一种吡咯衍生物、有机电致发光材料、发光元件及消费型产品制造技术

本发明专利技术公开了一种吡咯衍生物、有机电致发光材料、发光元件及消费型产品。本发明专利技术所述吡咯衍生物的结构式如式（I）所示，其非常适合用于有机电致发光元件中的空穴传输层或激子阻挡层中，特别还适用于磷光发光层中，这是由于本发明专利技术的吡咯衍生物并不湮灭发光；本发明专利技术所述吡咯衍生物用作荧光或磷光发光体的基质材料时，具有较高的发光效率和较长的使用寿命；本发明专利技术所述吡咯衍生物用于有机电致发光元件中时具有较高的发光效率，并且在使用和低工作电压的情况下导致陡峭的电流

【技术实现步骤摘要】
一种吡咯衍生物、有机电致发光材料、发光元件及消费型产品


[0001]本专利技术属于有机电致发光元件用材料
，具体涉及一种吡咯衍生物、有机电致发光材料、发光元件及消费型产品。

技术介绍

[0002]最近几年有机电致发光显示技术己趋于成熟，一些产品已进入市场，但在产业化时程中，仍有许多问题亟待解决，特别是用于制作元件的各种有机材料，其载流子注入、传输性能，材料电发光性能、使用寿命、色纯度、各种材料之间及与各电极之间的匹配等，尚有许多问题还未解决。尤其是发光元件在发光效率和使用寿命还达不到实用化要求，这大大限制了OLED技术的发展。
[0003]有机电致发光主要分为荧光和磷光，但根据自旋量子统计理论，单重态激子和三重态激子的概率为1:3，即来自单重态激子辐射跃迁的荧光的理论极限为25%，三重态激子辐射跃迁的荧光的理论极限为75%。如何利用75%的三线态激子的能量成为当务之急。1997年Forrest等发现磷光电致发光现象突破了有机电致发光材料量子效率25%效率的限制，引起人们对金属配合物磷光材料的广泛关注。从此，人们对磷光材料进行大量的研究，现有的发光材料的发光效率低、使用寿命低等缺点。
[0004]鉴于以上原因，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术存在的上述问题，本专利技术提供了一种吡咯衍生物、有机电致发光材料、发光元件及消费型产品，本专利技术所提供的吡咯衍生物作为有机电致发光元件用材料的原料，能够提供启动电压降低、发光效率和亮度提高的有机电致发光元件用材料及有机电致发光元件。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种吡咯衍生物，其结构式如式（I）所示：式（I）；其中，R1~R
12
相同或者不同，各自独立地选自由氢原子、氘原子、具有C1~C
40
的直链烷基、具有C1~C
40
的直链杂烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2~C
40
的烯基或炔基、具有5~60个碳原子的芳香族环或芳香族环系、或具有2
~60个碳原子的杂芳族环或杂芳族环系组成的群组；R1~R
12
中的每个基团可被一个或多个基团R取代，且其中两个或更多个相邻的取代基可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；Ar1选自由具有5~60个碳原子的芳香族环或芳香族环系，或具有2~60个碳原子的杂芳族环或杂芳香族环系组成的群组，并且Ar1不为苯基；R每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar2)2、N(R
13
)2、C(=O)Ar2、C(=O)R
13
、P(=O)(Ar2)2、具有C1~C
40
的直链烷基、具有C1~C
40
的直链杂烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2~C
40
的烯基或炔基、具有5~80个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R基团中的每个基团可被一个或多个基团R
13
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
13
C=CR
13
、C≡C、Si(R
13
)2、Ge(R
13
)2、Sn(R
13
)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR
13
、P(=O)(R
13
)、SO、SO2、NR
13
、O、S或CONR
13
代替，并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系可被一个或多个基团R
13
取代；R
13
每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar2)2、N(R
14
)2、C(=O)Ar2、C(=O)R
14
、P(=O)(Ar2)2、具有C1~C
40
的直链烷基、具有C1~C
40
的直链杂烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2~C
40
的烯基或炔基、具有5~60个碳原子的芳族环或具有2~60个碳原子的杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R
13
中的每个基团可被一个或多个基团R
14
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
14
C=CR
14
、C≡C、Si(R
14
)2、Ge(R
14
)2、Sn(R
14
)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR
14
、P(=O)(R
14
)、SO、SO2、NR
14
、O、S或CONR
14
代替，并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R
13
可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系可被一个或多个基团R
14
