磁记录介质及磁记录再现装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可靠性高的磁记录介质，其具有以凸部形成记录要素的记录层以及被填充在记录要素之间的凹部中的填充物，即使与磁头接触表面也很难受到损伤，从而可以确实的获得良好的记录、再现特性。磁记录介质（１２）包括：在基板（２２）上以规定的凹凸图案形成并且以该凹凸图案的凸部形成记录要素（２４Ａ）的记录层（２４）；和被填充在记录要素（２４Ａ）之间的凹部（２６）中的填充物（２８），填充物（２８）实质上是由Ｓｉ以及Ｏ构成的，且Ｏ原子数相对于Ｓｉ原子数的比率大于等于１．５且小于２。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记录要素作为凸部而形成并用填充物填充记录要素之间的凹部的磁记录介质以及具有该磁记录介质的磁记录再现装置。
技术介绍
到目前为止，硬盘等磁记录介质，通过构成记录层的磁性粒子的微细化、材料的变更、磁头加工的微细化等的改良，实现了面记录密度的显著提高，而期待着今后更进一步提高面记录密度，但由于磁头的加工极限、磁场的扩散的原因，向与记录对象的轨道相邻的其他的轨道错误地进行信息的记录和发生串扰等问题变得明显，从而根据以往的改良方法提高面记录密度已经到了极限。对此，作为可以实现面记录密度的更进一步提高的磁记录介质的候补，被提出了一种以规定的凹凸图案形成记录层、并以凹凸图案的凸部形成了记录要素的离散轨道介质或晶格介质(パタ一ンドメデイア)。另一方面，硬盘等的磁记录介质，若表面的凹凸大，则磁头滑动触点的悬浮高度不稳定，而不能得到良好的记录·再现特性，所以提出了将记录要素间的凹部用填充物填充而使记录层的表面平坦化的磁记录介质(例如参照专利文献1)。还有，为在与磁头的接触方面保护记录层，通常在记录层上形成保护层。作为保护层的材料优选硬度高而不易磨损的材料，而使用硬质碳膜等。还有，为使磁头和记录层之间的磁性空间变小而得到良好的磁力特性，优选保护层尽可能的薄。另一方面，这样硬度高且薄的保护层在变形时易受到损伤，但作为支承保护层部分的材料，通过使用刚性以及硬度高而不易变形的材料，抑制保护层的变形，由此可以抑制保护层的损伤。在使用离散轨道介质或晶格介质的情况下，填充物与记录要素一起支承保护层，因此，作为填充物的材料，优选使用刚性以及硬度高的材料。还有，在万一保护层的一部分被剥离的情况下，为了抑制与磁头接触而发生的磁记录介质表面的磨损，优选填充物的材料为硬度高、耐磨损的材料。另外，省略保护层，而使记录要素和填充物露出到表面的结构的磁记录介质也被考虑到，在这样的结构的磁记录介质的情况下，特别要求填充物的材料要使用刚性以及硬度高的材料。还有，优选填充物的材料是化学特性稳定且难腐蚀的材料。作为可以满足这样的要求的填充物的候补，可以考虑到各种氧化物、氮化物、碳化物等，但作为可以满足上述的要求的低成本的填充物，公知有SiO2(二氧化硅)(例如参照专利文献1、专利文献2)。专利文献1JP特开2000-195042号公报；专利文献2JP特开平9-97419号公报。但是，使用SiO2作为填充物的情况下，有时也无法得到良好的记录、再现特性。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的是提供一种可靠性高的磁记录介质以及具有该磁记录介质的磁记录再现装置，该磁记录介质包含有记录要素作为凸部而形成的记录层以及被填充在记录要素之间的凹部中的填充物，即使磁头接触，其表面也很难受到损伤，从而可以确实的得到良好的记录、再现特性。本专利技术通过使用实质上由Si以及O构成、且O原子数相对于Si原子数的比率大于等于1.5而小于2的材料作为填充物，从而实现上述目的。众专利技术人在研究本专利技术的过程中，对于使用了SiO2作为填充物的磁记录介质，专心研究其记录、再现特性恶化的原因，而发现了记录要素侧面的腐蚀为其原因之一。这可能是因为，记录要素的侧面由于直接受到将记录层加工成凹凸图案的干式蚀刻等加工的影响，而比其他部分更易腐蚀。对此，众专利技术人尝试了各种的材料作为填充物，发现通过使用实质上由Si(硅)以及O(氧)构成、且O原子数相对于Si原子数的比率小于2的填充物，记录要素的侧面的腐蚀变得很难发生。即，发现通过使O原子数相对于Si原子数的比率比一般被认为是稳定的化合物的SiO2小，可以提高抑制记录要素的侧面的腐蚀的效果。可以得到这样的效果的原因并不很明白，但通过使O原子数相对于Si原子数的比率小于SiO2，填充物的组织变得细致，由此通过填充物而到达记录要素的侧面的氧和水分减少，从而记录要素的侧面的腐蚀受到抑制。