【技术实现步骤摘要】
一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边及包边设备
[0001]本技术涉及石墨加工设备
,特别涉及一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边及包边设备。
技术介绍
[0002]散热石墨膜是一种很薄的GTS,综合性质的导热材料,又称为导热石墨膜,导热石墨片,石墨散热片等,为电子产品的薄型化发展提供了可能。
[0003]散热石墨膜具有良好的再加工性,可根据用途与PET等其他薄膜类材料复合或涂胶,这种材料有弹性,可裁切冲压成任意形状,可多次弯折;适用于将点热源转换为面热源的快速热传导,具有很高的导热性能,是由一种高度定向的石墨聚合物薄膜制成。
[0004]但是直接裁切冲压形成的石墨膜边缘没有被薄膜类材料覆盖,当石墨膜边缘受到冲击时,容易造成石墨膜结构损坏。
技术实现思路
[0005]本技术提供一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,以解决上述问题。
[0006]本技术提供一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,包括:石墨膜,所述石墨膜的上下两面分别覆盖有第一胶体,所述石墨膜和所述第一胶体周向边缘均包覆有U型结构的第二胶体,且所述第二胶体用于将所述第一胶体和所述石墨膜的两侧共同包裹在第二胶体的U型结构槽口内;
[0007]所述第一胶体周向边缘和所述石墨膜周向边缘重合。
[0008]一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,包括:石墨膜,所述石墨膜的周向边缘包裹有U型结构的第二胶体,所述第二胶体远离石墨膜的一侧分别压合有第一胶体;
[0009]所述第一胶体周向边缘和所述石墨膜周向 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,包括:石墨膜(1),所述石墨膜(1)的上下两面分别覆盖有第一胶体(2),所述石墨膜(1)和所述第一胶体(2)周向边缘均包覆有U型结构的第二胶体(3),且所述第二胶体(3)用于将所述第一胶体(2)和所述石墨膜(1)的周向边缘共同包裹在第二胶体(3)的U型结构槽口内;所述第一胶体(2)周向边缘和所述石墨膜(1)周向边缘重合。2.如权利要求1所述的一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,所述石墨膜(1)和所述第一胶体(2)的周向边缘和所述第二胶体(3)的U型结构内底面抵接。3.如权利要求1所述的一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,所述第一胶体(2)和所述第二胶体(3)为厚度均匀的层状结构,所述层状结构为粘合胶与塑料层,所述粘合胶用于将所述塑料层和石墨膜(1)粘接为一体。4.如权利要求1所述的一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,两个所述第二胶体(3)的两侧均压合有封闭层(34),所述第二胶体(3)的两个U型边分别压合于两侧所述第二胶体(3)和所述封闭层(34)之间。5.如权利要求1或2任一项所述的一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,所述第一胶体(2)包括依次靠近所述石墨膜(1)的抗菌膜(6)、疏水膜(7)以及除静电膜,所述除静电膜为PET 膜(8),所述PET膜(8)内间隔嵌设有多根第一导线丝(9),所述第一导线丝(9)为横竖相互交错的形成网状结构;所述网状结构的其中一侧连接有第二导线丝(10),所述第二导线丝(10)远离所述第一导线丝(9)一端露出所述PET膜(8)。6.如权利要求5所述的一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,所述抗菌膜(6)的厚度为2~8μm;所述疏水膜(7)的厚度为1~2μm;所述PET膜(8)的厚度为5~10μm。7.如权利要求5所述的一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,所述抗菌膜(6)向靠近所述疏水膜(7)一侧延伸有多个带条(11),所述带条(11)贯穿所述疏水膜(7)和所述除静电膜,相邻两个所述带条(11)远离所述抗菌膜(6)一端相互层叠连接。8.一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,包括:石墨膜(1),所述石墨膜(1)的周向边缘包裹有U型结构的第二胶体(3),所述第二胶体(3)远离石墨膜(1)的一侧分别压合有第一胶体(2);所述第一胶体(2)周向边缘和所述石墨膜(1)周向边缘重合。9.一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边设备,用于权利要求1
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8任一项所述的一种基于模切加工工艺的高功率石墨包边,其特征在于,包括支撑部(16),所述支撑部(16)上间隔设置有第一传动辊...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭志军,宋海峰,涂建军,王雷,宋晓晖,
申请(专利权)人:苏州鸿凌达电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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