显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括：基底层、开关器件层和制冷功能层；开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管器件；制冷器件层用于薄膜晶体管器件的局部降温；其中：制冷功能层位于基底层与所述开关器件层之间，制冷功能层包括多个制冷器件，制冷器件在基底层上的正投影与薄膜晶体管器件在基底层上的正投影至少部分重叠；或者，制冷功能层与开关器件层同层设置，制冷功能层包括多个制冷器件，制冷器件位于薄膜晶体管器件的周边，本申请利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行局部降温，避免了薄膜晶体管因为发热引起的器件退化，提升了器件的热稳定性，从而改善产品品质。而改善产品品质。而改善产品品质。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]显示面板中的器件驱动层主要由薄膜晶体管(TFT)组成，薄膜晶体管容易受自热或外部热量影响(例如：自加热Self
‑
heating效应、交直流负偏置温度不稳定性NBTI、交直流正偏置温度不稳定性PBTI等)，在工作时，容易发生阈值电压(Vth)的偏移，从而导致器件退化。

技术实现思路

[0003]本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有的显示面板由于薄膜晶体管的热稳定性不足的问题。
[0004]第一个方面，本申请实施例提供了一种显示基板，包括：基底层、开关器件层和制冷功能层；所述开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管器件；
[0005]所述制冷器件层用于所述薄膜晶体管器件的局部降温；其中：所述制冷功能层位于所述基底层与所述开关器件层之间，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件在所述基底层上的正投影与所述薄膜晶体管器件在所述基底层上的正投影至少部分重叠；
[0006]或者，所述制冷功能层与所述开关器件层同层设置，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件位于所述薄膜晶体管器件的周边。
[0007]可选地，多个所述制冷器件呈阵列排布；
[0008]所述制冷器件与所述薄膜晶体管器件一一对应设置；或者，
[0009]所述制冷器件包括第一子制冷器件和第二子制冷器件，所述第一子制冷器件和所述第二子制冷器件与所述薄膜晶体管器件一一对应设置，且分别位于所述薄膜晶体管器件的两侧。
[0010]可选地，所述制冷器件包括：第一电极、第一半导体结构、第二半导体结构以及第二电极；所述第一电极用于与外部电路连接；
[0011]所述第二电极、所述第一半导体结构、所述第二半导体结构和所述第一电极依次层叠设置，所述第一电极位于所述第二半导体结构远离所述基底层的一侧；
[0012]或者，
[0013]所述第二电极包括间隔设置的第一子电极和第二子电极，所述第一半导体结构位于所述第一子电极远离所述基底层的一侧，所述第二半导体结构位于所述第二子电极远离所述基底层的一侧；所述第一电极位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构远离所述基底层的一侧，并将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构连接。
[0014]可选地，所述开关器件层包括层叠设置的绝缘层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间介质层以及源漏电极层。
[0015]可选地，所述第一子电极和所述第二子电极复用所述第一栅极层；和/或，所述第一电极复用所述第二栅极层。
[0016]可选地，所述显示基板还包括：第一引出电极和第二引出电极，所述第一引出电极和所述第二引出电极复用所述源漏电极层；所述第一引出电极与所述第一子电极连接，所述第二引出电极与所述第二子电极连接。
[0017]可选地，所述制冷器件包括：第三半导体结构、第四半导体结构以及第三电极；
[0018]所述第三半导体结构、所述第四半导体结构以及所述第三电极依次层叠设置，所述第三电极位于所述第四半导体结构远离所述基底层的一侧，所述第三半导体结构的部分区域被导体化，用于与外部电路连接；
[0019]或者，
[0020]所述第三电极位于所述第三半导体结构和所述第四半导体结构远离所述基底层的一侧，并将所述第三半导体结构和所述第四半导体结构连接，所述第三半导体结构的部分区域和所述第四半导体结构的部分区域被导体化，用于与外部电路连接。
[0021]可选地，所述第一子制冷器件与所述第二子制冷器件的结构相同；所述第一子制冷器件包括依次层叠设置的第四电极、第五半导体结构、第六半导体结构和第五电极；所述第四电极复用所述第一栅极层，所述第五电极复用所述第二栅极层。
[0022]第二个方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括：第一个方面所述的显示基板。
[0023]第三个方面，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
[0024]提供一基底层；
[0025]在所述基底层的一侧制备制冷功能层；所述制冷功能层包括多个制冷器件；
[0026]在所述制冷功能层背离所述基底层的一侧制备开关器件层；所述开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管器件，所述制冷器件在所述基底层上的正投影与所述薄膜晶体管器件在所述基底层上的正投影至少部分重叠；
[0027]或者，
