一种环形硅坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供一种环形硅坩埚，包括硅坩埚本体，硅坩埚本体的中心部位开设有凹面齐平的凹槽，凹槽内设有硅片放置台。本实用新型专利技术将改进前原来的环形硅坩埚中心部位实心铜全部加工去除，形成凹面齐平的凹槽，凹槽内仅保留放硅环的部分，因此，二次电子就大大减少对其中心铜表面进行污染，粉尘不会蒸镀到产品表面形成镀膜点，产品做出的外观相对提高很大。产品做出的外观相对提高很大。产品做出的外观相对提高很大。

【技术实现步骤摘要】
一种环形硅坩埚


[0001]本技术涉及一种坩埚，具体为一种环形硅坩埚。

技术介绍

[0002]在镀膜机的镀膜过程中电子枪产生的二次电子会对环形硅坩埚中心部位进行二次打击，进而对环形硅坩埚造成污染，而当二次电子打击在坩埚中心位置时，会把这个位置的粉尘蒸镀到产品的表面形成镀膜点，进而影响产品的外观，因此，必须对环形硅坩埚进行改进。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种环形硅坩埚，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：一种环形硅坩埚，包括硅坩埚本体，所述硅坩埚本体的中心部位开设有凹面齐平的凹槽，所述凹槽内设有硅片放置台坩埚为铜质材料制成。
[0005]与现有技术相比，本技术所达到的有益效果是：本技术将改进前原来的环形硅坩埚中心部位实心铜全部加工去除，形成凹面齐平的凹槽，凹槽内仅保留放硅环的部分，因此，二次电子就大大减少对其中心铜表面进行污染，粉尘不会蒸镀到产品表面形成镀膜点，产品做出的外观相对提高很大。
附图说明
[0006]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分。在附图中：
[0007]图1是本技术改进后的俯视图；
[0008]图2是图1中A
‑
A处的剖面图；
[0009]图3是本技术改进前的俯视图；
[0010]图4是图3中B
‑
B处的剖面图；
[0011]图中：1硅坩埚本体；2凹槽；3硅片放置台。
具体实施方式
[0012]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0013]请参阅图1
‑
2，本技术提供技术方案：一种环形硅坩埚，包括硅坩埚本体1，硅坩埚本体1的中心部位开设有凹面齐平的凹槽2，凹槽2内设有硅片放置台3。
[0014]如图3
‑
4所示，硅坩埚本体1的中心部位设有向外凸起的中心铜，而二次电子会对
环形硅坩埚中心部位进行二次打击，进而对环形硅坩埚造成污染。
[0015]需要说明的是，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0016]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种环形硅坩埚，其特征在于：包括硅坩埚本体(1)，所述硅坩埚本体(1)的中心部...

【专利技术属性】
技术研发人员：张威，周常河，刘年生，丁自强，由玉兴，马帅，
申请(专利权)人：江苏星浪光学仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：