一种馈电结构、毫米波天线及汽车制造技术

本发明专利技术涉及天线领域，公开一种馈电结构、毫米波天线及汽车。一种馈电结构包括：依次层叠设置的第一金属层、介质基板、第二金属层，介质基板上设有至少两列第一导电通孔组，用于连接第一金属层与第二金属层以形成基片集成波导结构；第一金属层设有与基片集成波导结构连接的馈电线；第二金属层具有用于露出介质基板的第一缺口，第一缺口处设有与馈电线配合的耦合匹配结构。耦合匹配结构与基片集成波导结构的馈电线配合实现信号耦合，改善了现有技术中的SIW天线匹配问题，插入损耗减少。插入损耗减少。插入损耗减少。

【技术实现步骤摘要】
一种馈电结构、毫米波天线及汽车


[0001]本专利技术涉及天线
，特别涉及一种馈电结构、毫米波天线及汽车。

技术介绍

[0002]基片集成波导Substrate integrated waveguide(SIW)是一种新的微波传输线形式，其利用金属通孔在介质基片上实现波导的场传播模式。现有技术中的SIW(Substrate integrated waveguide，基片集成波导)天线的馈电结构匹配难度较高、反射损耗较大，尤其在毫米波领域很难实现大带宽低损耗。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开了一种馈电结构、毫米波天线及汽车，用于改善了现有技术中的SIW天线匹配问题，插入损耗减少。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0005]第一方面，本专利技术提供一种馈电结构，包括：依次层叠设置的第一金属层、介质基板、第二金属层，所述介质基板上设有至少两列第一导电通孔组，用于连接所述第一金属层与所述第二金属层以形成基片集成波导结构；
[0006]所述第一金属层设有与所述基片集成波导结构连接的馈电线；
[0007]所述第二金属层具有用于露出所述介质基板的第一缺口，所述第一缺口处设有与所述馈电线配合的耦合匹配结构。
[0008]上述馈电结构中，介质基板上下表面各自覆铜形成第一金属层和第二金属层，通过第一导电通孔组中的导电通孔连接上下两个表面，即第一金属层和第二金属层通过第一导电通孔组中的导电通孔连接形成基片集成波导结构。第一金属层设有与基片集成波导结构连接的馈电线，第二金属层所在一侧为馈电结构的接地面，馈电结构在接地面还设置有耦合匹配结构，耦合匹配结构与基片集成波导结构的馈电线配合实现信号耦合，改善了现有技术中的SIW天线匹配问题，插入损耗减少。
[0009]可选地，所述馈电线包括匹配段以及通过所述匹配段与所述基片集成波导结构连接的固定线宽段，且所述匹配段的宽度沿其馈电方向逐渐减小。
[0010]可选地，所述馈电线在所述介质基板上的正投影与所述耦合匹配结构在所述介质基板上的正投影存在重叠区域；
[0011]所述馈电线以及所述耦合匹配结构均为轴对称图形，且所述馈电线的对称轴以及所述耦合匹配结构的对称轴确定的平面与所述介质基板所在平面垂直。
[0012]可选地，所述耦合匹配结构包括第一枝节以及与所述第一枝节垂直连接的第二枝节，且沿所述馈电方向，所述第一枝节位于所述第二枝节后侧。
[0013]可选地，所述第二枝节与所述第一枝节形成T形结构。
[0014]可选地，所述第二枝节背离所述第一枝节一侧设有开口背离所述第一枝节的第二缺口，以使所述第二枝节的宽度先变小后增大。
[0015]可选地，所述第二缺口的轮廓为钝角三角形。
[0016]可选地，所述第二枝节包括两个渐变枝节，且两个所述渐变枝节对称分布于所述第一枝节两侧；
[0017]所述渐变枝节的两端的宽度之比为1:2；和/或，
[0018]所述渐变枝节的长宽比例为2:1；或者，
[0019]所述渐变枝节的长宽比例为3:1；或者，
[0020]所述渐变枝节的长宽比例为4:1。
[0021]可选地，所述介质基板上还设有用于连接所述第一金属层与所述第二枝节的第二导电通孔组，且所述第二导电通孔组中的导电通孔排列方向与所述第二枝节的延伸方向平行。
[0022]第二方面，本专利技术还提供一种毫米波天线，包括如第一方面中任一项所述的馈电结构以及与所述馈电结构连接的辐射单元。
[0023]第三方面，本专利技术还提供一种汽车，包括如第二方面中所述的毫米波天线。
附图说明
[0024]图1为本专利技术实施例提供的一种馈电结构的结构示意图；
[0025]图2为本专利技术实施例提供的一种馈电结构的后视图；
[0026]图3为本专利技术实施例提供的一种耦合匹配结构的结构示意图；
[0027]图4为本专利技术实施例提供的另一种馈电结构的结构示意图；
[0028]图5为本专利技术实施例提供的另一种馈电结构的后视图；
[0029]图6为本专利技术实施例提供的另一种耦合匹配结构的结构示意图；
[0030]图7为本专利技术实施例提供的一种毫米波天线的结构示意图。
[0031]图标：100
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馈电结构；110
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第一金属层；111
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开槽；120
