导体检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种导体检测电路，包括判断单元，判断单元的控制端口用于输入被测导体产生的检测信号，判断单元的第一端口接地，判断单元的第二端口连接第二电源；被测的金属导体作为接收天线，接收空间中的电磁波，若镀锡铜线与照明元器件焊牢，则二者构成的被测导体接收到的电磁波更为强烈，检测信号达到判断单元的导通阈值使其第一端口和第二端口导通，以判断镀锡铜线与照明元器件焊牢，若镀锡铜线与照明元器件虚焊，则检测信号无法达到判断单元的导通阈值，判断单元的第一端口和第二端口截止，以判断镀锡铜线与照明元器件虚焊。以判断镀锡铜线与照明元器件虚焊。以判断镀锡铜线与照明元器件虚焊。

【技术实现步骤摘要】
导体检测电路


[0001]本技术涉及导体检测
，尤其涉及一种导体检测电路。

技术介绍

[0002]目前，部分照明元器件22上要焊接镀锡铜线21(如图4)，以便于后续加工，在镀锡铜线21焊接完毕后，需要检测镀锡铜线21是否焊牢，避免出现镀锡铜线21虚焊而导致在后续加工中意外脱落。在现有技术中，可供选用的传感器有接近开关、气缸碰撞检测传感器(即气缸碰撞到被测物体后，反馈碰撞信号，以检测出被测物体)等，但上述传感器对如同镀锡铜线21这类细小的金属零部件的检测并不可靠，镀锡铜线21无法给予上述传感器足够的触发力。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种导体检测电路，以解决现有的传感器无法检测细小的金属导体的问题。
[0004]本技术的目的采用如下技术方案实现：
[0005]一种导体检测电路，包括：
[0006]判断单元，所述判断单元的控制端口用于输入被测导体产生的检测信号，所述判断单元的第一端口接地，所述判断单元的第二端口连接第二电源；
[0007]所述检测信号达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口导通；所述检测信号未达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口截止。
[0008]在某些可选的实施例中，还包括：
[0009]放大单元，所述放大单元的控制端口用于输入所述被测导体产生的所述检测信号，所述放大单元的第一端口用于输出放大后的检测信号，所述放大单元的第二端口连接第一电源；/>[0010]所述判断单元的控制端口输入所述放大后的检测信号。
[0011]在某些可选的实施例中，还包括压降检测单元，所述压降检测单元具有第一指示状态和第二指示状态；
[0012]所述判断单元的第一端口和第二端口导通所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第一指示状态，所述判断单元的第一端口和第二端口截止所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第二指示状态。
[0013]在某些可选的实施例中，还包括串联所述放大单元的第一端口和第二端口的灵敏度调节单元，所述灵敏度调节单元包括用于调节电阻值的可变电阻。
[0014]在某些可选的实施例中，所述放大单元包括第一三极管和第二三极管；
[0015]所述第一三极管的基极用于输入所述被测导体产生的所述检测信号，所述第一三极管的发射极连接所述第二三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接所述第二三极管
的集电极，所述第二三极管的发射极用于输出所述放大后的检测信号。
[0016]在某些可选的实施例中，还包括第二限流电阻，所述第二限流电阻用于限制流入所述判断单元的控制端口的电流。
[0017]在某些可选的实施例中，还包括串联所述判断单元的控制端口和第一端口的偏置电阻。
[0018]在某些可选的实施例中，所述压降检测单元包括并联连接的第一限流电阻和发光二极管，所述发光二极管具有所述第一指示状态和第二指示状态，所述第一指示状态为发光，所述第二指示状态为熄灭。
[0019]在某些可选的实施例中，所述灵敏度调节单元还包括第一旁路电阻，所述第一旁路电阻使所述放大单元具有静态电压。
[0020]在某些可选的实施例中，还包括用于对所述被测导体产生的所述检测信号进行耦合的耦合电容。
[0021]相比现有技术，本技术的有益效果在于：
[0022]被测导体的一端与判断单元的控制端口连接，被测的金属导体作为接收天线，接收空间中的电磁波，若镀锡铜线与照明元器件焊牢，则二者构成的被测导体接收到的电磁波更为强烈，接收到电磁波的被测导体产生检测信号，检测信号达到判断单元的导通阈值使其第一端口和第二端口导通，以此判断出镀锡铜线与照明元器件焊牢，若镀锡铜线与照明元器件虚焊，则检测信号无法达到判断单元的导通阈值，使判断单元的第一端口和第二端口截止，以判断镀锡铜线与照明元器件虚焊。
附图说明
[0023]图1为技术的导体检测电路的结构框图；
[0024]图2为放大单元和判断单元的结构框图；
[0025]图3为技术的导体检测电路的电路图；
[0026]图4为被测导体的结构示意图。
[0027]主要元件符号说明：
[0028][0029][0030]图中：
[0031]10、判断单元；20、被测导体；21、镀锡铜线；22、照明元器件；30、放大单元；40、压降检测单元；50、灵敏度调节单元；60、整流滤波单元。
具体实施方式
[0032]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以用许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0033]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0034]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0035]结合图1至图3所示，示意性地显示了本技术的导体检测电路，包括放大单元30、判断单元10、压降检测单元40、灵敏度调节单元50和整流滤波单元60。
[0036]放大单元30的控制端口用于输入被测导体20产生的检测信号，放大单元30的第一端口用于输出放大后的检测信号，放大单元30的第二端口连接第一电源，第一电源为24V直流，为防止第一电源极性接反，放大单元30的第二端口和第一电源之间连接有正向二极管D1。其中，被测导体20(如镀锡铜线21或镀锡铜线21与照明元器件22构成的组合体)接触至放大单元30的控制端口，被测导体20可作为接收天线，用于接收空间中的电磁波，当然，为了将被测导体20接收的电磁波所产生的交流电耦合至放大单元30，该导体检测电路还包括与放大单元30的控制端口连接的耦合电容C1，被测导体20接收的电磁波所产生的交流电的正半周给耦合电容C1充电，负半周给耦合电容C1放电，如此往复，可看作有电流通过耦合电容C1，以此形成检测信号，并输入至放大单元30的控制端口。放大单元30接收到检测信号并放大形成放大后的检测信号，放大单元30在其第一端口输出放大后的检测信号。
[0037]结合图1和图3，判断单元10的控制端口用于输入放大后的检测信号，判断单元10的第一端口接地，判断单元10的第二端口连接第二电源，第二电源接图1、图2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导体检测电路，其特征在于，包括：判断单元，所述判断单元的控制端口用于输入被测导体产生的检测信号，所述判断单元的第一端口接地，所述判断单元的第二端口连接第二电源；所述检测信号达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口导通；所述检测信号未达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口截止。2.根据权利要求1所述的导体检测电路，其特征在于，还包括：放大单元，所述放大单元的控制端口用于输入所述被测导体产生的所述检测信号，所述放大单元的第一端口用于输出放大后的检测信号，所述放大单元的第二端口连接第一电源；所述判断单元的控制端口输入所述放大后的检测信号。3.根据权利要求1所述的导体检测电路，其特征在于，还包括压降检测单元，所述压降检测单元具有第一指示状态和第二指示状态；所述判断单元的第一端口和第二端口导通所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第一指示状态，所述判断单元的第一端口和第二端口截止所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第二指示状态。4.根据权利要求2所述的导体检测电路，其特征在于，还包括串联所述放大单元的第一端口和第二端口的灵敏度调节单元，所述灵敏度调节单元包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张贤庆，吴晓明，
申请(专利权)人：肇庆三雄极光照明有限公司，
类型：新型
国别省市：