一种数控可变电阻优化电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种数控可变电阻优化电路，包括NTC模拟口P1、稳压器LDO1、MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14、MOS管Q15、MOS管Q16、MOS管Q17、MOS管Q18、MOS管Q19、MOS管Q20、MOS管Q21、MOS管Q22、MOS管Q23、MOS管Q24、单片机MCU，本实用新型专利技术大大简化了电路，使用器件变少，更利于使用成本低的单片机，成本低，体积小。体积小。体积小。

【技术实现步骤摘要】
一种数控可变电阻优化电路


[0001]本技术涉及一种数控可变电阻优化电路。

技术介绍

[0002]随着社会的进步和发展，仓储、家庭、出行等方面的智能化，可移动的消费类电子产品的多元化，电池作为清洁能源的提供者，使其越来越受到广大消费者的追捧和青睐，成为电子产品不可或缺的一部分。在应用过程中，电池作为能源的输出端，通过一定条件的充电、放电、高温成组存储、低温成组存储测等测试项目，考量电芯的性能是否符合使用条件，提高应用中的安全、运行系数，在长期的使用过程当中，帮助电池降低使用过程中故障率，为用户在使用过程中，提供更为安心的服务，提高用户认可度，成为一项非常有意义的研究课题。在测试BMS保护板或者其他带NTC系统时，需要验证NTC温度采样，现有的的方法如图1所示，从图1看出有40路开关和MOS管成本较高，需要使用io口比较多的单片机。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是克服现有产品中的不足，提供一种数控可变电阻优化电路。
[0004]为了达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]一种数控可变电阻优化电路，包括NTC模拟口P1、稳压器LDO1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、电阻R36、电阻R37、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14、MOS管Q15、MOS管Q16、MOS管Q17、MOS管Q18、MOS管Q19、MOS管Q20、MOS管Q21、MOS管Q22、MOS管Q23、MOS管Q24、单片机MCU、电源VCC，所述稳压器LDO1的3管脚连接电源VCC，所述稳压器LDO1的3管脚通过电容C1连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接地信号GND，所述稳压器LDO1的1管脚连接地信号GND，所述稳压器LDO1的2管脚连接电阻R25的一端，所述电阻R25的另一端通过电容C3连接地信号GND，所述电容C4与电容C3相并联，所述MOS管Q9的D极连接地信号GND，所述MOS管Q9的D极通过电阻R26连接MOS管Q9的S极，所述述MOS管Q9的G极、MOS管Q10的G极、MOS管Q11的G极、MOS管Q12的G极、MOS管Q13的G极、MOS管Q14的G极、MOS管Q15的G极、MOS管Q16的G极、MOS管Q17的G极、MOS管Q18的G极、MOS管Q19的G极、MOS管Q20的G极、MOS管Q21的G极、MOS管Q22的G极、MOS管Q23的G极、MOS管Q24的G极都连接单片机MCU，所述MOS管Q9的S极连接MOS管Q13的D极，所述MOS管Q13的D极通过电阻R30连接MOS管Q13的S极，所述MOS管Q13的S极连接MOS管Q17的D极，所述MOS管Q17的D极通过电阻R34连接MOS管Q17的S极，所述MOS管Q17的S极连接MOS管Q21的D极，所述MOS管Q21的D极通过电阻R38连接MOS管Q21的S极，所述MOS管Q21的S极连接MOS管Q10的D极，所述MOS管Q10的D极通过电阻R27连接MOS管Q10的S极，所述MOS管Q10的S极连接MOS管Q14的D极，所述MOS管Q14的D极通过电阻R31连接MOS管Q14的S极，所述MOS管Q14的S极连接MOS管Q18的D极，所述MOS管Q18的D极通过电阻R35连接MOS管Q18的S极，所述MOS管Q18的S极连接MOS管Q22的D极，所述MOS管Q22的D极通过电阻R39连接MOS管Q22的S
极，所述MOS管Q22的S极连接MOS管Q12的D极，所述MOS管Q12的D极通过电阻R29连接MOS管Q12的S极，所述MOS管Q12的S极连接MOS管Q16的D极，所述MOS管Q16的D极通过电阻R33连接MOS管Q16的S极，所述MOS管Q16的S极连接MOS管Q20的D极，所述MOS管Q20的D极通过电阻R37连接MOS管Q20的S极，所述MOS管Q20的S极连接MOS管Q24的D极，所述MOS管Q24的D极通过电阻R41连接MOS管Q24的S极，所述MOS管Q24的S极连接MOS管Q11的D极，所述MOS管Q11的D极通过电阻R28连接MOS管Q11的S极，所述MOS管Q11的S极连接MOS管Q15的D极，所述MOS管Q15的D极通过电阻R32连接MOS管Q15的S极，所述MOS管Q15的S极连接MOS管Q19的D极，所述MOS管Q19的D极通过电阻R36连接MOS管Q19的S极，所述MOS管Q19的S极连接MOS管Q23的D极，所述MOS管Q23的D极通过电阻R40连接MOS管Q23的S极，所述MOS管Q23的S极连接NTC模拟口P1的负极输入端IN