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介质基板；130
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第二金属层；140
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第一导电通孔组；150
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馈电线；151
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匹配段；152
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固定线宽段；160
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耦合匹配结构；161
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第一枝节；162
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第二枝节；162a
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渐变枝节；163
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第二缺口；164
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第二导电通孔组；200
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辐射单元；210
‑
辐射贴片。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]第一方面，如图1至图6所示，本专利技术实施例提供了一种馈电结构100，包括：依次层叠设置的第一金属层110、介质基板120、第二金属层130，介质基板120上设有至少两列第一导电通孔组140，用于连接第一金属层110与第二金属层130以形成基片集成波导结构；第一金属层110设有与基片集成波导结构连接的馈电线150；第二金属层130具有用于露出介质基板120的第一缺口，第一缺口处设有与馈电线150配合的耦合匹配结构160。
[0034]上述馈电结构100中，介质基板120上下表面各自覆铜形成第一金属层110和第二金属层130，通过第一导电通孔组140中的导电通孔连接上下两个表面，即第一金属层110和
第二金属层130通过第一导电通孔组140中的导电通孔连接形成基片集成波导结构。第一金属层110设有与基片集成波导结构连接的馈电线150，第二金属层130所在一侧为馈电结构100的接地面，接地面部分挖空，保留部分覆铜层。其中挖空区域设置有耦合匹配结构160，耦合匹配结构160与基片集成波导结构的馈电线150配合实现信号耦合，改善了现有技术中的SIW天线匹配问题，插入损耗减少。
[0035]可选地，馈电线150包括匹配段151以及通过匹配段151与基片集成波导结构连接的固定线宽段152，且匹配段151的宽度沿其馈电方向逐渐减小。
[0036]在一些实施例中，介质基板120上下表面各自覆铜，通过导电通孔连接上下两个表面。参照图1和图4，为了防止电磁泄漏，导电通孔的直径d与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种馈电结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一金属层、介质基板、第二金属层，所述介质基板上设有至少两列第一导电通孔组，用于连接所述第一金属层与所述第二金属层以形成基片集成波导结构；所述第一金属层设有与所述基片集成波导结构连接的馈电线；所述第二金属层具有用于露出所述介质基板的第一缺口，所述第一缺口处设有与所述馈电线配合的耦合匹配结构。2.根据权利要求1所述的馈电结构，其特征在于，所述馈电线包括匹配段以及通过所述匹配段与所述基片集成波导结构连接的固定线宽段，且所述匹配段的宽度沿其馈电方向逐渐减小。3.根据权利要求2所述的馈电结构，其特征在于，所述馈电线在所述介质基板上的正投影与所述耦合匹配结构在所述介质基板上的正投影存在重叠区域；所述馈电线以及所述耦合匹配结构均为轴对称图形，且所述馈电线的对称轴以及所述耦合匹配结构的对称轴确定的平面与所述介质基板所在平面垂直。4.根据权利要求3所述的馈电结构，其特征在于，所述耦合匹配结构包括第一枝节以及与所述第一枝节垂直连接的第二枝节，且沿所述馈电方向，所述第一枝节位于所述第二枝节后侧。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：高修东，王海亮，王冲，张燎，王绍龙，
申请(专利权)人：南京隼眼电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：