磁记录介质、记录重放装置及压印模制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种磁记录介质、记录重放装置及压印模。提供能够可靠读取磁信号的、具有伺服图形的磁记录介质。利用具有凸起部分４０ａ及凹下部分４０ｂ的凹凸图形４０，在伺服图形区Ａｓ形成伺服图形，同时伺服图形区Ａｓ的构成为具有地址图形区Ａｓ及脉冲串图形区Ａｂ的构成，在伺服图形区Ａｓ中形成凸起部分４０ａ，使得地址图形区Ａａ中形成的各凹下部分４０ｂ的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆Ｑａ１、与脉冲串图形区Ａｂ中形成的各凹下部分４０ｂ的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆Ｑｂ１的较大一方成为伺服图形区Ａｓ中形成的各凹下部分４０ｂ的开口面的各内接圆Ｑｘ１、Ｑｐ１、Ｑａ１、Ｑｂ１…中的最大直径的内接圆。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在伺服图形区域中利用凹凸图形形成伺服图形的磁记录介质、具有该磁记录介质的记录重放装置，以及制造该磁记录介质用的压印模。
技术介绍
在美国专利5772905号说明书中，公开了在基材上形成纳米尺寸的凹凸图形的纳米压印光刻法(下面将形成纳米尺寸的凹凸图形的纳米压印光刻法也称为压印法)，该方法在制造半导体元件和信息记录介质等的工序中，用将形成纳米尺寸的凹凸图形后的压印模压入基材上的树脂层，并将压印模的凹凸形状复印到树脂层。在这种压印法中，首先制造在其复印面上形成纳米尺寸(作为一例，最小宽度为25nm左右)的凹凸图形的压印模(mold)。具体地说，用电子束光刻装置，将所要的图形描绘在覆盖硅基材的表面形成的氧化硅等薄膜(molding layer)而形成的树脂层上后，借助于利用反应性离子蚀刻装置以树脂层为掩模对薄膜进行蚀刻处理，以此在薄膜的厚度内形成具有多个凸起部分(features)的凹凸图形。以此制造压印模。接着，在例如硅制的基材的表面旋转涂布有机玻璃(PMMA树脂材料)，形成厚度55nm左右的树脂层(薄膜层)。接着，对基材和树脂层的叠层体以及压印模的双方进行加热后，将压印模的各突起部分压入基材的树脂层。这时，由于压印模的凸起部分压入的部位的树脂材料向压印模的凹下部分移动，在凸起部分压入的部位形成(复印)凹下部分(regions)。接着，将压入压印模后的状态的叠层体放置到室温为止后(冷却处理后)，从树脂层剥离压印模。借助于此，将压印模的凹凸图形中的各凸起部分复印到树脂层上，在基材上(树脂层)形成纳米尺寸的凹凸图形。然后，用形成凹凸图形的树脂层作为掩模对基材进行蚀刻处理，以此在基材上形成多个凹下部分。因此，借助于利用前述那样的技术(压印法)在信息记录介质用基材上的树脂层形成凹下部分，利用以该树脂层作为掩模使用的蚀刻处理，能制造具有纳米尺寸的凹凸图形的信息记录介质。美国专利5772905号说明书但是，按照以往的压印法(制造方法)制造的信息记录介质(磁记录介质)中，存在以下所述问题。即在以往的制造方法中，借助于将压印模的凸起部分压入基材上形成的树脂层，在树脂层上设置凹下部分，形成凹凸图形，借助于用形成凹凸图形的树脂层作为掩模对基材进行蚀刻处理，在基材上形成凹凸图形。但是，按照这种制造方法制造例如不连续磁道型的磁记录介质时，有可能产生下述的问题，即凸起部分(压印模的凸起部分)对树脂的压入量不足，对在树脂层形成的(复印的)凹凸图形中的凹下部分的底部中残存的树脂材料进行清除处理时，凹下部分的开口面过分扩大，因而有可能难于高精度地将凹凸图形形成在磁记录介质上。具体来说，例如图31所示，按照上述的制造方法制造的磁盘10z是按照下述规定制造的，即沿磁盘10z的旋转方向(该图中所示的箭头R的方向)交替排列由同心圆状多个数据记录道构成的形成数据道图形40tz的数据记录区Atz、和形成跟踪伺服用的伺服图形40sz的伺服图形区Asz。在这种情况下，如图32所示，磁盘10z的伺服图形区Asz，作为一个例子，具有形成前同步(preamble)图形的前同步图形区Apz、形成地址图形的地址图形区Aaz、以及在脉冲串(burst)区Ab1z～Ab4z的各区域中形成脉冲串图形的脉冲串图形区Abz。另外，在数据记录区Atz与前同步图形区Apz之间、前同步图形区Apz与地址图形区Aaz之间、地址图形区Aaz与脉冲串图形区Abz之间、以及脉冲串图形区Abz与数据记录区Atz之间的各区域中，形成用凹下部分构成的非伺服信号区Axz。再有，在脉冲串图形区Abz中的各脉冲串区Ab1z～Ab4z的各区域间，形成用凹下部分构成的非伺服信号区Axbz。在这种情况下，非伺服信号区Axz及Axbz中不记录跟踪伺服控制用的控制信号，成为非伺服信号区Axz及Axbz的几乎整个区域都由上述凹下部分构成而不存在凸起部分的状态。另外，在该图中用斜线涂满的区域表示伺服图形40sz及数据道图形40tz中的凸起部分的形成区。在这种情况下，在上述磁盘10z中的数据记录区Atz和伺服图形区Asz中，形成其开口面窄的凹下部分(作为一例，沿着磁盘10z的旋转方向的开口长度和沿着磁盘10z的半径方向的开口长度中的任何一个较短的凹下部分)以及开口面宽的凹下部分(作为一例，旋转方向的开口长度和沿着半径方向的开口长度两者都较长的凹下部分)等各种凹下部分。此外，用于制造磁盘10z的压印模上，形成与磁盘10z上应该形成的凹凸图形其凹凸位置关系反转的凹凸图形39z(参照图33、34)。