【技术实现步骤摘要】
本专利技术基本上涉及垂直磁记录介质、磁存储器和垂直磁记录介质的制备方法,特别涉及在衬底和记录层之间具有限制磁通的层的垂直磁记录介质。
技术介绍
最近几年,由于记录电影的需要,用在个人计算机或家用影片记录器中的磁存储器一般具有100GB或更大的存储容量。此外,预计将来对大的存储容量和磁盘存储器的降低成本的需求将变得更为强劲。对于目前市场上的磁盘存储器所使用的面内磁记录技术,一般认为表面记录密度200GB/inch2是使用该传统技术可实现的最大记录密度。作为可以突破该技术限制的磁记录技术,由于垂直磁记录技术可以减小磁记录层的磁化形成的退磁场的影响的特性,垂直磁记录技术再次受到关注。使用垂直磁记录技术,预计可以达到1TB/inch2或者更高的记录密度。然而,使用垂直磁记录技术具有下面给出的需要注意的几个问题。首先,随着磁道宽度的减小,磁头磁极上的磁心宽度减小,从而磁头产生的记录磁场也随之减弱。其次,在磁记录时,磁通有横向波及位于磁头磁极下方的磁记录介质的趋势,从而产生所谓侧边抹去或侧边写入的问题,其中,附近磁道的信息被抹去。第三、随着线记录密度的增大,记录层的介质噪声也随之增大,其中介质噪声的增大是磁化过度区形成噪声(过度噪声)的主要原因。第四、难以控制磁心宽度以及记录头和重放头(reproducing head)的磁极的位置。特别是,上述第二个问题在所谓的双层垂直磁记录介质上尤其明显,这种双层垂直磁记录介质在衬底和记录层之间具有一个软磁性衬层(softmagnetic backing layer)。应当关注的是,这种双层垂直磁记录介质被认为是能够实现高密度 ...
【技术保护点】
一种垂直磁记录介质,其具有记录层,该记录层包括通过磁头记录信息的磁道区,和分隔所述磁道区和相邻磁道区的内磁道区,其中,该相邻磁道区的位置在所述磁道区的宽度方向上偏离于所述磁道区,所述磁道区和所述内磁道区磁性地形成在所述磁记录层中,所述磁记录介质包括:衬底;形成在所述衬底上的软磁性衬层;形成在所述软磁性衬层上的磁通限制层;形成在所述磁通限制层上的中间层;以及形成在所述中间层上的垂直磁化膜的记录层;其中,所述磁通限制部分由多个软磁部 分和非磁性部分组成,其中每个该软磁部分沿所述多个磁道区的一个磁道区形成,该非磁性部分形成于所述磁道区和相邻磁道区之间;所述中间层由非磁性材料组成,并形成为覆盖所述软磁部分和所述非磁性部分的表面。
【技术特征摘要】
JP 2004-4-14 2004-1192731.一种垂直磁记录介质,其具有记录层,该记录层包括通过磁头记录信息的磁道区,和分隔所述磁道区和相邻磁道区的内磁道区,其中,该相邻磁道区的位置在所述磁道区的宽度方向上偏离于所述磁道区,所述磁道区和所述内磁道区磁性地形成在所述磁记录层中,所述磁记录介质包括衬底;形成在所述衬底上的软磁性衬层;形成在所述软磁性衬层上的磁通限制层;形成在所述磁通限制层上的中间层;以及形成在所述中间层上的垂直磁化膜的记录层;其中,所述磁通限制部分由多个软磁部分和非磁性部分组成,其中每个该软磁部分沿所述多个磁道区的一个磁道区形成,该非磁性部分形成于所述磁道区和相邻磁道区之间;所述中间层由非磁性材料组成,并形成为覆盖所述软磁部分和所述非磁性部分的表面。2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其中,所述垂直磁记录介质是磁盘,以及其中,所述软磁部分和所述非磁性部分分别形成为同心的图案,该同心的图案具有基本上与所述磁盘的中心重合的中心,所述软磁部分和所述非磁性部分交替分布在所述磁盘的径向上。3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其中,所述中间层由选自由SiO2、Al2O3、TiO2、TiC、C和氢化碳组成的组中的材料形成。4.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其中,所述中间层由无定形材料的种子层、软磁材料的底层和非磁性金属中间层组成,其中,该非磁性金属中间层由选自由Co、Cr、Ru、Re、Ri、Hf和它们的合金组成的组中的材料形成。5.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其中,所述磁通限制层的所述非磁性部分由树脂材料组成。6.如权利要求5所述的垂直磁记录介质,其中,所述树脂材料由任何热塑树脂材料和感光树脂材料形成。7.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其中,所述磁通限制层的所述软磁部分由软磁材料组成,其中,该软磁材料具有比形成所述软磁性衬层的软磁材料更高的的磁导率。8.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其中,所述软磁部分具有在能跨过多个磁道的方向上截取的横向尺寸,以使在所述软磁部分的下表面的所述横向尺寸小于所述软磁部分的上表面的所述横向尺寸。9.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,还包括在所述软磁性衬层和所述磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:杉本利夫,涡卷拓也,田中厚志,
申请(专利权)人:富士通株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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