显示装置制造方法及图纸

技术编号:30532197 阅读:32 留言:0更新日期:2021-10-30 12:39
本公开涉及一种根据本发明专利技术构思的示例性实施例的显示装置,所述显示装置包括:第一基板;栅极线,栅极线设置在第一基板上,并且平行于第一方向延伸;存储电极线,存储电极线与栅极线设置在相同的层上;数据线,数据线与栅极线和存储电极线绝缘,并且平行于与第一方向垂直的第二方向延伸;漏电极,漏电极与数据线设置在相同的层上,并且包括延伸部;第一电极,第一电极电连接到漏电极;间隔件,间隔件设置在第一电极上;第二基板,第二基板与第一基板重叠;以及光阻挡层,光阻挡层设置在第二基板上,并且具有暴露第一电极的开口,漏电极的延伸部与数据线之间的沿着第一方向的分离距离为1μm至10μm。m至10μm。m至10μm。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月28日在韩国知识产权局提交的第10

2020

0051356号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0003]本公开涉及一种显示装置,并且详细地,涉及一种用于防止漏光的显示装置。

技术介绍

[0004]液晶显示器是目前广泛使用的显示装置之一。液晶显示器通过对形成在彼此面对的两个基板上的电极(像素电极和公共电极)施加电压来控制介于所述电极之间的液晶层中的液晶的排列,以控制透射光的量。
[0005]该液晶显示器包括连接到电极的薄膜晶体管。薄膜晶体管用作在液晶显示器中独立地驱动每个像素的开关元件。
[0006]详细地,薄膜晶体管是开关元件,所述开关元件响应于通过每个像素中的栅极线提供的栅极信号来控制将要通过数据线提供给像素电极的数据信号,并且所述薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅电极、设置在栅电极上并形成沟道的半导体层、设置在半导体层上并连接到数据线的源电极以及与源电极间隔开的漏电极,半导体层介于源电极和漏电极之间。
[0007]由于近来已经应用了可弯曲的显示装置,因此在弯曲过程期间可能发生显示装置的两个基板之间的不对准。
[0008]在本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对发本明构思的背景的理解,并且因此,以上信息可能包含不构成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0009]示例性实施例将提供一种用于防止由于上部基板和下部基板的不对准引起的漏光的显示装置。
[0010]一种根据本专利技术构思的示例性实施例的显示装置,包括:第一基板;栅极线,所述栅极线设置在所述第一基板上,并且平行于第一方向延伸;存储电极线,所述存储电极线与所述栅极线设置在相同的层上;数据线,所述数据线与所述栅极线和所述存储电极线绝缘,并且平行于与所述第一方向垂直的第二方向延伸;漏电极,所述漏电极与所述数据线设置在相同的层上,并且包括延伸部;第一电极,所述第一电极电连接到所述漏电极;间隔件,所述间隔件设置在所述第一电极上;第二基板,所述第二基板与所述第一基板重叠;以及光阻挡层,所述光阻挡层设置在所述第二基板上,并且具有暴露所述第一电极的开口,其中,所述漏电极的所述延伸部与所述数据线之间的沿着所述第一方向的分离距离为1μm至10μm。
[0011]所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第一方向的长度可以比所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第二方向的长度长。
[0012]所述存储电极线可以包括平行于所述第一方向设置的横向部分和沿着所述第二方向从所述横向部分突出的突出部分,并且所述存储电极线的突出部分可以被所述漏电极的所述延伸部完全覆盖。
[0013]所述存储电极线的所述延伸部的所述平面面积可以小于所述漏电极的所述延伸部的所述平面面积。
[0014]所述间隔件的沿着所述第一方向的长度比所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第一方向的长度长。
[0015]所述第一电极的沿着所述第一方向的宽度与所述间隔件的沿着所述第一方向的宽度之差可以为20%或更小。
[0016]所述光阻挡层的平行于所述第一方向延伸的一个边缘与所述间隔件的平行于所述第一方向延伸的一个边缘之间的距离可以为5μm至10μm。
[0017]所述光阻挡层的平行于所述第一方向延伸的一个边缘与所述漏电极的所述延伸部的平行于所述第一方向延伸的一个边缘之间的距离可以为10μm或更小。
[0018]所述漏电极的所述延伸部的平行于所述第一方向延伸的一个边缘可以设置为比所述间隔件的沿着所述第一方向延伸的一个边缘更靠近所述光阻挡层的所述开口。
[0019]还可以包括设置在所述漏电极和所述第一电极之间的滤色器,所述滤色器可以包括与所述漏电极重叠的开口,并且所述间隔件可以设置为在平面图中与所述开口重叠。
[0020]所述第一电极可以包括:平行于所述第二方向延伸的主干部分;从所述主干部分延伸的微小分支部分;以及连接到所述漏电极的突出部分。所述突出部分和所述主干部分可以彼此间隔开。
[0021]所述栅极线可以包括:第一栅极线和平行于所述第一方向延伸的第二栅极线;以及连接所述第一栅线和所述第二栅线的栅电极,并且所述间隔件在平面图中可以与所述栅电极重叠。
