有凹陷表面的台面轨道和具有凸起表面的沟槽轨道之间的串扰特性存在差异。因此，在从台面泄漏到沟槽中的信号量与从沟槽泄漏到台面中的另一信号量有所不同，并且在目前条件下，不得不采取复杂的结构来对它们加以关注。此外，由于台面和沟槽作为记录轨道彼此紧密地定位，因此跳动现象更复杂。另一方面，作为一种提高圆周方向上的记录密度的方法，可采用磁感应超分辨技术(MSR)。MSR是一种这样的技术，其中，记录在记录层上并且小于光斑的记录信号利用磁性多层薄膜不同层之间的磁特性和温度特性以及由激光造成的磁性薄膜的温度分布予以读出。根据这种技术，可以按原样利用传统的光学系统，来实现非常高的增密作用(densification)。因此，从光盘的高增密作用的角度来看，通过将台面-沟槽与MSR相结合可以预期更高的增密作用。然而，在这种情况下，上面描述的串扰特性以及跳动特性也进一步复杂，通过结合MSR，使得协调各种参数来实现最佳的信号品质变得更加困难。本专利技术就是鉴于上述情形作出的，并且本专利技术的目的是通过将台面-沟槽与MSR相结合来提供一种磁光记录介质，该磁光记录介质具有台面-沟槽特性，利用该特性，可优化信号特性，从而实现高的记录增密作用。
技术实现思路
上述主题是由如下所述的根据本专利技术的磁光记录介质予以实现的。尤其是，根据本专利技术，在一种磁光记录介质中，基片上的台面和沟槽部分都用作记录和再现轨道，并且穿过物镜的激光照射在记录和再现轨道上来执行再现，这种磁光记录介质特征在于沟槽部分的轨道宽度(Wg)和台面部分的轨道宽度(Wl)之间的比率Wg/Wl等于或大于0.65，但等于或小于0.85，在此，激光的波长由λ表示，物镜的数值孔径由NA表示，而基片的折射率由n表示，沟槽间距Gp等于或大于1.0×λ/NA，但等于或小于1.2×λ/NA，并且除此之外，沟槽的深度D等于或大于λ/11n，但等于或小于λ/8n。具有如刚刚描述的这种结构的磁光记录介质，由于与台面和沟槽的两个表面相关的跳动和储备功率特性得到良好的平衡，因而呈现出良好的信号品质特性。此外，根据本专利技术，上述磁光记录介质特征在于利用磁感应超分辨技术(MSR)来进行再现。由于提供良好信号品质特性的台面及沟槽特性与MSR相结合，因此，可以进一步提高光盘记录介质的高增密作用。此外，根据本专利技术，上述磁光记录介质特征在于基片沟槽的侧面的倾角等于或大于25°，但等于或小于40°，基片的台面表面和沟槽表面的轮廓算术平均偏差粗糙度(Ra)都等于或小于0.7nm，并且轮廓算术平均偏差粗糙度之间的差值等于或小于0.1nm。具有如刚刚描述的这种结构的磁光记录介质，由于与台面和沟槽的两个表面相关的跳动和储备功率特性得到更好的平衡，因而呈现出更优的信号品质特性。此外，根据本专利技术上述磁光记录介质特征在于磁光记录介质包括多层的磁性薄膜层，其中依次层叠了第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层，第一磁性层在室温下具有垂直方向的磁各向异性，第二磁性层在室温下具有面内磁各向异性，而第三磁性层在室温下具有垂直方向的磁各向异性。具有如刚刚描述的这种结构的磁光记录介质适用于MSR，并具有良好的信号品质特性。附图说明图1是根据本专利技术的磁光记录介质的示例的局部切除的透视图；图2是根据本专利技术的磁光记录介质的示例的示意性剖面图；图3是根据本专利技术的磁光记录介质的透明盘基的示意性局部剖面图；图4是通过双屏蔽RAD(double mask RAD)方法的磁感应超分辨技术进行信号再现的示意图，其中图4(a)是从再现光照射一侧看到的再现时的状态的平面图，而图4(b)是在形成记录层的不同层进行再现时的磁化状态的示意图；图5是示出储备功率特性和比率Wg/Wl之间的关系的曲线；图6是跳动下限值(bottom value)与比率Wg/Wl之间的关系曲线。具体实施例方式本专利技术的磁光记录介质(下面简称为光盘)构造成沟槽和台面二者都作为记录轨道设置在基片上，并且激光从后表面侧照射在基片上，以进行记录和再现。下面，参照附图描述本专利技术的光盘的示例。然而，本专利技术的光盘不局限于某个实施例或工作示例。尤其是，本专利技术的光盘可以应用于任何沟槽和台面作为记录轨道形成在基片上的光盘。