有高熔点记录层的记录媒体、其信息记录法、及复制装置和方法制造方法及图纸

提供一种简单－结构的无掩模层记录媒体和信息记录和复制方法，它们解决在复制过程中产生的相关热稳定性问题。记录媒体包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。在记录媒体上记录信息的方法，包括激光束照射到记录媒体上以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。通过上述方法，复制记录在这种超分辨率近场记录媒体上信息的方法，包括利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以复制记录在记录层中的信息，不管所使用激光衍射极限。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记录媒体、特别是，涉及一种具有高熔点记录层的记录媒体、其信息记录方法、和由此用于复制信息的装置和方法。
技术介绍
常规的记录媒体可分为磁-光记录媒体或相变记录媒体。在诸如小型软磁盘(MDs)的磁-光记录媒体中，通过检测从依靠磁膜的磁力和磁化方向的磁膜所反射的直线偏振光的旋度来阅读信息。反射光的旋度称为“Kerr效应”。在诸如数字多能光盘(DVDs)的相变记录媒体中，信息阅读是基于因在记录媒体的无定形记录区域和晶状非记录区域之间的光学常数的不同吸收系数而导致的反射率差异。最近，如在相位变化法中，已经提出许多种使用微小标记(凹坑)记录信息和不管衍射极限而从记录媒体复制信息的方法。这些方法中最令人感兴趣的一种是使用超分辨率近场结构的记录方法，它公开于Applied PhysicsLetters(第73卷，第15期1998年10月)和日本的Journal of Applied Physics(第39卷，第I部分，第2B期，2000年，第980-981页)中。超分辨率近场结构利用在其专门掩模层中产生的局部表面等离子体振子(plasmon)以复制信息。超分辨率近场结构分为锑(Sb)传输型或氧化银分解型，锑传输型具有在从记录媒体复制信息时通过激光照射变成透明的锑掩模层，氧化银分解型具有分解成氧气和银的氧化银(AgOX)掩模层，它起引发局部等离子体振子的散射源作用。附图说明图1说明使用常规的超分辨率近场结构的记录媒体结构和其记录原理。如图1所述的这种结构称为“单掩蔽的超分辨率近场结构”。如图1所示，该记录媒体包括由介电材料例如ZnS-SiO2制造的第二介电层112-2、由例如GeSbTe制造的记录层115、由介电材料例如ZnS-SiO2或SiN制造的保护层114、由例如Sb或AgOX制造的掩模层113、由介电材料例如ZnS-SiO2或SiN制造的第一介电层112-1和透明的聚碳酸酯层111，这些层彼此顺序叠层。当掩模层113由Sb制造时，SiN用于保护层114和第一介电层112-1。当掩模层113由AgOX制造时，ZnS-SiO2用于保护层114和第一介电层112-1。当复制信息时，保护层114防止在记录层115和掩模层113之间的反应并且成为作用在近场的地点。当复制信息时，掩模层113的锑变成透明，并且掩模层113的AgOX分解成氧气和银，它起引发局部等离子体振子的散射源的作用。用从激光源118射出的约10-15毫瓦的激光束通过聚焦透镜118照射记录媒体以加热记录层115到600℃以上，以致使该记录层115的激光照射区域成为无定形，并且不管光学常数(n，k)的折射指数n的变化均具有较小吸收系数k。在Sb或AgOX掩模层113的照射区域中，Sb的晶体结构改变或准可逆的AgOX分解，产生作为指向记录层115的区域的近场结构的探头。结果是，有可能作为尺寸比所使用激光的衍射极限更小的微标记来复制记录在记录媒体中的信息。因此，不管所使用激光的衍射极限，均可以使用这种超分辨率近场结构复制记录在高密度记录媒体中的信息。图2说明使用另一个超分辨率近场结构的记录媒体结构和其记录原理。如图2说明的这种具有两个掩模层的结构被称为“双重掩蔽的超分辨率近场结构”，并且与单一掩蔽的超分辨率近场结构相比具有改善的性能。如图2所示，该记录媒体包括由介电材料例如ZnS-SiO2制造的第二介电层112-2，由例如Sb或AgOX制造的第二掩模层123-2，由介电材料例如ZnS-SiO2或SiN制造的第二保护层124-2，由例如GeSbTe制造的记录层125，由介电材料ZnS-SiO2或SiN制造的第一保护层124-1，由Sb或AgOX制造的第一掩模层123-1，由介电材料例如ZnS-SiO2或SiN制造的第一介电层122-1和透明的聚碳酸酯层121，这些层彼此顺序叠层。当第一和第二掩模层123-1和123-2由Sb制造时，SiN用于第一和第二保护层124-1和124-2和第一和第二介电层122-1和122-2。当第一和第二掩模层123-1和123-2由AgOX制造时，ZnS-SiO2用于第一和第二保护层124-1和124-2和第一和第二介电层122-1和122-2。第二掩模层123-2是用于在与激光照射侧面相对的记录媒体侧面上产生表面等离子体振子。第一和第二保护层124-1和124-2防止记录层125和相关的第一和第二掩模层123-1和123-2之间的反应。特别是，当复制信息时，第一保护层124-1起近场的作用。当复制信息时，第一和第二掩模层123-1和123-2的Sb成为透明，并且第一和第二掩模层123-1和123-2的AgOX分解成氧和银，它起引发局部等离子体振子的散射源的作用。用从激光源117射出的约10-15毫瓦的激光束通过聚焦透镜118照射记录媒体以加热记录层125到600℃以上，以致使该记录层125的激光照射区域成为无定形并且不管光学常数(n，k)的折射指数n的变化均具有较小吸收系数k。在由Sb或AgOX制成的第一和第二掩模层123-1和123-2的照射区域中，Sb的晶体结构改变或准可逆的AgOX分解，产生作为指向记录层125的区域的近场结构的探头。结果是，有可能作为尺寸比所使用的激光衍射极限更小的微标记来复制记录在记录媒体中的信息。因此，不管所使用的激光衍射极限，均可使用这种超分辨率近场结构复制记录在高密度记录媒体中的信息。然而，在具有这类超分辨率近场结构的记录媒体中，由于它们的掩模层和记录层具有相似的转变温度，在信息复制过程中，认为确保掩模层和记录层二者的热稳定性是重要的。这些问题的可能解决方案包括降低掩模层的转变温度并且升高记录层的转变温度。然而，由于构成这两层的材料的性能，不易于在掩模层和记录层之间的转变温度中引发较大差异。
技术实现思路
本专利技术提供一种简单结构的无掩模层的记录媒体、该记录媒体具有高熔点记录层、其信息记录方法和由该记录媒体制的用于复制信息的装置和方法。根据本专利技术的一个目的，如在权利要求1中所引用的，提供一种包含在第一和第二介电层之间具有高熔点记录层的记录媒体。根据本专利技术的另一个目的，如权利要求7所引用的，提供一种在第一和第二介电层之间具有高熔点记录层的记录媒体上记录信息的方法，该方法包括激光束照射到记录媒体上以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。根据本专利技术的另一个目的，如权利要求13所引用的，提供一种从在第一和第二介电层之间的具有高熔点记录层的记录媒体上复制信息的装置，该装置利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以利用超分辨率近场结构复制记录在记录层中的信息，不管所使用的激光衍射极限。根据本专利技术的另一个目的，如权利要求19所引用的，提供一种从在第一和第二介电层之间的具有高熔点记录层的记录媒体上复制信息的方法，该方法包括利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以利用超分辨率近场结构复制记录在记录层中的信息，不管所使用的激光衍射极限。根据上述记录媒体、信息记录方法和信息复制装置和方法的具体实施方案，高熔点的记录层可由钨(W)、钽(Ta)、钨化合物(W-x)或钽化合物(Ta-x)形成。可在第二介电层下面例如利用银(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记录媒体，包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。