[0028]提供一基底层；
[0029]在所述基底层的一侧制备开关器件层和制冷功能层，所述制冷功能层与所述开关器件层同层设置，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件位于所述薄膜晶体管器件的周边。
[0030]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果至少包括：
[0031]本申请实施例提供的显示基板，通过在基底层与开关器件层之间设置制冷功能层、或者与开关器件层同层设置制冷功能层，利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行局部降温，避免了薄膜晶体管因为发热引起的器件退化，提升了器件的热稳定性，改善了显示基板的产品品质；同时，在极冷环境中，还可以通过控制电流方向，提升显示基板的温度，增强客户体验感。
[0032]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0033]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0034]图1为本申请实施例提供的制冷器件的原理示意图；
[0035]图2为本申请实施例提供的一种显示基板的第一种实施方式的结构示意图；
[0036]图3为本申请实施例提供的一种显示基板的第二种实施方式的结构示意图；
[0037]图4为本申请实施例提供的一种显示基板的第三种实施方式的结构示意图；
[0038]图5为本申请实施例提供的一种显示基板的第四种实施方式的结构示意图；
[0039]图6为本申请实施例提供的一种显示基板的第五种实施方式的结构示意图；
[0040]图7为本申请实施例提供的一种显示基板的第六种实施方式的结构示意图；
[0041]图8为本申请实施例提供的一种显示基板的第七种实施方式的结构示意图；
[0042]图9为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程示意图；
[0043]图10为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程示意图。
[0044]其中：
[0045]10
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基底层；100
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基板；101
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缓冲层；
[0046]11
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第一子制冷器件；12
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第二子制冷器件；
[0047]102
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底层；开关器件层，所述开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管器件；制冷功能层，用于所述薄膜晶体管器件的局部降温；其中：所述制冷功能层位于所述基底层与所述开关器件层之间，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件在所述基底层上的正投影与所述薄膜晶体管器件在所述基底层上的正投影至少部分重叠；或者，所述制冷功能层与所述开关器件层同层设置，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件位于所述薄膜晶体管器件的周边。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，多个所述制冷器件呈阵列排布；所述制冷器件与所述薄膜晶体管器件一一对应设置；或者，所述制冷器件包括第一子制冷器件和第二子制冷器件，所述第一子制冷器件和所述第二子制冷器件与所述薄膜晶体管器件一一对应设置，且分别位于所述薄膜晶体管器件的两侧。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述制冷器件包括：第一电极、第一半导体结构、第二半导体结构以及第二电极；所述第一电极用于与外部电路连接；所述第二电极、所述第一半导体结构、所述第二半导体结构和所述第一电极依次层叠设置，所述第一电极位于所述第二半导体结构远离所述基底层的一侧；或者，所述第二电极包括间隔设置的第一子电极和第二子电极，所述第一半导体结构位于所述第一子电极远离所述基底层的一侧，所述第二半导体结构位于所述第二子电极远离所述基底层的一侧；所述第一电极位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构远离所述基底层的一侧，并将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构连接。4.根据权利要求2或3所述的显示基板，其特征在于，所述开关器件层包括层叠设置的绝缘层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间介质层以及源漏电极层。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一子电极和所述第二子电极复用所述第一栅极层；和/或，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋尊庆，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：