一种硅片支撑装置及化学槽制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅片支撑装置及化学槽，涉及硅片制造技术领域。硅片支撑装置包括相对设置的两个支撑导轨和设置在两个支撑导轨之间的升降导轨，两个支撑导轨的支撑面相对设置，支撑面上设有支撑槽，支撑槽的槽底呈弧形，支撑槽的槽底包裹硅片的边缘以对硅片进行支撑，升降导轨驱动硅片升降或在硅片承载于支撑槽内的状态下与硅片分离。上述硅片支撑装置的支撑导轨与硅片的接触较为紧密，有效减少了硅片在加工过程中的摆动，进而减少了硅片的损伤，也减少了硅片损伤对支撑导轨的损坏，另外，上述硅片支撑装置的升降导轨能够与硅片分离，减少了因硅片损伤造成的升降导轨的损坏。减少了因硅片损伤造成的升降导轨的损坏。减少了因硅片损伤造成的升降导轨的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片支撑装置及化学槽


[0001]本技术涉及硅片制造
，具体而言，涉及一种硅片支撑装置及化学槽。

技术介绍

[0002]在半导体湿式工艺中，通常将硅片置于化学槽内，利用120～160
°
的化学药液来去除硅片表面多余的氧化硅薄膜及拔除光刻胶。现有的用于湿式工艺的化学槽内通常使用直线支撑导轨在硅片的二分之一处进行支撑，并在硅片的边缘采用硅片升降导轨对硅片进行升降，使硅片在化学槽内上下运动。
[0003]但是，现有的直线支撑导轨与硅片的接触不够紧密，在湿式工艺中硅片会发生的摆动，进而造成硅片的损伤。另外，湿式工艺中硅片都是在高温酸性环境内加工，高温酸性环境会对硅片造成一定的损伤，且在硅片进行多道工艺的过程中，也会造成硅片内伤甚至破片，硅片的损伤会导致直线支撑导轨及硅片升降导轨的损坏。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种硅片支撑装置及化学槽，以解决现有技术中，硅片在湿式工艺中易损坏支撑导轨和升降导轨的技术问题。
[0005]本技术的实施例是这样实现的：
[0006]本技术实施例的一方面，提供一种硅片支撑装置，包括相对设置的两个支撑导轨和设置在两个支撑导轨之间的升降导轨，两个支撑导轨的支撑面相对设置，支撑面上设有支撑槽，支撑槽的槽底呈弧形，支撑槽的槽底包裹硅片的边缘以对硅片进行支撑，升降导轨驱动硅片升降或在硅片承载于支撑槽内的状态下与硅片分离。
[0007]可选地，上述支撑槽为多个，多个支撑槽沿支撑导轨的延伸方向平行设置。
[0008]可选地，上述升降导轨的延伸方向与支撑导轨的延伸方向相同且升降导轨的长度大于或等于支撑导轨的长度。
[0009]可选地，上述升降导轨朝向支撑导轨的表面设有升降槽，升降槽与支撑槽对应设置。
[0010]可选地，上述升降槽的槽底呈V形，升降槽的槽底的两个斜面同时与硅片的边缘相切。
[0011]可选地，上述两个斜面之间的夹角为90
°
～120
°
。
[0012]可选地，上述升降槽的槽底呈圆弧形，升降槽的槽底包裹硅片的边缘。
[0013]可选地，上述升降槽的槽底的直径等于硅片的直径。
[0014]可选地，上述支撑槽的宽度与硅片的厚度相同。
[0015]本技术实施例的另一方面，提供一种化学槽，包括槽体和设置在槽体内部的上述的硅片支撑装置，硅片支撑装置的两个支撑导轨分别与槽体的两个侧壁连接。
[0016]本技术实施例的有益效果包括：
[0017]本技术实施例提供的硅片支撑装置包括相对设置的两个支撑导轨和设置在
两个支撑导轨之间的升降导轨，两个支撑导轨的支撑面相对设置，支撑面上设有支撑槽，支撑槽的槽底呈弧形，支撑槽的槽底包裹硅片的边缘以对硅片进行支撑，升降导轨驱动硅片升降或在硅片承载于支撑槽内的状态下与硅片分离。两个支撑导轨相对设置，两者的支撑面相互靠近，支撑面上设置有支撑槽，支撑槽用于容纳硅片。支撑槽的槽底与硅片的边缘接触，对硅片进行支撑，支撑槽相对的两个侧壁则与硅片的表面接触，以防止硅片倾斜。支撑槽的槽底呈弧形，弧形的槽底与硅片的边缘相贴合，提高了槽底与硅片之间接触的紧密性，同时，增大了槽底与硅片之间的接触面积，使得槽底对硅片的支撑更加稳定，仅靠两个支撑导轨即可对硅片进行支撑，且不会造成硅片的摆动，无需其他机构进行辅助。升降导轨设置在两个支撑导轨之间，并可沿两个支撑导轨之间上下移动以靠近或远离硅片。当硅片承载于支撑槽内时，升降导轨下降，与硅片分离，避免硅片的损伤对升降导轨造成损坏。当需要将硅片托起使其离开支撑导轨时，升降导轨上升，对硅片进行托举。上述硅片支撑装置的支撑导轨与硅片的接触较为紧密，有效减少了硅片在加工过程中的摆动，进而减少了硅片的损伤，也减少了硅片损伤对支撑导轨的损坏，另外，上述硅片支撑装置的升降导轨能够与硅片分离，减少了因硅片损伤造成的升降导轨的损坏。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为现有技术中硅片固定和移动装置的结构示意图之一；
[0020]图2为现有技术中硅片固定和移动装置的结构示意图之二；
[0021]图3为本技术实施例提供的硅片支撑装置的结构示意图之一；
[0022]图4为本技术实施例提供的硅片支撑装置中支撑导轨的结构示意图；
[0023]图5为图4中A
‑
A的剖视图；
[0024]图6为本技术实施例提供的硅片支撑装置中升降导轨的结构示意图；
[0025]图7为本技术实施例提供的硅片支撑装置的结构示意图之二；
[0026]图8为本技术实施例提供的化学槽的结构示意图。
[0027]图标：10
‑
硅片固定和移动装置；11
‑
直线支撑导轨；12
‑
硅片升降导轨；20
‑
硅片支撑装置；21
‑
支撑导轨；211
‑
支撑面；212
‑
支撑槽；22
‑
升降导轨；221
‑
升降槽；30
‑
化学槽；31
‑
槽体；40
‑
硅片。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人
员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0030]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片支撑装置，其特征在于，包括相对设置的两个支撑导轨和设置在两个所述支撑导轨之间的升降导轨，两个所述支撑导轨的支撑面相对设置，所述支撑面上设有支撑槽，所述支撑槽的槽底呈弧形，所述支撑槽的槽底包裹硅片的边缘以对所述硅片进行支撑，所述升降导轨驱动所述硅片升降或在所述硅片承载于所述支撑槽内的状态下与所述硅片分离。2.根据权利要求1所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述支撑槽为多个，多个所述支撑槽沿所述支撑导轨的延伸方向平行设置。3.根据权利要求2所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述升降导轨的延伸方向与所述支撑导轨的延伸方向相同且所述升降导轨的长度大于或等于所述支撑导轨的长度。4.根据权利要求2所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述升降导轨朝向所述支撑导轨的表面设有升降槽，所述升降槽与所述支撑槽对应设置。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东铭，许忠晖，陈嘉勇，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：新型
国别省市：