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信息存储材料制造技术

技术编号:3061299 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种信息存储材料,包括基板,其特征是,所述基板上设置有金属有机络合物薄膜。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种材料,更具体的说,是涉及用于信息存储的材料。
技术介绍
近年来, 由于光盘的信息存贮密度大,越来越受到人们的喜爱。但现在已有商品的磁光型光盘在‘写入和“擦除”时都需要同时加光照和磁场,因此设备比较复杂。而其他型式的光盘目前尚未达到商品水平。目前,光致变色光盘由于可在同一点上用不同波长的光作多重记录成为发展方向。但现有的材料的光致变色光盘循环次数少,写入和擦除时间长,不适应人们的需要。
技术实现思路
本专利技术是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种既有良好的非线性光学特性,又有优良的光致变色特性,写入和擦除的循环次数多,写入和擦除时间短的信息存储材料。本专利技术通过下述技术方案实现一种信息存储材料,包括基板,所述基板上设置有金属有机络合物薄膜;所述基板为玻璃或其他透明度好的材料。所述金属有机络合物为金属与有机物四氰基对醒基二甲烷的络合物;所述金属与四氰基对醒基二甲烷的摩尔比为0.3-0.6;所述金属为钾、钠、铜、银中的任一种。本专利技术具有下述有益效果用本专利技术的材料制备的光盘,具有优良的可逆的光致变色特性和非线性的电学特性,写入和擦除的循环次数多,写入和擦除时间短,实用性强。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。金属和有机物四氰基对醒基二甲烷的络合物具有优良的可逆的光致变色特性和非线性的电学特性,特别适宜于作为光信息存贮的可擦式光盘。基板可以使用玻璃或其他透明度好的材料。实施例1采用玻璃作为基板,取金属为Ag,δ为0.6,用交替方式生成Ag层和四氰基对醒基二甲烷层,通过热处理使之发生固相反应,生成Ag与有机物四氰基对醒基二甲烷的络合物薄膜,其厚度为200纳米,再镀上Al层,即可制得光盘材料。用激光读-写—擦试验的循环次数1200次以上,写入时间为200纳秒,擦除时间为10微秒左右。实施例2采用玻璃作为基板,取金属为Cu,δ为0.5,用交替方式生成Cu层和四氰基对醒基二甲烷层,通过热处理使之发生固相反应,生成Cu与有机物四氰基对醒基二甲烷的络合物薄膜,其厚度为200纳米,再镀上Al层,即可制得光盘材料。用激光读-写—擦试验的循环次数1000次以上,写入时间为220纳秒,擦除时间为10微秒左右。实施例3采用石英作为基板,取金属为K,δ为0.3,用交替方式生成K层和四氰基对醒基二甲烷层,通过热处理使之发生固相反应,生成K与有机物四氰基对醒基二甲烷的络合物薄膜,其厚度为200纳米,再镀上Al层,即可制得光盘材料。用激光读-写—擦试验的循环次数1500次以上,写入时间为200纳秒。擦除时间为10微秒左右。实施例4采用作为基板,取金属为Na,δ为0.4,用交替方式生成Na层和四氰基对醒基二甲烷层,通过热处理使之发生固相反应,生成Na与有机物四氰基对醒基二甲烷的络合物薄膜,其厚度为200纳米,再镀上Al层,即可制得光盘材料。用激光读-写—擦试验的循环次数1200次以上,写入时间为200纳秒。擦除时间为10微秒左右。尽管参照实施例对所公开的涉及一种信息存储材料进行了特别描述,本领域技术人员将能理解,在不偏离本专利技术的范围和精神的情况下,可以对它进行形式和细节的种种显而易见的修改。因此,以上描述的实施例是说明性的而不是限制性的,在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下,所有的变化和修改都在本专利技术的范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种信息存储材料,包括基板,其特征是,所述基板上设置有金属有机络合物薄膜。2.根据权利要求1所述的信息存储材料,其特征是,所述基板为玻璃或其他透明度好的材料。3.根据权利要求1或2所述的信息存储材料,其特征是,所述金属有机络合...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘丹
申请(专利权)人:刘丹
类型:发明
国别省市:

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