取代；Ar2在每次出现时相同或不同，选自具有5~30个碳原子的芳族或具有2~30个碳原子的杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系可被一个或多个非芳族基团R
14
取代；此处键合至同一氮原子或磷原子的两个基团Ar2也可通过单键或选自N(R
14
)、C(R
14
)2、氧或硫的桥连基彼此桥连；R
14
选自氢原子、氘原子、氟原子、腈基、具有C1~C
20
的脂族烃基、具有5~30个碳原子的芳族环系或具有2~30个碳原子的杂芳族环系，其中R
14
中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子或腈基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R
14
可彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。
[0007]在本专利技术意义上的芳族或杂芳族环系旨在被认为是指不必仅含有芳基或杂芳基的体系，而是其中多个芳基或杂芳基还可以由非芳族单元例如C、N、O或S原子连接。因此，例如，和其中两个或更多个芳基被例如短的烷基连接的体系一样，诸如芴、9,9
’‑
螺二芴、9,9
‑
二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚等的体系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.结构式如式（I）所示的吡咯衍生物：式（I）；其中，R1~R
12
相同或者不同，各自独立地选自由氢原子、氘原子、具有C1~C
40
的直链烷基、具有C1~C
40
的直链杂烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2~C
40
的烯基或炔基、具有5~60个碳原子的芳香族环或芳香族环系、或具有2~60个碳原子的杂芳族环或杂芳族环系组成的群组，R1~R
12
中的每个基团可被一个或多个基团R取代，且其中两个或更多个相邻的取代基可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；Ar1选自由具有5~60个碳原子的芳香族环或芳香族环系，或具有2~60个碳原子的杂芳族环或杂芳族环系组成的群组，并且Ar1不为苯基；R每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar2)2、N(R
13
)2、C(=O)Ar2、C(=O)R
13
、P(=O)(Ar2)2、具有C1~C
40
的直链烷基、具有C1~C
40
的直链杂烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2~C
40
的烯基或炔基、具有5~80个碳原子的芳族环或杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R基团中的每个基团可被一个或多个基团R
13
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
13
C=CR
13
、C≡C、Si(R
13
)2、Ge(R
13
)2、Sn(R
13
)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR
13
、P(=O)(R
13
)、SO、SO2、NR
13
、O、S或CONR
13
代替，并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系可被一个或多个基团R
13
取代；R
13
每次出现时相同或不同，选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar2)2、N(R
14
)2、C(=O)Ar2、C(=O)R
14
、P(=O)(Ar2)2、具有C1~C
40
的直链烷基、具有C1~C
40
的直链杂烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的烷基、具有C3~C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2~C
40
的烯基或炔基、具有5~60个碳原子的芳族环或具有2~60个碳原子的杂芳族环系、具有5~60个碳原子的芳氧基或杂芳氧基中的一种，R
13
中的每个基团可被一个或多个基团R
14
取代，或这些体系的组合，其中一个或多个非相邻的
‑
CH2‑
基团可被R
14
C=CR
14
、C≡C、Si(R
14
)2、Ge(R
14
)2、Sn(R
14
)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR
14
、P(=O)(R
14
)、SO、SO2、NR
14
、O、S或CONR
14
代替，并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R
13
可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系可被一个或多个基团R
14
取代；Ar2在每次出现时相同或不同，选自具有5~30个碳原子的芳族或具有2~30个碳原子的杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系可被一个或多个非芳族基团R
14
取代；此处键合至同一氮
原子或磷原子的两个基团Ar2也可通过单键或选自N(R
14
)、C(R
14
)2、氧或硫的桥连基彼此桥连；R
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...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雷，韩洪波，唐伟，谢佩，李程辉，王志杰，徐先锋，李利铮，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：