天线装置制造方法及图纸

天线装置(101)具备连接供电电路(1)的第1辐射元件(10)、第2辐射元件(20)、和具有初级线圈(L1)以及次级线圈(L2)的层叠构造的耦合元件(2)。第1辐射元件(10)具有第1谐振频率以及比第1谐振频率高的频率即第2谐振频率，第2辐射元件(20)具有比第2谐振频率靠近第1谐振频率的谐振频率。在俯视下，初级线圈(L1)与次级线圈(L2)重叠。初级线圈(L1)的一端与第1辐射元件(10)连接，次级线圈(L2)连接在第2辐射元件(20)与地之间，次级线圈(L2)的卷绕数比初级线圈(L1)的卷绕数多，多个次级线圈导体图案包含在俯视下内缘彼此的位置以及外缘彼此的位置中至少一者不同的多个导体图案。置中至少一者不同的多个导体图案。置中至少一者不同的多个导体图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线装置


[0001]本技术涉及应对宽频带或多个频带的天线装置。

技术介绍

[0002]在便携式电话中的数据通信用的天线中，例如需要遍及如0.7GHz～3.6GHz这样的宽带来确保给定的增益。以往，一般设置使天线的谐振频率选择性地变化的附加电路，并对该附加电路的开关进行切换，由此使其应对使用频带。
[0003]但是，为了应对通过同时利用多个频带来提高传输速率的载波聚合，寻求能够同时覆盖宽带的天线。应对这样的要求，在专利文献1示出了通过在供电辐射元件追加变压器和无供电辐射元件而使天线复谐振化，从而进行宽带化的天线装置。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第5505561号公报

