相变化光盘制造技术

本发明专利技术涉及一种相变化光盘，包含一第一基板、一第一介电积层、一第一记录层、一第一反射层，以及一第二基板，第一介电积层设于第一基板上，第一介电积层的光学厚度介于８６ｎｍ至４６０ｎｍ之间；第一记录层设于第一介电积层上，第一反射层设于第一记录层之上；第二基板设于第一反射层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光信息储存媒体，特别是一种相变化光盘。
技术介绍
过去在发展可重复读写光盘时，主要有两大统，一为磁光盘片(Magneto-Optical Disc，MO)；另一则是相变化光盘(Phase-ChangeOptical Disc)。随着技术的演进及市场的变化，目前是以相变化型记录媒体占优势，包含可重复读写型光盘片(CD-RW)、可擦写式数字激光视盘(DVD-RW，DVD+RW)以及动态随机记忆数字激光视盘(DVD-RAM)等等。相变化光盘采用激光照射盘片，通过激光束的能量，使相变化光盘的记录层材料于结晶相(crystalline)及非晶相(amorphous)结构间转换。目前来说，相变化光盘普遍存在的问题，即是经过多次重复写入与抹除资料的过程后，相变化光盘容易损坏，而无法继续使用。然而，决定光信息储存媒体品质优劣关系于有抖动偏差(Jitter)、反射率(Reflectivity)，以及调制比(Modulation rate)三个因素，当然，影响相变化光盘的因素也不例外，规格书中对于相变化光盘且为一数字激光视盘(DVD+RW)的抖动偏差制定的范围小于8.0％、反射率应介于18％至30％之间，而调制比则需大于0.55。请参阅图3，为一种相变化光盘3，具有一第一基板31、一设于第一基板31上的介电积层32、一设于介电积层32上的记录层33、一设于记录层33上的反射层34，以及一设于反射层34上的第二基板35。于是，本专利技术人通过界定相变化光盘的介电积层光学厚度，使得相变化光盘的量测结果能符合规格书所制定的范围，以获得较佳相变化光盘的较佳调制比数值，使得相变化光盘的结晶时与非结晶时的反射率比值差异较大，如此一来，使得相变化光盘可重复写入抹除多次，而具有较佳的生产品质。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种相变化光盘，其可重复写入抹除多次。为达上述目的，本专利技术提供一种相变化光盘，包含一第一基板、一第一介电积层、一第一记录层、一第一反射层，以及一第二基板；第一介电积层设于第一基板上，第一介电积层的光学厚度介于86nm至460nm之间；第一记录层设于第一介电积层上，第一反射层设于第一记录层之上；第二基板设于第一反射层上。承上所述，依因本专利技术的相变化光盘，通过介电积层的光学厚度的制定，使得相变化光盘的量测结果皆能符合规格书所制定的范围内，而具有较佳调制比的数值，进而增加相变化光盘得以重复读取写入的次数，由此可见，本专利技术的相变化光盘确实具有良好的生产品质。附图说明图1为本专利技术第一实施例的相变化光盘的示意图；图2为本专利技术第二实施例的相变化光盘的示意图；图3为现有的相变化光盘的示意图；图4的表1为本专利技术进行光学厚度范围测量所使用的条件与方法； 图5的表2为一实验数据，显示具有不同光学厚度的相变化光盘；图6的表3为一实验结果，显示图5表2的各相变化光盘的量测结果。图中符号说明1 相变化光盘11第一基板12第一介电积层121 第一介电层122 第二介电层123 第三介电层13第一记录层14第一反射层15第二基板16第四介电层2 相变化光盘21第一基板22第一介电积层23第一记录层24第一反射层25黏合层26第二介电积层27第二记录层28第二反射层29第二基板3 相变化光盘31第一基板32介电积层33记录层34反射层 35第二基板具体实施方式以下将参照相关附图，说明依本专利技术较佳实施例的相变化光盘(Phase-Change Optical Disk)。请参阅图1所示，为本专利技术第一较佳实施例的相变化光盘1，本实施例中，相变化光盘1为一单面单层(single side single layer)的数字激光视盘(DVD+RW)，其包含有一第一基板11、一第一介电积层12、一第一记录层13、一第一反射层14，以及一第二基板15。第一基板11的材质可为聚碳酸酯(polycarbonate)所制成，并具有一摆动沟槽(wobbling groove)，且沟槽深度约为0.74μm。此外，第一基板11具有双折射率(birefringence)小于60nm，第一基板11的折射率介于1.50至1.65之间，而且，第一基板11的厚度介于0.59mm至0.61mm之间。