一种抛光垫及化学机械抛光装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种抛光垫及化学机械抛光装置，所述抛光垫应用于化学机械抛光装置中，所述抛光垫用于对待处理晶圆进行抛光，所述抛光垫包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述抛光垫的中心部分，所述第二部分为所述抛光垫的边缘部分；其中，所述第二部分包括面向所述待处理晶圆的第一表面区域，所述第二部分具有与所述第一部分相接的内侧和远离所述第一部分的外侧，所述第二部分在内侧的厚度大于所述第二部分在外侧的厚度。侧的厚度。侧的厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光垫及化学机械抛光装置


[0001]本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种抛光垫及化学机械抛光装置。

技术介绍

[0002]随着集成电路特征尺寸持续微缩，晶圆表面质量要求愈加苛刻，因而集成电路器件制造过程对缺陷尺寸和数量的控制越来越严格。化学机械抛光是集成电路器件制造工艺中非常重要的一个环节。抛光过程是利用晶圆承载头将晶圆压于抛光垫表面，依靠晶圆和抛光垫之间的相对运动并借助抛光浆料中的磨粒实现晶圆表面的平坦化。
[0003]然而，在进行化学机械抛光后，晶圆边缘的抛光效果通常不佳。而这通常都是由于抛光浆料容易在晶圆边缘处聚集而导致的。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种抛光垫及化学机械抛光装置。
[0005]为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种抛光垫，所述抛光垫应用于化学机械抛光装置中，所述抛光垫用于对待处理晶圆进行抛光，所述抛光垫包括：
[0007]第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述抛光垫的中心部分，所述第二部分为所述抛光垫的边缘部分；其中，
[0008]所述第二部分包括面向所述待处理晶圆的第一表面区域，所述第二部分具有与所述第一部分相接的内侧和远离所述第一部分的外侧，所述第二部分在内侧的厚度大于所述第二部分在外侧的厚度。
[0009]在一种可选的实施方式中，所述第二部分的厚度沿内侧到外侧的方向减小。r/>[0010]在一种可选的实施方式中，所述第一部分具有第一厚度；
[0011]所述第二部分的厚度小于或等于所述第一厚度。
[0012]在一种可选的实施方式中，所述第一表面区域为一圆环形区域，所述第一表面区域的环宽为4cm
‑
6cm。
[0013]在一种可选的实施方式中，所述第一表面区域所在的平面和所述第一部分面向所述待处理晶圆的第二表面区域所在的平面在所述第一部分和所述第二部分交界处的夹角大于5度。
[0014]在一种可选的实施方式中，所述第一部分包括面向所述待处理晶圆第二表面区域，所述第二表面区域的中心为所述抛光垫的中心。
[0015]在一种可选的实施方式中，所述第一表面区域为一圆环形区域，所述第二表面区域为一圆形区域；
[0016]所述第二表面区域的半径与所述第一表面区域的环宽的比值大于5。
[0017]在一种可选的实施方式中，所述第一表面区域上具有凹槽图案，所述凹槽图案包
括多个凹槽，所述凹槽沿所述内侧到所述外侧的方向延伸，以使抛光浆料通过所述凹槽流出至所述抛光垫的边缘。
[0018]在一种可选的实施方式中，所述第二部分的厚度沿内侧到外侧的方向呈台阶式变化。
[0019]第二方面，本申请实施例提供一种化学机械抛光装置，其特征在于，所述装置包括：抛光台、晶圆承载头、抛光浆料供应装置以及第一方面所述的抛光垫；其中，所述抛光垫配置于所述抛光台上。
[0020]本申请实施例公开了一种抛光垫及化学机械抛光装置，所述抛光垫应用于化学机械抛光装置中，所述抛光垫用于对待处理晶圆进行抛光，所述抛光垫包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述抛光垫的中心部分，所述第二部分为所述抛光垫的边缘部分；其中，所述第二部分包括面向所述待处理晶圆的第一表面区域，所述第二部分具有与所述第一部分相接的内侧和远离所述第一部分的外侧，所述第二部分在内侧的厚度大于所述第二部分在外侧的厚度。本申请实施例提供的抛光垫的边缘部分在外侧的厚度小于在内侧的厚度，由此利用抛光垫边缘部分的厚度落差可以及时排出抛光浆料，从而可以避免出现抛光浆料在待处理晶圆的边缘不平整处聚集的问题，进而避免了抛光浆料和待处理晶圆长时间接触而导致的过度抛光的问题。如此，在一定程度上提高了平坦化效果。
附图说明
[0021]图1为化学机械抛光装置的结构示意图；
[0022]图2为本申请实施例提供的一种抛光垫的俯视图；
[0023]图3为本申请实施例提供的抛光垫的一种实施方式的剖视图；
[0024]图4为本申请实施例提供的抛光垫的另一种实施方式的剖视图；
[0025]图5为本申请实施例提供的一种化学机械抛光装置。
具体实施方式
[0026]下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0027]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0028]在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0029]应当明白，空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术
语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0030]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0031]为了能够更加详尽地了解本申请实施例的特点与
技术实现思路
，下面结合附图对本申请实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请实施例。
[0032]如图1所示，在抛光垫和待处理晶圆彼此接触的状态下，化学机械抛光装置可以化学地和机械地抛光形成在待处理晶圆上的材料层，例如金属层或绝缘层。在本申请实施例中，“抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫，其特征在于，所述抛光垫应用于化学机械抛光装置中，所述抛光垫用于对待处理晶圆进行抛光，所述抛光垫包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述抛光垫的中心部分，所述第二部分为所述抛光垫的边缘部分；其中，所述第二部分包括面向所述待处理晶圆的第一表面区域，所述第二部分具有与所述第一部分相接的内侧和远离所述第一部分的外侧，所述第二部分在内侧的厚度大于所述第二部分在外侧的厚度。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二部分的厚度沿内侧到外侧的方向减小。3.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第一部分具有第一厚度；所述第二部分的厚度小于或等于所述第一厚度。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第一表面区域为一圆环形区域，所述第一表面区域的环宽为4cm
‑
6cm。5.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第一表面区域所在的平面和所述第一部分面向所述待处...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：