【技术特征摘要】
JP 2002-5-16 141664/20021.一种记录媒体，包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。2.如权利要求1中的记录媒体，其中该高熔点的记录层由钨形成。3.如权利要求1中的记录媒体，其中该高熔点的记录层由钽形成。4.如权利要求1中的记录媒体，其中该高熔点的记录层由钨化合物形成。5.如权利要求1中的记录媒体，其中该高熔点的记录层由钽化合物形成。6.如权利要求1到5中的任一个记录媒体，进一步包括在第二介电层下面的反射层。7.一种在第一和第二介电层之间具有高熔点记录层的记录媒体上记录信息的方法，该方法包括激光束照射到记录媒体上，以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。8.如权利要求7中的方法，其中该高熔点的记录层由钨形成。9.如权利要求7中的方法，其中该高熔点的记录层由钽形成。10.如权利要求7中的方法，其中该高熔点的记录层由钨化合物形成。11.如权利要求7中的方法，其中该高熔点的记录层由钽化合物形成。12.如权利要求7到11中的任一个方法，其中记录媒体进一步包括在第二介电层下面的反射层。13.一种从在第一和第二介电层之间具有高熔点记录层的记录媒体上复制信息的装置，该装置利用...

【专利技术属性】
技术研发人员：金朱镐，富永淳二，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，独立行政法人产业技术总合研究所，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]