技术实现思路

[0007]技术要解决的课题
[0008]如专利文献1所记载的天线装置那样，在将变压器和无供电辐射元件追加到供电辐射元件的天线装置中，供电辐射元件从供电电路直接被供电，因此与无供电辐射元件相比，电动势难以依赖于频率。在此，若用V表示变压器的次级线圈的电动势、用I1表示初级线圈的电流、用M表示变压器的互感、用f表示频率，并设次级线圈电流为0，则V＝2πfM
·
I1的关系成立。也就是说，在频率f低的低频段中，上述电动势V下降。因此，为了得到与高频段相同程度的增益，必须增大互感M，提高变压器的次级侧的电动势。
[0009]在此，若用L1表示变压器的初级线圈的自感、用L2表示次级线圈的自感、用M表示互感、用k表示初级线圈与次级线圈的耦合系数，则存在的关系。
[0010]在使用变压器的初级线圈，供电电路与供电辐射元件已经匹配的状态下，变得能够实现基于无供电辐射元件的宽带化，因此优选不变更供电辐射元件以及与其连接的变压器的初级线圈的结构。此外，在制造上难以提高耦合系数k。因此，为了提高互感M，只要使变压器的次级线圈的卷绕数比初级线圈的卷绕数多即可，但是其结果是，在次级线圈产生的寄生电容增加，因此变压器的自谐振频率变低。
[0011]因此，本技术的目的在于，提供一种具备供电辐射元件以及无供电辐射元件的确保了应对宽带或多个频带的天线的增益及其频带的天线装置。
[0012]用于解决课题的技术方案
[0013]作为本公开的一个例子的天线装置，
[0014]具备连接供电电路的第1辐射元件、第2辐射元件、和具有初级线圈以及次级线圈的层叠构造的耦合元件，
[0015]所述第1辐射元件具有第1谐振频率以及比所述第1谐振频率高的频率即第2谐振
频率，
[0016]所述第2辐射元件具有比所述第2谐振频率靠近所述第1谐振频率的谐振频率，
[0017]所述初级线圈包含多个初级线圈导体图案，
[0018]所述次级线圈包含多个次级线圈导体图案，
[0019]从所述初级线圈以及所述次级线圈的层叠方向观察，所述初级线圈与所述次级线圈重叠，
[0020]所述初级线圈与所述次级线圈磁场耦合，
[0021]所述初级线圈的一端与所述第1辐射元件连接，
[0022]所述次级线圈连接在所述第2辐射元件与地(ground)之间，
[0023]所述次级线圈的卷绕数比所述初级线圈的卷绕数多，
[0024]所述多个次级线圈导体图案包含在俯视下内缘彼此的位置以及外缘彼此的位置中至少一者不同的多个导体图案。
[0025]技术效果
[0026]根据本技术，可得到具备供电辐射元件以及无供电辐射元件的确保了应对宽带或多个频带的天线的增益及其频带的天线装置。
附图说明
[0027]图1是第1实施方式涉及的天线装置101的电路图。
[0028]图2是耦合元件2的立体图。
[0029]图3是构成第1实施方式涉及的天线装置101具备的耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。
[0030]图4是具有与图3所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。
[0031]图5是具有与图3所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。
[0032]图6是耦合元件2的等效电路图。
[0033]图7的(A)是示出第1实施方式的天线装置101的反射损耗的频率特性的图。图7的(B)是示出作为比较例的天线装置的反射损耗的频率特性的图。
[0034]图8是关于第2实施方式涉及的天线装置具备的耦合元件的图，并且是构成耦合元件的多层基板的各层的俯视图。
[0035]图9是具有与图8所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件的多层基板的各层的俯视图。
[0036]图10是具有与图8所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件的多层基板的各层的俯视图。
[0037]图11是第3实施方式涉及的天线装置102A的电路图。
[0038]图12是第3实施方式涉及的另一个天线装置102B的电路图。
[0039]图13是第3实施方式涉及的又一个天线装置102C的电路图。
具体实施方式
[0040]首先，对本技术涉及的天线装置的几个方式进行记载。
[0041]本技术涉及的第1方式的天线装置如用于解决课题的技术方案所述，具备连接供电电路的第1辐射元件、第2辐射元件、以及具有初级线圈以及次级线圈的层叠构造的耦合元件，
[0042]所述第1辐射元件具有第1谐振频率以及比所述第1谐振频率高的频率即第2谐振频率，
[0043]所述第2辐射元件具有比所述第2谐振频率靠近所述第1谐振频率的谐振频率，
[0044]所述初级线圈包含多个初级线圈导体图案，
[0045]所述次级线圈包含多个次级线圈导体图案，
[0046]从所述初级线圈以及所述次级线圈的层叠方向观察，所述初级线圈与所述次级线圈重叠，
[0047]所述初级线圈与所述次级线圈磁场耦合，
[0048]所述初级线圈的一端与所述第1辐射元件连接，
[0049]所述次级线圈连接在所述第2辐射元件与地之间，
[0050]所述次级线圈的卷绕数比所述初级线圈的卷绕数多，
[0051]所述多个次级线圈导体图案包含在俯视下内缘彼此的位置以及外缘彼此的位置中至少一者不同的多个导体图案。
[0052]根据上述结构，第1辐射元件的第1谐振频率附近根据第2辐射元件的谐振频率特性而被高增益化、宽带化。此外，在次级线圈导体图案彼此之间产生的寄生电容被抑制，耦合元件的自谐振频率提高。
[0053]因此，可确保针对第2辐射元件的电动势，可充分地提高低频段侧的增益。此外，通过提高耦合元件的自谐振频率，该自谐振频率成为使用频带外，从而防止由自谐振引起的辐射阻碍。
[0054]在本技术涉及的第2方式的天线装置中，所述初级线圈以及所述次级线圈进行卷绕，使得在从所述供电电路朝向所述第1辐射元件流过电流时在所述初级本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种天线装置，其特征在于，所述天线装置具备连接供电电路的第1辐射元件、第2辐射元件、和具有初级线圈以及次级线圈的层叠构造的耦合元件，所述第1辐射元件具有第1谐振频率以及比所述第1谐振频率高的频率即第2谐振频率，所述第2辐射元件具有比所述第2谐振频率靠近所述第1谐振频率的谐振频率，所述初级线圈包含多个初级线圈导体图案，所述次级线圈包含多个次级线圈导体图案，从所述初级线圈以及所述次级线圈的层叠方向观察，所述初级线圈与所述次级线圈重叠，所述初级线圈与所述次级线圈磁场耦合，所述初级线圈的一端与所述第1辐射元件连接，所述次级线圈连接在所述第2辐射元件与地之间，所述次级线圈的卷绕数比所述初级线圈的卷绕数多，所述多个次级线圈导体图案包含在俯视下内缘彼此的位置以及外缘彼此的位置中至少一者不同的多个导体图案。2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述初级线圈以及所述次级线圈进行卷绕，使得在从所述供电电路朝向所述第1辐射元件流过电流时在所述初级线圈产生的磁通的方向和在从所述地朝向所述第2辐射元件流过电流时在所述次级线圈产生的磁通的方向相互成为相反。3.根据权利要求1或2所述的天线装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边冬梦，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：