一种防溢流的散热型碳化硅二极管制造技术

本实用新型专利技术系提供一种防溢流的散热型碳化硅二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有碳化硅芯片、第一导电片和第二导电片，碳化硅芯片与第一导电片之间设有第一陶瓷座，碳化硅芯片与第二导电片之间设有第二陶瓷座；第一陶瓷座中设有第一通孔、第一芯片让位槽，第一芯片让位槽的开口面积大于第一通孔，碳化硅芯片限位于第一芯片让位槽中，第一通孔中设有第一焊接层；第二陶瓷座中设有第二通孔、第二芯片让位槽，第二芯片让位槽的开口面积大于第二通孔，碳化硅芯片限位于第二芯片让位槽中，第二通孔中设有第二焊接层。本实用新型专利技术能够有效提高散热效果，碳化硅芯片与陶瓷座之间的对位操作方便，焊接材料不易发生溢流。焊接材料不易发生溢流。焊接材料不易发生溢流。

【技术实现步骤摘要】
一种防溢流的散热型碳化硅二极管


[0001]本技术涉及二极管，具体公开了一种防溢流的散热型碳化硅二极管。

技术介绍

[0002]碳化硅二极管一般指碳化硅肖特基二极管，碳化硅二极管芯片的基本结构是底部欧姆接触层、碳化硅衬底、碳化硅外延层、肖基触层以及顶部欧姆接触层，碳化硅二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种金属
‑
半导体器件。
[0003]现有技术中，碳化硅二极管芯片是封装在环氧树脂等绝缘封装材料中的，碳化硅二极管芯片只能通过直接与绝缘封装材料接触来实现散热，散热性能不佳，工作时产生的损耗大；且对碳化硅二极管进行固晶时，焊接材料的用量以及对位的精度要求高，生产成本高。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种防溢流的散热型碳化硅二极管，内部结构的固晶难度小，整体结构稳定可靠，散热性能好。
[0005]为解决现有技术问题，本技术公开一种防溢流的散热型碳化硅二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有碳化硅芯片，碳化硅芯片的上下两侧设有贯穿绝缘封装体的第一导电片和第二导电片，碳化硅芯片与第一导电片之间设有位于绝缘封装体内的第一陶瓷座，碳化硅芯片与第二导电片之间设有位于绝缘封装体内的第二陶瓷座；
[0006]第一陶瓷座中设有第一通孔，第一通孔的一端连接有第一芯片让位槽，第一芯片让位槽的开口面积大于第一通孔的开口面积，碳化硅芯片的底部限位于第一芯片让位槽中，第一通孔中设有连接碳化硅芯片与第一导电片的第一焊接层；
>[0007]第二陶瓷座中设有第二通孔，第二通孔的一端连接有第二芯片让位槽，第二芯片让位槽的开口面积大于第二通孔的开口面积，碳化硅芯片的顶部限位于第二芯片让位槽中，第二通孔中设有连接碳化硅芯片与第二导电片的第二焊接层。
[0008]进一步的，第一焊接层中设有若干第一铜粒，第二焊接层中设有若干第二铜粒。
[0009]进一步的，第一导电片包括主体部和下凸部，主体部位于绝缘封装体内，第一焊接层连接于主体部上，下凸部凸出于绝缘封装体外。
[0010]进一步的，第二导电片包括平台部、倾斜部和接触部，平台部位于绝缘封装体内，第二焊接层连接于平台部下，倾斜部贯穿绝缘封装体的侧壁，接触部位于绝缘封装体外。
[0011]进一步的，第一芯片让位槽的内壁覆盖有第一密封层，第二芯片让位槽的内壁覆盖有第二密封层。
[0012]进一步的，第一密封层和第二密封层均为导热硅胶层。
[0013]进一步的，第一陶瓷座远离碳化硅芯片的一侧固定有第一U形限位条，第一导电片限位于第一U形限位条中；第二陶瓷座远离碳化硅芯片的一侧固定有第二U形限位条，第二导电片限位于第二U形限位条中。
[0014]本技术的有益效果为：本技术公开一种防溢流的散热型碳化硅二极管，在碳化硅芯片的两侧设置有特殊的陶瓷座结构，能够有效提高碳化硅芯片工作时的散热效果，降低工作时产生的损耗，可有效提高碳化硅二极管的工作性能，且陶瓷座中设置有为芯片让位槽以及通孔结构，碳化硅芯片与陶瓷座之间的对位操作方便，注入锡膏等焊接材料时不易发生溢流，内部结构的固晶难度小，整体结构稳定可靠。
附图说明
[0015]图1为本技术的内部结构示意图。
[0016]图2为本技术中第一陶瓷座和第二陶瓷座的立体结构示意图。
[0017]图3为本技术中第一陶瓷座和第二陶瓷座另一视角下的立体结构示意图。
[0018]附图标记为：绝缘封装体10、碳化硅芯片20、第一焊接层21、第一铜粒211、第二焊接层22、第二铜粒221、第一导电片30、主体部31、下凸部32、第二导电片40、平台部41、倾斜部42、接触部43、第一陶瓷座50、第一通孔51、第一芯片让位槽52、第一密封层521、第一U形限位条53、第二陶瓷座60、第二通孔61、第二芯片让位槽62、第二密封层621、第二U形限位条63。
具体实施方式
