铌溅射靶制造技术

提供一种在整个靶寿命中膜厚均匀性优良的铌溅射靶。一种铌溅射靶，在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，将相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面，沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始三等分成上部、中央部以及下部，并且使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域根据式(1)求出{111}面积率的情况下，所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如式(2)所示的变化率为2.5以下：{111}面积率＝测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铌溅射靶


[0001]本专利技术涉及一种铌溅射靶。

技术介绍

[0002]在电子领域、耐腐蚀性材料和装饰的领域、催化剂领域，切削
·
研磨材料和耐磨耗性材料的制作等多个领域中，使用形成金属或陶瓷材料等的覆膜的溅射法。溅射法本身在上述领域中，是习知方法，在显示装置的表面上形成防反射膜时也可以使用溅射法，并且防反射膜可以使用Nb2O5膜。另外，最近在量子计算机等的互连用途上，Nb引人注目，期待活用铌溅射靶。为了应对这样的最先进用途，需要一种膜厚均匀性优良、反应性溅射的稳定性也没有问题的铌溅射靶。另外，关于铌溅射靶，已知有专利文献1。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
194072号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的一实施方式要解决的技术问题是，提供一种在整个靶寿命中膜厚均匀性(在使用相同的铌溅射靶通过溅射法形成多层膜的情况下，该多层膜之间的膜厚的均匀性)优良的铌溅射靶。
[0008]解决技术问题的方法
[0009][1]一种铌溅射靶，在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，将相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面，沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始，三等分成上部、中央部以及下部，并且使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域根据式(1)求出{111}面积率的情况下，所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如式(2)所示的变化率为2.5以下：
[0010]{111}面积率＝测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积
···
式(1)；
[0011]变化率＝[最大值－最小值]/最小值
···
式(2)。
[0012][2]如[1]所述的铌溅射靶，其中，所述中央部的{111}面积率为40％以下。
[0013][3]如[1]所述的铌溅射靶，其中，所述中央部的{111}面积率为60％以上。
[0014][4]如[1]～[3]中任一项所述的铌溅射靶，其中，在使用EBSD法测量所述上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域，根据式(3)求出{100}面积率的情况下，{100}面积率均为30％以上：
[0015]{100}面积率＝测量区域中的{100}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积
···
式(3)。
[0016][5]如[1]～[4]中任一项所述的铌溅射靶，其中，所述上部、中央部以及下部的平
均晶粒粒径均为30～100μm。
[0017][6]如[1]～[5]中任一项所述的铌溅射靶，其中，所述上部、中央部以及下部的平均晶粒粒径，如式(4)所示的变化率为1.0以下，
[0018]变化率＝[最大值－最小值]/最小值
···
式(4)。
[0019]专利技术的效果
[0020]根据本专利技术的一实施方式，能够提供一种在整个靶寿命中膜厚均匀性优良的铌溅射靶。
附图说明
[0021]图1是示出对本专利技术的一实施方式的铌溅射靶实施EBSD测量的断面区域的示意图。
[0022]图2是在实施例1中得到的铌溅射靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，对相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面进行EBSD测量时的晶体取向分布。
[0023]图3是在实施例2中得到的铌溅射靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，对相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面进行EBSD测量时的晶体取向分布。
[0024]图4是在比较例1中得到的铌溅射靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，对相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面进行EBSD测量时的晶体取向分布。
具体实施方式
[0025]以下，本专利技术不限于各实施方式，在不脱离其要旨的范围内，能够对组成要素进行变形并具体化。另外，能够通过适当地组合各实施方式中公开的多个组成要素，从而形成各种专利技术。例如，可以从实施方式所示的全部组成要素中删除若干个组成要素。进一步，可以适当组合不同的实施方式的组成要素。
[0026][1.铌溅射靶][0027](组成)
[0028]在本专利技术的铌溅射靶的一实施方式中，除了不可避免的杂质以外由铌金属形成。另外，在本专利技术的铌溅射靶的一实施方式中，纯度优选为99.95质量％以上。靶中的杂质，除了使得显示装置中的反射膜的反射特性变差以外，还是致使量子计算机的互连的可靠性降低的主要原因。因此，优选尽可能的高纯度。这里，纯度99.95质量％以上是指，通过辉光放电质谱分析法(GDMS)进行分析时，Na、Al、Si、K、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Ta、Mo、W的合计值为500质量ppm以下。
[0029](靶的形状)
[0030]本专利技术的铌溅射靶的形状，只要是板状则没有特别的限制，例如可列举圆板状、矩形平板状等平板状。铌溅射靶的板厚，没有限定，例如能够是2～18mm，典型地能够是3～10mm。
[0031]({111}面积率的变化率)
[0032]铌具有在被施加应变时{111}面会产生取向的性质。在通过轧制步骤制造板状的铌溅射靶的情况下，铌溅射靶中，通常，在厚度方向的中央部，会出现晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的区域(以下，也称作“带状组织”。)
[0033]虽然本专利技术并不意在限定于此，但是可以认为这是由于以下的理由。在轧制步骤中，由于沿厚度方向上下地施加压力，因此厚度方向的中央部被上下地强烈压缩。另外，厚度方向的上下部由于与轧制辊的摩擦因而变形受到阻碍，另一方面，厚度方向的中央部不会与轧制辊接触，而不会受到与轧制辊的摩擦的影响，因此应变在厚度方向的中央部集中。因此，铌溅射靶，在厚度方向上的中央部出现带状组织。
[0034]然而，带状组织出现在厚度方向上的中央部，意味着在溅射靶的厚度方向上的中央部，晶体取向发生了变化。在这种情况下，即使在相同的条件下进行溅射，在溅射靶的厚度方向上的中央部，溅射特性不同，溅射膜的膜厚会发生变化。其结果是，难以在整个靶寿命中维持溅射膜的膜厚均匀性。
[0035]因此，为了提高在整个靶寿命中的膜厚均匀性，优选使得晶粒的{111}面沿溅射面的法线方向取向的区域在靶的整个厚度方向上扩大，在厚度方向上的中央部，晶粒的{111}面不会沿溅射面的法线方向取向。更具体地，在将溅射靶沿溅射面的法线方向从所述溅射面侧三等分成上部、中央部以及下部，并对于各个部分使用EBSD法求出{111}面沿溅射面的法线方向取向的晶粒的面积率的情况下，变化率＝[最大值－最小值]/最小值优选较小。
[0036]另外，带状组织，尤其在溅射面的中心与外周的中间的位置处容易发达。也就是说，在溅射面的中心与外周的中间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种铌溅射靶，在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置，将相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面，沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始，三等分成上部、中央部以及下部，并且使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布，并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域根据式(1)求出{111}面积率的情况下，所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如式(2)所示的变化率为2.5以下：{111}面积率＝测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积
···
式(1)；变化率＝[最大值－最小值]/最小值
···
式(2)。2.如权利要求1所述的铌溅射靶，其中，所述中央部的{111}面积率为40％以下。3.如权利要求1所述的铌溅射靶，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田裕贵，永津光太郎，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：