抗菌短肽LBD-S及其应用和药物制造技术

本发明专利技术提供了一种抗菌短肽LBD

【技术实现步骤摘要】
抗菌短肽LBD
‑
S及其应用和药物


[0001]本专利技术涉及生物
，尤其是涉及一种抗菌短肽LBD
‑
S及其应用和药物。

技术介绍

[0002]生物抗生素耐药性问题是影响公共卫生及临床实践的主要问题之一，抗菌肽(Antimicrobial peptides，AMPs)作为一种重要的抗生素替代品，已经引起了人们的极大关注，大多数研究工作涉及抗菌肽的鉴定、体外活性和作用方式以及微生物耐药机制。抗脂多糖因子(ALFs)的脂多糖结合区(LBD)是ALF的主要功能元件，具有抗菌活性，一般具有22个氨基酸残基并由两个半胱氨酸组成一个二硫键结构。而且，LBD被认为是抗微生物和抗病毒活性的功能结构域。
[0003]由于目前鉴定和分离的众多天然抗菌肽活性不是很理想，或对真核细胞存在一定的毒性，因此对抗菌肽进行设计和改造成为克服此类缺点的首选方法，有助于未来开发具有吸引力的新型抗菌肽。以天然抗菌肽作为基础，对其序列进行适当地增减及氨基酸的碱基替换或者修饰，从而使得基础抗菌肽的生物学活性得到提高，从而更适用应用于生产实践中。
[0004]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的第一目的在于提供一种抗菌短肽LBD
‑
S，以解决上述问题中的至少一种。
[0006]本专利技术的第二目的在于提供一种抗菌短肽LBD
‑
S在制备抗细菌产品中的应用。
[0007]本专利技术的第三目的在于提供一种药物，包括抗菌短肽LBD
‑
S。
[0008]第一方面，本专利技术提供了一种抗菌短肽LBD
‑
S，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基酸序列为CTKKVKPDLKRFEKYFKGTVTC。
[0009]作为进一步技术方案，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端的半胱氨酸和羧基端的半胱氨酸之间具有二硫键结构。
[0010]作为进一步技术方案，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端和羧基端各自独立的进行了修饰。
[0011]作为进一步技术方案，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端进行了乙酰化修饰；
[0012]所述抗菌短肽LBD
‑
S的羧基端进行了酰胺化修饰。
[0013]第二方面，本专利技术提供了一种抗菌短肽LBD
‑
S在制备抗细菌产品中的应用。
[0014]作为进一步技术方案，所述产品包括药物或制剂。
[0015]作为进一步技术方案，所述细菌包括革兰氏阳性菌和/或革兰氏阴性菌。
[0016]作为进一步技术方案，所述革兰氏阳性菌包括枯草芽孢杆菌、谷氨酸棒状杆菌、溶壁微球菌或藤黄微球菌中的至少一种。
[0017]作为进一步技术方案，所述革兰氏阴性菌包括美人鱼发光杆菌。
[0018]第三方面，本专利技术提供了一种药物，包括抗菌短肽LBD
‑
S。
[0019]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0020]本专利技术提供了一种抗菌短肽LBD
‑
S，其氨基酸序列为CTKKVKPDLKRFEKYFKGTVTC，经专利技术人研究发现，该抗菌短肽LBD
‑
S疏水性低，亲水亲油性强，抗菌活性高，对于革兰氏阴性菌(例如枯草芽孢杆菌、谷氨酸棒状杆菌、溶壁微球菌、藤黄微球菌等)和革兰氏阳性菌(例如美人鱼发光杆菌等)，相较于改造前的抗菌短肽LBD
‑
ALF，本专利技术提供的抗菌短肽LBD
‑
S对于枯草芽孢杆菌、谷氨酸棒状杆菌和溶壁微球菌的抑制作用显著增强，能够用于制备抗细菌的产品中。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为LBD
‑
S短肽的亲水、疏水氨基酸的排布分析；
[0023]图2为LBD
‑
S的反相高效液相色谱图。
具体实施方式
[0024]下面将结合实施方式和实施例对本专利技术的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施方式和实施例仅用于说明本专利技术，而不应视为限制本专利技术的范围。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0025]以天然抗菌肽为基础模板，在一个或者几个序列上替换氨基酸对其进行设计并合成类似物是对抗菌肽进行改造设计的方法之一。影响抗菌肽抗菌活性的因素主要包括：净电荷量、疏水性、两亲性(疏水力矩)等一系列理化性质。通过调整这些影响因素，以提高抗菌肽衍生物的活性。
[0026]第一方面，本专利技术提供了一种抗菌短肽LBD
‑
S，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基酸序列为CTKKVKPDLKRFEKYFKGTVTC。
[0027]本专利技术提供了一种抗菌短肽LBD
‑
S，其氨基酸序列为CTKKVKPDLKRFEKYFKGTVTC，经专利技术人研究发现，该抗菌短肽LBD
‑
S疏水性低，亲水亲油性强，抗菌活性高，对于革兰氏阴性菌和革兰氏阳性菌，例如枯草芽孢杆菌、谷氨酸棒状杆菌、溶壁微球菌、藤黄微球菌和美人鱼发光杆菌等均具有较强的抑制作用，相较于改造前的抗菌短肽LBD
‑
ALF，本专利技术提供的抗菌短肽LBD
‑
S对于枯草芽孢杆菌、谷氨酸棒状杆菌和溶壁微球菌的抑制作用显著增强，能够用于制备抗细菌的产品中。
[0028]作为进一步技术方案，所述抗菌短肽LBD
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S的氨基端的半胱氨酸和羧基端的半胱氨酸之间具有二硫键结构。
[0029]本专利技术提供的抗菌短肽LBD
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S的氨基端和羧基端均为半胱氨酸，两端的半胱氨酸能够以二硫键进行连接，从而提高抗菌短肽LBD
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S的稳定性，避免降解。
[0030]作为进一步技术方案，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端和羧基端各自独立的进行了修饰。
[0031]通过对抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端和羧基端进行修饰，能够提高抗菌短肽LBD
‑
S的稳定性，减缓抗菌短肽LBD
‑
S的降解，本专利技术中对于修饰的具体类型或方式不做具体限制，通过对抗菌短肽LBD
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S的修饰达到提高抗菌短肽LBD
‑
S的稳定性即可。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗菌短肽LBD
‑
S，其特征在于，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基酸序列为CTKKVKPDLKRFEKYFKGTVTC。2.根据权利要求1所述的抗菌短肽LBD
‑
S，其特征在于，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端的半胱氨酸和羧基端的半胱氨酸之间具有二硫键结构。3.根据权利要求1所述的抗菌短肽LBD
‑
S，其特征在于，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端和羧基端各自独立的进行了修饰。4.根据权利要求2所述的抗菌短肽LBD
‑
S，其特征在于，所述抗菌短肽LBD
‑
S的氨基端进行了乙酰化修饰；所述抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：‑，
申请(专利权)人：北京师范大学珠海校区，
类型：发明
国别省市：