‑
，所述NTC模拟口P1的正极输入端IN+连接地信号GND。
[0006]作为优选，电源VCC由两个锂电池供电或者开关电源供电。
[0007]作为优选，电源VCC为5V。
[0008]作为优选，MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14、MOS管Q15、MOS管Q16、MOS管Q17、MOS管Q18、MOS管Q19、MOS管Q20、MOS管Q21、MOS管Q22、MOS管Q23、MOS管Q24都为N沟道MOS管。
[0009]作为优选，电阻R26为10K，所述电阻R27为1K，所述电阻R28为0.01K，所述电阻R29为0.1K，所述电阻R30为20K，所述电阻R31为2K，所述电阻R32为0.02K，所述电阻R33为0.2K，所述电阻R34为20K，所述电阻R35为2K，所述电阻R36为0.02K，所述电阻R37为0.2K，所述电阻R38为50K，所述电阻R39为5K，所述电阻R40为0.05K，所述电阻R41为0.5K。
[0010]本技术的有益效果如下：本技术不需要升压泵的数控NTC模拟电阻系统，本技术大大简化了电路，使用器件变少，更利于使用成本低的单片机，成本低，体积小。
附图说明
[0011]图1为
技术介绍
的电路原理图；
[0012]图2为本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0013]下面结合说明书附图对本技术的技术方案作进一步说明：
[0014]如图2所示，一种数控可变电阻优化电路，包括NTC模拟口P1、稳压器LDO1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、电阻R36、电阻R37、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14、MOS管Q15、MOS管Q16、MOS管Q17、MOS管Q18、MOS管Q19本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数控可变电阻优化电路，其特征在于，包括NTC模拟口P1、稳压器LDO1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、电阻R36、电阻R37、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14、MOS管Q15、MOS管Q16、MOS管Q17、MOS管Q18、MOS管Q19、MOS管Q20、MOS管Q21、MOS管Q22、MOS管Q23、MOS管Q24、单片机MCU、电源VCC，所述稳压器LDO1的3管脚连接电源VCC，所述稳压器LDO1的3管脚通过电容C1连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接地信号GND，所述稳压器LDO1的1管脚连接地信号GND，所述稳压器LDO1的2管脚连接电阻R25的一端，所述电阻R25的另一端通过电容C3连接地信号GND，所述电容C4与电容C3相并联，所述MOS管Q9的D极连接地信号GND，所述MOS管Q9的D极通过电阻R26连接MOS管Q9的S极，所述MOS管Q9的G极、MOS管Q10的G极、MOS管Q11的G极、MOS管Q12的G极、MOS管Q13的G极、MOS管Q14的G极、MOS管Q15的G极、MOS管Q16的G极、MOS管Q17的G极、MOS管Q18的G极、MOS管Q19的G极、MOS管Q20的G极、MOS管Q21的G极、MOS管Q22的G极、MOS管Q23的G极、MOS管Q24的G极都连接单片机MCU，所述MOS管Q9的S极连接MOS管Q13的D极，所述MOS管Q13的D极通过电阻R30连接MOS管Q13 的S极，所述MOS管Q13的S极连接MOS管Q17的D极，所述MOS管Q17的D极通过电阻R34连接MOS管Q17的S极，所述MOS管Q17的S极连接MOS管Q21的D极，所述MOS管Q21的D极通过电阻R38连接MOS管Q21的S极，所述MOS管Q21的S极连接MOS管Q10的D极，所述MOS管Q10的D极通过电阻R27连接MOS管Q10的S极，所述MOS管Q10的S极连接MOS管Q14的D极，所述MOS管Q14的D极通过电阻R31连接MOS管Q14的S极，所述MOS管Q14的S极连接MOS管Q18的D极，所述MOS管Q18的D极通过电阻R35连接MOS管Q18的S极，所述MOS管Q18的S极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智声，
申请(专利权)人：福建飞毛腿动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：