还有，通过使O原子数相对于Si原子数的比率小于1.9，可以进一步提高抑制记录要素的侧面的腐蚀的效果。另一方面，众专利技术人发现，若将O原子数相对于Si原子数的比率减小到小于1.5，则磁记录介质的表面变得容易发生损伤。该原因也并非明确，但可以推测到，由于O原子数相对于Si原子数的比率过度变小，而填充物的刚性、硬度降低，通过与磁头的接触而支承填充物的保护层过度发生变形，从而受到损伤。相对于此，通过使O原子数相对于Si原子数的比率大于等于1.5，可以抑制由于与磁头接触而引起的磁记录介质的表面的损伤。即，根据下面这样的本专利技术，可以实现上述目的。(1)、一种磁记录介质，其特征在于，包含有记录层与填充物，该记录层以规定的凹凸图案形成在基板上，并以该凹凸图案的凸部形成记录要素，该填充物被填充在上述记录要素之间的凹部中，该填充物实质上是由Si以及O构成的，O原子数相对于Si原子数的比率大于等于1.5且小于2。(2)、在(1)中，其特征在于其特征在于，上述填充物的O原子数相对于Si原子数的比率小于1.9。(3)、在(1)或者(2)中，其特征在于，上述填充物也形成在上述记录要素的上表面上，而覆盖着上述记录层。(4)、一种磁记录再现装置，其特征在于，具有(1)～(3)中任一项所述的磁记录介质；磁头，其是为了对该磁记录介质进行数据的记录、再现，而以接近该磁记录介质的表面且可以悬浮的方式设置的。还有，在本申请中，所谓“记录层以规定的凹凸图案形成在基板上，并以该凹凸图案的凸部形成记录要素”，从使用的意义上看，除了被分割成多个记录要素的记录层以外，还包括部分被分割，而记录要素为螺旋形状，或一部分连续的规定图案的记录层；形成作为凸部的记录要素以及凹部双方的连续的记录层。在本专利技术中，所谓“填充物实质上是由Si以及O构成的”，其意思是，相对于构成填充物的总的元素的原子数的、填充物中的Si以及O的总的原子数的比率在90％以上，而并非限于填充物仅由Si以及O构成的情况。根据本专利技术，可以实现一种可靠性高的磁记录介质以及具有该磁记录介质的磁记录再现装置，该磁记录介质具有以凸部形成记录要素的记录层以及被填充在记录要素之间凹部的填充物，即使接触磁头，其表面也很难受到损伤，而能够确实地得到良好的记录、再现特性。附图说明图1是示意性表示本专利技术第一实施方式的磁记录再现装置的主要部分的大致结构的立体图。图2是示意性表示该磁记录再现装置的磁记录介质结构的侧面剖视图。图3是示意性表示本专利技术第二实施方式的磁记录介质结构的侧面剖视图。图4是表示实验例1中的样品的制造方法的概要的流程图。具体实施例方式下面，关于本专利技术的优选实施方式，参照附图进行详细说明。如图1所示，本专利技术第一实施方式的磁记录再现装置10具有磁记录介质12；为了对磁记录介质12进行数据的记录/再现而被设置成接近磁记录介质12的表面并可以悬浮的磁头14。还有，磁记录介质12固定在卡盘16上，能够与该卡盘16一同自由旋转。还有，磁头14安装在臂部18的前端附近，而臂部18可以自由旋转地安装在底座20上。由此，磁头14在沿着磁记录介质12的径向的圆弧轨道上而在磁记录介质12的表面悬浮而能够移动。磁记录介质12，是圆板状的垂直记录型的离散轨道介质(discrete trackmedia)，如图2所示，其包含有记录层24、非磁性的填充物28，前述记录层24是以规本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于，包含有记录层与填充物，该记录层以规定的凹凸图案形成在基板上，并以该凹凸图案的凸部形成记录要素，该填充物被填充在上述记录要素之间的凹部中，该填充物实质上是由Ｓｉ以及Ｏ构成的，Ｏ原子数相对于Ｓｉ原子数的比率大于等于１．５且小于２。

【技术特征摘要】
JP 2005-2-24 2005-0492571.一种磁记录介质，其特征在于，包含有记录层与填充物，该记录层以规定的凹凸图案形成在基板上，并以该凹凸图案的凸部形成记录要素，该填充物被填充在上述记录要素之间的凹部中，该填充物实质上是由Si以及O构成的，O原子数相对于Si原子数的比率大于等于1.5且小于2。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，上述填充物的O原子数相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：大川秀一，高井充，岛川和也，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]