图1是根据本专利技术的磁光记录介质1(下面简称为光盘1)的局部切除的透视图。本专利技术的光盘1允许多次进行记录信号的记录和再现，并且，例如，容纳在盘盒(未示出)中，并可取下地装载到记录和再现设备(未示出)内。图2是根据本专利技术的光信息记录介质的示例的示意性剖面图。第一电介质层3、磁性层4、第二电介质层5和反射层6通过溅射的普通方法依次层叠在盘基2上，该盘基上形成有台面和沟槽形式的凹陷和凸起沟槽轨道，并且还提供了一保护层7，来保护光盘1。首先，盘基2的台面部分和沟槽部分的轨道宽度以如下方式设定。尤其是，当激光通过物镜照射以使用基片上的台面部分的沟槽部分二者作为记录和再现轨道时，沟槽部分的轨道宽度Wg和台面部分的轨道宽度Wl之间的比率Wg/Wl设定为0.65或更大，但为0.85或更小。在比率Wg/Wl小于0.65时，从台面部分向沟槽部分的串扰增大，并且沟槽部分的再现储备功率减小。如果比率Wg/Wl超过0.85，则从沟槽部分向台面部分的串扰增加，而台面部分的再现储备功率降低。这将在下面予以描述。盘基2的沟槽的深度D和沟槽间距Gp设定为在激光的波长由λ表示，物镜的数值孔径由NA表示，而基片的折射率由n表示时，沟槽间距Gp设定为等于或大于1.0×λ/NA，但等于或小于1.2×λ/NA，而沟槽的深度设定为等于或大于λ/11n，但等于或小于λ/8n。对于沟槽的深度D，如果它的值小于λ/11n，那么串扰增大并且出现地址凹坑不能被读取且不能够进行循轨的现象。另一方面，如果深度D超过λ/8n，那么在台面和沟槽之间出现光学特性即灵敏度的差异以及磁场特性的差异。如果出现光学特性的差异，那么台面和沟槽之间的激光功率设定值的差变大，而在这种情况下，系统的构造变得更困难。同时，对于沟槽间距Gp，随着它的值减小，串扰增大。另一方面，如果该值设定为较大的值，那么不利的是高的增密作用不能实现。在本实施例中，已经观察到通过将沟槽的深度和沟槽间距设定在上面指定的各自范围内，可以实现优化。在本实施例中，盘基2的沟槽间距Gp设定为1.34μm，而沟槽的深度设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光记录介质，其中，基片上的台面部分和沟槽部分二者都用作记录和再现轨道，激光在穿过物镜后照射在记录和再现轨道上，来进行再现，其特征在于：沟槽部分的轨道宽度（Ｗｇ）和台面部分的轨道宽度（Ｗ１）之间的比率（Ｗｇ／Ｗ１）等于或大于０． ６５，但等于或小于０．８５，并且在激光的波长由λ表示，物镜的数值孔径由ＮＡ表示，而基片的折射率由ｎ表示的情况下，沟槽间距（Ｇｐ）等于或大于１．０×λ／ＮＡ，但等于或小于１．２×λ／ＮＡ，除此之外，沟槽的深度（Ｄ）等于或大于λ／１１ｎ ，但等于或小于λ／８ｎ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-10-9 311254/20011.一种磁光记录介质，其中，基片上的台面部分和沟槽部分二者都用作记录和再现轨道，激光在穿过物镜后照射在记录和再现轨道上，来进行再现，其特征在于沟槽部分的轨道宽度(Wg)和台面部分的轨道宽度(Wl)之间的比率(Wg/Wl)等于或大于0.65，但等于或小于0.85，并且在激光的波长由λ表示，物镜的数值孔径由NA表示，而基片的折射率由n表示的情况下，沟槽间距(Gp)等于或大于1.0×λ/NA，但等于或小于1.2×λ/NA，除此之外，沟槽的深度(D)等于或大于λ/11n，但等于或小于λ/8n。2.如权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于，利用磁感应超分辨技术进行再现。3.如权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于，基片沟槽的侧面的倾角等于或大于25°，但等于或小于40°，基片的台面表面和沟槽表面的轮廓算术平均偏差粗糙度(Ra)等于或小于0.7nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田丰，中山比吕史，竹内厚，有马光雄，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]