用于SSD的自适应存储调度器制造技术

一种电子装置的实施例可以包括：一个或多个基板、以及耦合到一个或多个基板的逻辑，所述逻辑用以：接收针对与流相关联的存储介质的当前访问请求；标识当前访问请求中的提示，所述提示指示来自所述流的未来访问请求的一个或多个流特性；以及基于来自所述流的未来访问请求的所指示的一个或多个流特性来处理当前访问请求。还公开和要求保护其他实施例。访问请求。还公开和要求保护其他实施例。访问请求。还公开和要求保护其他实施例。

【技术实现步骤摘要】
用于SSD的自适应存储调度器

技术介绍

[0001]固态驱动器（SSD）可以具有各种各样的规格，包括性能规格、散热规格和可靠性/耐用性规格。性能规格包括诸如每秒的输入/输出操作（IOPS）、吞吐量/带宽和时延之类的标准。非易失性存储器（NVM）快速（NVMe）规格（nvmexpress.org）描述了与用于访问存储设备的流的利用有关的各种特征。
附图说明
[0002]在附图中作为示例而非作为限制图示了本文中所描述的材料。为了说明的简洁和清楚，各图中图示的元件不一定按比例绘制。例如，一些元件的尺寸为了清楚可能相对于其他元件被夸大。此外，在认为适当的情况下，已经在各图当中重复了附图标记以指示对应或类似的元件。在各图中：图1是根据实施例的电子系统的示例的框图；图2是根据实施例的电子装置的示例的框图；图3A至3C是根据实施例的用于控制存储装置的方法的示例的流程图；图4是根据实施例的分布式计算环境的示例的框图；图5是根据实施例的计算系统的示例的框图；图6是根据实施例的计算系统的另一个示例的框图；以及图7是根据实施例的固态驱动器（SSD）设备的示例的框图。
具体实施方式
[0003]现在参考所公开的附图来描述一个或多个实施例或实现方式。虽然讨论了特定配置和布置，但应当理解的是，这仅仅是出于说明性目的而完成的。相关领域的技术人员将意识到，在不脱离本描述的精神和范围的情况下可以采用其他配置和布置。相关领域的技术人员将显而易见的是，本文中所描述的技术和/或布置也可以被采用在除了本文中所描述的那些之外的各种各样的其他系统和应用中。
[0004]虽然以下描述阐述了可以例如在诸如片上系统（SoC）架构之类的架构中显现的各种实现方式，但是本文中所描述的技术和/或布置的实现方式不限于特定架构和/或计算系统，并且可以由用于类似目的的任何架构和/或计算系统来实现。例如，采用例如多个集成电路（IC）芯片和/或封装、和/或各种计算设备和/或消费者电子（CE）设备（诸如，机顶盒、智能电话等）的各种架构可以实现本文中所描述的技术和/或布置。此外，虽然以下描述可以阐述众多特定细节（诸如，系统组件的逻辑实现方式、类型和相互关系、逻辑划分/集成选择等），但是所要求保护的主题可以在没有这种特定细节的情况下实践。在其他实例中，诸如例如控制结构和全软件指令序列之类的一些材料可能未详细示出，以免使本文中公开的材料模糊不清。
[0005]本文中公开的材料可以用硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本文中公开的材料还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和
执行。机器可读介质可以包括用于存储或传输采用由机器（例如，计算设备）可读形式的信息的任何介质和/或机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器（ROM）；随机存取存储器（RAM）；磁盘存储介质；光学存储介质；闪速存储器设备；电器、光学、声学或其他形式的传播信号（例如，载波、红外信号、数字信号等）以及其他的。
[0006]在说明书中对“一个实现方式”、“实现方式”、“示例实现方式”等的引用指示所描述的实现方式可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括该特定特征、结构或特性。此外，这种短语不一定是指同一实现方式。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，所认为的是，结合其他实现方式（无论是否在本文中被明确描述）来实现这种特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内。
[0007]本文中描述的各种实施例可以包括存储器组件和/或至存储器组件的接口。这种存储器组件可以包括易失性和/或非易失性（NV）存储器。易失性存储器可以是如下存储介质：该存储介质需要功率来维持由该介质存储的数据的状态。易失性存储器的非限制性示例可以包括各种类型的随机存取存储器（RAM），诸如动态RAM（DRAM）或静态RAM（SRAM）。可以在存储器模块中使用的一种特定类型的DRAM是同步动态RAM（SDRAM）。在特定实施例中，存储器组件的DRAM可以符合联合电子设备工程委员会（JEDEC）颁布的标准，诸如用于双倍数据速率（DDR）SDRAM的JESD79F、用于DDR2 SDRAM的JESD79
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2F、用于DDR3 SDRAM的JESD79
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3F、用于DDR4 SDRAM的JESD79
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4A、用于低功率DDR（LPDDR）的JESD209、用于LPDDR2的JESD209
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2、用于LPDDR3的JESD209