[0019]为能进一步了解本技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述。
[0020]参考图1至图3。
[0021]本技术实施例公开一种防溢流的散热型碳化硅二极管，包括绝缘封装体10，绝缘封装体10内设有碳化硅芯片20，碳化硅芯片20即碳化硅二极管芯片，碳化硅芯片20的上下两侧设有贯穿绝缘封装体10的第一导电片30和第二导电片40，碳化硅芯片20与第一导电片30之间设有位于绝缘封装体10内的第一陶瓷座50，碳化硅芯片20与第二导电片40之间设有位于绝缘封装体10内的第二陶瓷座60；
[0022]第一陶瓷座50中设有第一通孔51，第一通孔51靠近碳化硅芯片20的一端连接有第一芯片让位槽52，第一芯片让位槽52的开口面积大于第一通孔51的开口面积，且第一芯片让位槽52与第一通孔51的中心轴共线，即第一芯片让位槽52和第一通孔51所形成的孔结构截面为“T”字形，能够形成可靠的锡膏限位效果，碳化硅芯片20的底部限位于第一芯片让位槽52中，碳化硅芯片20的长宽与第一芯片让位槽52的长宽匹配相等，第一通孔51中设有连接碳化硅芯片20底部电极与第一导电片30的第一焊接层21，优选地，第一焊接层21为锡膏层；
[0023]第二陶瓷座60中设有第二通孔61，第二通孔61靠近碳化硅芯片20的一端连接有第二芯片让位槽62，第二芯片让位槽62的开口面积大于第二通孔61的开口面积，且第二芯片让位槽62与第二通孔61的中心轴共线，即第二芯片让位槽62和第二通孔61所形成的孔结构截面为倒立的“T”字形，能够形成可靠的锡膏限位效果，碳化硅芯片20的顶部限位于第二芯片让位槽62中，碳化硅芯片20的长宽与第二芯片让位槽62的长宽匹配相等，第二通孔61中设有连接碳化硅芯片20顶部电极与第二导电片40的第二焊接层22，优选地，第二焊接层22为锡膏层。
[0024]固晶封装本技术时，先将第一陶瓷座50放置在第一导电片30上，再向第一通孔51中注入锡膏等焊接材料，然后将碳化硅芯片20压入第一芯片让位槽52中，实现对第一通孔51中锡膏的整形加工，第一通孔51中的焊接材料固化后形成第一焊接层21，由于第一芯片让位槽52对碳化硅芯片20进行有效的限位，能够有效避免第一通孔51中的锡膏溢出至四周，且碳化硅芯片20的对位操作方便，碳化硅芯片20的底部四周能够被第一陶瓷座50有效包裹，从而获得良好的绝缘以及散热性能；连接碳化硅芯片20与第一导电片30后，将第二陶瓷座60放置在碳化硅芯片20上，即碳化硅芯片20的顶部插入第二芯片让位槽62中，对位操作方便，碳化硅芯片20的顶部四周能够被第二陶瓷座60有效包裹，从而获得良好的绝缘以及散热性能，且第二陶瓷座60对碳化硅二极管的四周实现有效的限位，能够有效阻止碳化硅二极管顶部的焊接材料溢流至底部，能够有效确保内部导电结构的可靠性，再向第二通孔61中注入锡膏等焊接材料，然后将第二导电片40压到第二陶瓷座60本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防溢流的散热型碳化硅二极管，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有碳化硅芯片(20)，所述碳化硅芯片(20)的上下两侧设有贯穿所述绝缘封装体(10)的第一导电片(30)和第二导电片(40)，其特征在于，所述碳化硅芯片(20)与所述第一导电片(30)之间设有位于所述绝缘封装体(10)内的第一陶瓷座(50)，所述碳化硅芯片(20)与所述第二导电片(40)之间设有位于所述绝缘封装体(10)内的第二陶瓷座(60)；所述第一陶瓷座(50)中设有第一通孔(51)，所述第一通孔(51)的一端连接有第一芯片让位槽(52)，所述第一芯片让位槽(52)的开口面积大于所述第一通孔(51)的开口面积，所述碳化硅芯片(20)的底部限位于所述第一芯片让位槽(52)中，所述第一通孔(51)中设有连接所述碳化硅芯片(20)与所述第一导电片(30)的第一焊接层(21)；所述第二陶瓷座(60)中设有第二通孔(61)，所述第二通孔(61)的一端连接有第二芯片让位槽(62)，所述第二芯片让位槽(62)的开口面积大于所述第二通孔(61)的开口面积，所述碳化硅芯片(20)的顶部限位于所述第二芯片让位槽(62)中，所述第二通孔(61)中设有连接所述碳化硅芯片(20)与所述第二导电片(40)的第二焊接层(22)。2.根据权利要求1所述的一种防溢流的散热型碳化硅二极管，其特征在于，所述第一焊接层(21)中设有若干第一铜粒(211)，所述第二焊接层(22)中设有若干第二铜粒(221)。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄景扬，
申请(专利权)人：先之科半导体科技东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：