因此，如图33、34所示，在制造磁盘10z用的压印模上，形成其突出端面窄的凸起部分(图33所示的凸起部分39az)以及突出端面宽的凸起部分(图34所示的凸起部分39az)等各种凸起部分39az、39az…。在这种情况下，在以往的制造方法中，在压印模的全部区域用大致均匀的压力将凹凸图形39z压入树脂层。这时，如图33所示，在形成其突出端面比较窄的凸起部分39az的部位，凸起部分39az压入的部位的树脂材料向着压印模的凹下部分39bz、39bz内顺利移动，结果是能将凸起部分39az压入到树脂层的足够深的深处。其结果是，能在基材上形成凸起部分39az的前端与基材之间(凹下部分41bz的底部)的树脂层的厚度T1十分薄的凹凸图形41z。此外，在下面的说明中，将树脂层上形成的凹下部分的底面与基材间残留的树脂材料称为“残渣”。与此相反，如图34所示，在形成其突出端面比较宽的凸起部分39az的部位，凸起部分39az压入过的部位的树脂材料向着压印模的凹下部分39bz、39bz内移动困难，结果难于将凸起部分39az压入到树脂层的十分深的深处。其结果是，在凸起部分39az的前端与基材之间(凹部41bz的底部)产生厚度T2的残渣，结果，凹下部分41bz的深度变浅。在这种情况下，在用形成凹凸图形41z的树脂层作为掩模对基材进行蚀刻处理时，有必要利用蚀刻处理等除去凹凸图形41z的凹下部分底面的41bz的底面的残渣(前述清除处理)。此外，如前所述，压入凸出端面窄的凸起部分39az、39az…的部位的残渣的厚度T1，比压入突出端面宽的凸起部分39az、39az…的部位的残渣的厚度T2还要薄得足够多。因此，在进行充分时间的蚀刻处理(清除处理)以便能确实去除厚度T2的残渣时，在厚度T2的残渣清除结束前，厚度T1的残渣的清除结束。其结果是，在厚度T1的残渣清除过的部位(开口面窄的凹下部分41bz的部位)，继续照射直到T2的残渣的清除结束为止的气体，渗透凹下部分41bz的内侧壁，凹下部分41bz过份扩大。因此，按照以往的制造方法制造的磁盘10z中，难于形成制造时所要的宽度的凹下部分41bz，所以有可能产生下述的问题，即数据记录区Atz和伺服图形区Asz形成的凹下部分的宽度过大，因此难于可靠地读取磁信号。本专利技术是鉴于这样的问题而作出的，其主要目的在于提供能够可靠地读取磁信号的具有伺服图形的磁记录介质及记录重放装置、以及能够制造这样的磁记录介质的压印模。
技术实现思路
为了达到上述目的，本专利技术的磁记录介质，在基材的至少一面的伺服图形区，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的凸起部分及凹下部分的凹凸图形形成伺服图形，同时该伺服图形区具有地址图形区及脉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于，在基材的至少一面的伺服图形区，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的凸起部分及凹下部分的凹凸图形，形成伺服图形，同时该伺服图形区具有地址图形区及脉冲串图形区，在该伺服图形区形成所述凸起部分，使得所述 地址图形区中形成的所述各凹下部分的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆、与所述脉冲串图形区中形成的所述各凹下部分的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆的较大一方成为所述伺服图形区中形成的所述各凹下部分的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-2 2005-0572911.一种磁记录介质，其特征在于，在基材的至少一面的伺服图形区，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的凸起部分及凹下部分的凹凸图形，形成伺服图形，同时该伺服图形区具有地址图形区及脉冲串图形区，在该伺服图形区形成所述凸起部分，使得所述地址图形区中形成的所述各凹下部分的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆、与所述脉冲串图形区中形成的所述各凹下部分的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆的较大一方成为所述伺服图形区中形成的所述各凹下部分的开口面的各内接圆中的最大直径的内接圆。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，在所述基材的至少所述一面的数据记录区，利用至少突出端部由所述磁性材料形成的凸起部分，形成多个数据记录道，该各数据记录道形成为沿相邻的该数据记录道间的凹下部分中的开口面的半径方向的长度小于等于所述任一较大的内接圆的直径。3.一种磁记录介质，其特征在于，在基材的至少一面的伺服图形区，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的凸起部分及凹下部分的凹凸图形，形成伺服图形，所述伺服图形区的构成为具有制造时利用所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：添野佳一，嵨川和也，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]