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3和用于LPDDR4的JESD209
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4（这些标准可从jedec.org获得）。这种标准（以及类似的标准）可以被称为基于DDR的标准，并且实现这种标准的存储设备的通信接口可以被称为基于DDR的接口。
[0008]NV存储器（NVM）可以是如下存储介质：该存储介质不需要功率来维持由该介质存储的数据的状态。在一个实施例中，存储器设备可以包括块可寻址存储器设备，诸如基于NAND或NOR技术的存储器设备。存储器设备还可以包括未来一代的非易失性设备，诸如三维（3D）交叉点存储器设备、或其他字节可寻址的就地写入非易失性存储器设备。在一个实施例中，存储器设备可以是或者可以包括使用以下各项的存储器设备：硫族化物玻璃、多阈值级NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储器（PCM）、电阻式存储器、纳米线存储器、铁电晶体管RAM（FeTRAM）、反铁电存储器、并入了忆阻器技术的磁阻RAM（MRAM）存储器、包括金属氧化物基体、氧空位基体和导电桥RAM（CB
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RAM）的电阻式存储器、或自旋转移矩（STT）
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MRAM、基于自旋电子磁性结存储器的设备、基于磁性隧道结（MTJ）的设备、基于DW（畴壁）和SOT（自旋轨道转移）的设备、基于晶闸管的存储器设备、或以上各项中的任何内容的组合、或其他存储器。存储器设备可以指代管芯本身和/或指代封装的存储器产品。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器组件可以符合由JEDEC颁布的一个或多个标准，诸如JESD218、JESD219、JESD220
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1、JESD223B、JESD223
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1或其他合适的标准（此处引用的JEDEC标准可从jedec.org获得）。
[0009]参考图1，电子系统10的实施例可以包括存储介质12、以及通信地耦合到存储介质12的控制器11。控制器11可以包括逻辑13，该逻辑用于：接收针对与流相关联的存储介质12的当前访问请求；标识当前访问请求中的提示，该提示指示来自该流的未来访问请求的一个或多个流特性；以及基于来自该流的未来访问请求的所指示的一个或多个流特性来处理当前访问请求。例如，逻辑13可以被配置成：基于该提示来确定针对该流的时延和带宽要求
中的一个或多个；基于该提示来确定该流的优先级；和/或基于该提示来确定针对该流的访问请求的粒度。在一些实施例中，逻辑13可以进一步被配置成基于来自该流的未来访问请求的所指示的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：一个或多个基板；以及耦合到一个或多个基板的逻辑，所述逻辑用以：接收针对与流相关联的存储介质的当前访问请求，标识当前访问请求中的提示，所述提示指示来自所述流的未来访问请求的一个或多个流特性，以及基于来自所述流的未来访问请求的所指示的一个或多个流特性来处理当前访问请求。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述逻辑进一步用以：基于所述提示来确定针对所述流的时延和带宽要求中的一个或多个。3.根据权利要求1至2中任一项所述的装置，其中所述逻辑进一步用以：基于所述提示来确定所述流的优先级。4.根据权利要求1至2中任一项所述的装置，其中所述逻辑进一步用以：基于所述提示来确定针对所述流的访问请求的粒度。5.根据权利要求1至2中任一项所述的装置，其中所述逻辑进一步用以：基于来自所述流的未来访问请求的所指示的一个或多个流特性来调度当前访问请求。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述逻辑进一步用以：将当前访问请求与来自所述流的未来访问请求中的一个或多个进行组合。7.根据权利要求1至2中任一项所述的装置，其中存储介质包括固态驱动器。8.一种电子系统，其包括：存储介质；以及控制器，其通信地耦合到存储介质，所述控制器包括如下逻辑，所述逻辑用以：接收针对与流相关联的存储介质的当前访问请求，标识当前访问请求中的提示，所述提示指示来自所述流的未来访问请求的一个或多个流特性，以及基于来自所述流的未来访问请求的所指示的一个或多个流特性来处理当前访问请求。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述逻辑进一步用以：基于所述提示来确定针对所述流的时延和带宽要求中的一个或多个。10.根据权利要求8至9中任一项所述的系统，其中所述逻辑进一步用以：基于所述提示来确定所述流的优先级。11.根据权利要求8至9中任一项所述的系统，其中所述逻辑进一步用以：基于所述提示来确定针对所述流的访问请求的粒度。12.根据权利要求8至9中任一项所述的系统，其中所述逻辑进一步用以：基于来自所述流的未来访问请求的所指示的一个或多个流特性来调度当前访问请求。13.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：