第一介电积层12其设于第一基板11上，第一介电积层12的光学厚度介于86nm至460nm之间。第一介电积层12可为仅具有一介电层的介电积层，而本实施例中，第一介电积层12具有依序设于第一基板11上的一第一介电层121、一第二介电层122，以及一第三介电层123，本实施例中，第一介电层121与第三介电层123由硫化锌-二氧化(ZnS-SiO2)材质制成，所以，第一介电层121与第三介电层123的折射率约为2.1，第二介电层122由二氧化硅(SiO2)的材质制成，所以，第二介电层122的折射率约为1.5。当然，本专利技术并不限定第一介电积层12中各介电层的材质，而是，必须依循第一介电积层12中的第一介电层121与第三介电层123具有的折射率必须大于第二介电层122的折射率的设置规则。此外，第一介电积层12亦可具有多个介电层，同样地，必须将各偶数介电层的折射率小于各奇数介电层的折射率即可。第一记录层13设于第一介电积层12上，且第一记录层13的材质为银/铟/锑/碲/锗(Ag/In/Sb/Te/Ge)合金，而且，第一记录层13具有约原子百分比一至原子百分比五的锗(Ge)，此外，第一记录层13于未写入信息时，其折射率约为2.3。第一反射层14设于第一记录层13之上，且第一反射层14的材质选自铝合金(aluminum alloy)、钛合金(titanium alloy)、铜合金(copperalloy)及银合金(silver alloy)至少其中之一，且第一反射层14的厚度介于60nm至200nm之间。第二基板15设于第一反射层14上，且第二基板15的材质可为聚碳酸酯树脂(polycarbonate)所制成。本实施例中，相变化光盘1更包含一第四介电层16，其设于第一记录层13与第一反射层14之间，且第四介电层16由硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO2)材质制成，所以，第四介电层16的折射率约为2.1。以下依据图4表1中的实验条件，将相变化光盘1置于波长介于650nm至665nm下，使用多脉冲烧录策略(multipulse writing strategy)进行烧录，接着，请参照图5表2与图6表3的实验数据，进行界定本专利技术的相变化光盘1各层光学厚度的实验如图5表2所示，实验组1中，第一介电积层、第一记录层，以及第四反射层的光学厚度分别为158.5nm、34.5nm，以及77.7nm，实验组2中，第一介电积层、第一记录层，以及第四介电层的光学厚度分别为403.5nm、50.6nm，以及71.4nm。对应图6表3中的量测结果，实验组1的抖动偏差、调制比，以及反射率分别为7.1％、0.69，以及26.0％，实验组2的抖动偏差、调制比，以及反射率分别为7.0％、0.67，以及24.5％，皆符合规格书中所制定的范围内，而对照组1至对照组4略为调整第一记录层与第一介电层的光学厚度，如图6表3中所示，对照组1至对照组4的抖动偏差、调制比、或反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变化光盘，其特征在于，包含：一第一基板；一第一介电积层，其设于第一基板上，该第一介电积层的光学厚度介于８６ｎｍ至４６０ｎｍ之间；一第一记录层，其设于该第一介电积层上；一第一反射层，其设于该第一记录层之上；以及一第二基板，其设于该第一反射层上。

【技术特征摘要】
1.一种相变化光盘，其特征在于，包含一第一基板；一第一介电积层，其设于第一基板上，该第一介电积层的光学厚度介于86nm至460nm之间；一第一记录层，其设于该第一介电积层上；一第一反射层，其设于该第一记录层之上；以及一第二基板，其设于该第一反射层上。2.如权利要求1所述的相变化光盘，其中，该介电积层依序具有一第一介电层、一第二介电层，以及一第三介电层，该第一介电层的折射率与该第三介电层的折射率大于该第二介电层的折射率。3.如权利要求1所述的相变化光盘，其中，该介电积层由多个奇数介电层与多个偶数介电层交错叠设于该第一基板，且各该偶数介电层的折射率小于各该奇数介电层的折射率。4.如权利要求1所述的相变化光盘，其中，更包含一第四介电层，其设于该第一记录层与第一反射层之间。5.如权利要求1所述的相变化光盘，其中，该第一记录层的光学厚度介于20nm至60nm之间。6.如权利要求4所述的相变化光盘，其中，该第四介电层的光学厚度介于21nm至95nm之间、或介于10nm至4...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢国卿，王佩珊，
申请(专利权)人：精碟科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]