[0022]一种根据本专利技术构思的另一示例性实施例的显示装置,包括:第一基板;栅极线,所述栅极线设置在所述第一基板上,并且平行于第一方向延伸;存储电极线,所述存储电极线与所述栅极线设置在相同的层上;数据线,所述数据线与所述栅极线和所述存储电极线绝缘,并且平行于与所述第一方向垂直的第二方向延伸;漏电极,所述漏电极与所述数据线设置在相同的层上,并且包括延伸部;第一电极,所述第一电极电连接到所述漏电极;间隔件,所述间隔件设置在所述第一电极上;第二基板,所述第二基板与所述第一基板重叠;以及光阻挡层,所述光阻挡层设置在所述第二基板上,并且具有暴露所述第一电极的开口,其中,所述漏电极的所述延伸部包括第一区域和第二区域,所述第一区域的沿着所述第一方向的长度比所述第二区域的沿着所述第一方向的长度短,所述第二区域比所述第一区域更靠近所述光阻挡层的开口。
[0023]所述漏电极的所述延伸部的所述第一区域与所述数据线之间的沿着所述第一方向的分离距离可以为1μm至10μm。
[0024]所述间隔件的沿着所述第一方向的长度可以比所述漏电极的延伸部的沿着所述第一方向的长度长。
[0025]所述存储电极线可以包括平行于所述第一方向延伸的横向部分和从所述横向部分突出的突出部分,所述间隔件的沿着所述第一方向的长度比所述漏电极的所述延伸部的
沿着所述第一方向的长度长,并且在平面图中,所述存储电极线的所述横向部分可以与所述漏电极的所述延伸部的所述第一区域重叠。
[0026]所述存储电极线的整个突出部分可以被所述漏电极的所述延伸部覆盖。
[0027]根据本专利技术构思的另一示例性实施例的显示装置包括:第一基板;栅极线,所述栅极线设置在所述第一基板上,并且平行于第一方向延伸;存储电极线,所述存储电极线与所述栅极线设置在相同的层上;数据线,所述数据线与所述栅极线和所述存储电极线绝缘,并且平行于与所述第一方向垂直的第二方向延伸;漏电极,所述漏电极与所述数据线设置在相同的层上,并且包括延伸部;第一电极,所述第一电极电连接到所述漏电极;间隔件,所述间隔件设置在所述第一电极上;第二基板,所述第二基板与所述第一基板重叠;以及光阻挡层,所述光阻挡层设置在所述第二基板上,并且具有暴露所述第一电极的开口,其中,所述漏电极的所述延伸部包括平行于所述第一方向的第一边缘和第二边缘,所述第一边缘设置为比所述第二边缘更靠近所述光阻挡层的所述开口,并且所述第一边缘的沿着所述第一方向的长度比所述第二边缘的沿着所述第一方向的长度长。
[0028]所述漏电极的所述延伸部的平面形状可以是梯形。
[0029]本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:第一基板;栅极线,所述栅极线设置在所述第一基板上,并且平行于第一方向延伸;存储电极线,所述存储电极线与所述栅极线设置在相同的层上;数据线,所述数据线与所述栅极线和所述存储电极线绝缘,并且平行于与所述第一方向垂直的第二方向延伸;漏电极,所述漏电极与所述数据线设置在相同的层上,并且包括延伸部;第一电极,所述第一电极电连接到所述漏电极;间隔件,所述间隔件设置在所述第一电极上;第二基板,所述第二基板与所述第一基板重叠;以及光阻挡层,所述光阻挡层设置在所述第二基板上,并且具有暴露所述第一电极的开口,其中,所述漏电极的所述延伸部与所述数据线之间的沿着所述第一方向的分离距离为1μm至10μm。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第一方向的长度比所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第二方向的长度长。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述存储电极线包括平行于所述第一方向设置的横向部分和沿着所述第二方向从所述横向部分突出的突出部分,并且所述存储电极线的所述突出部分被所述漏电极的所述延伸部完全覆盖。4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述间隔件的沿着所述第一方向的长度比所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第一方向的长度长。5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极的沿着所述第一方向的宽度与所述间隔件的沿着所述第一方向的宽度之差为20%或更小。6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光阻挡层的平行于所述第一方向延伸的一个边缘与所述间隔件的平行于所述第一方向延伸的一个边缘之间的距离为5μm至10μm。7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光阻挡层的平行于所述第一方向延伸的一个边缘与所述漏电极的所述延伸部的平行于所述第一方向延伸的一个边缘之间的距离为10μm或更小。8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述漏电极的所述延伸部的平行于所述第一方向延伸的一个边缘设置为比所述间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员:李龙熙申东熹李根虎
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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