本发明专利技术的杂环化合物如下述通式(Ⅰ)所示,其适用于采用短波长的记录光和再生光的光学记录介质的光学记录层的形成。(式中,环A表示可以具有作为取代基的碳原子数为1~8的[烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、酰胺基]、卤素基、氰基、硝基、具有碳原子数为1~12的烃基的[磺酰基、亚磺酰基]、具有碳原子数为1~8的烷基的[烷基胺基、二烷基胺基]的[苯环或萘环],X表示CR↑[a]R↑[b]、NY、O、S或Se原子,R↑[a]和R↑[b]表示可连接起来形成3~6元环的碳原子数为1~12的烃基,Y表示氢原子或碳原子数为1~30的有机基团,R↑[1]和R↑[2]分别独立地表示氢原子、卤素基、氰基、碳原子数为1~4的烷基或碳原子数为7~18的芳烷基,R↑[3]和R↑[4]分别独立地表示碳原子数为1~4的烃基或连接起来形成不含多重键的杂环的基团,Y↑[1]表示氢原子、碳原子数为1~30的有机基团或通式(Ⅱ)所示的基团,An↑[q-]表示q价的阴离子,q表示1或2,p表示保持电荷为中性的系数)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型的杂环化合物和含有该杂环化合物的光学记录材料。该杂环化合物除了适用于光学记录剂以外,还可以适用于光吸收剂、光敏化剂和紫外线吸收剂等。
技术介绍
光学记录介质一般都具有记录容量大、记录和再生以非接触的方式进行等优良特征,因而得到广泛的普及。WORM、CD-R、DVD-R等追加记录型光盘是将激光聚集在光学记录层的极小面积上并改变光学记录层的性状来进行记录,并根据与未记录部分的反射光量的不同来进行再生。目前,有关上述光盘,用于记录和再生的半导体激光的波长为对CD-R而言为750~830nm,对DVD-R而言为620~690nm,为了进一步增加容量,对使用短波长激光的光盘进行了研究,例如正在研究使用380~420nm的光作为记录光的光盘。在这些短波长用光学记录介质的光学记录层中,作为光学记录材料,研究了吲哚衍生物。作为吲哚衍生物,例如对比文献1中报道了单次甲基花青(monomethinecyanine)化合物,专利文献2中报道了吲哚化合物。对于光学记录材料,最大吸收波长(λmax)必须适应记录光和再生光。此外,吸收强度较大的材料在记录感度和记录速度方面有优势。上述化合物的吸收波长特性不一定适合短波长激光。专利文献1特开2003-237233号公报专利文献2WO 01/44374号小册子
技术实现思路
因而,本专利技术旨在提供一种适合使用短波长的记录光和再生光的光学记录介质的化合物、以及含有该化合物的光学记录材料。本专利技术者等经过反复研究发现,具有特定结构的杂环化合物适合于光学记录材料,该光学记录材料用于采用380~420nm的激光的光学记录介质的光学记录层,从而完成了本专利技术。即,本专利技术提供下述通式(I)所示的杂环化合物、以及含有所述杂环化合物的光学记录材料,所述光学记录材料用于在基体上形成有光学记录层的光学记录介质的该光学记录层中。 (式中,环A表示可以具有作为取代基的碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为1~8的卤代烷基、碳原子数为1~8的烷氧基、碳原子数为1~8的卤代烷氧基、氰基、硝基、具有碳原子数为1~12的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~12的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基胺基、具有碳原子数为1~8的烷基的二烷基胺基、碳原子数为1~8的酰胺基或卤素基的苯环;或者表示可以具有作为取代基的碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为1~8的卤代烷基、碳原子数为1~8的烷氧基、碳原子数为1~8的卤代烷氧基、氰基、硝基、具有碳原子数为1~12的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~12的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基胺基、具有碳原子数为1~8的烷基的二烷基胺基、碳原子数为1~8的酰胺基或卤素基的萘环,X表示CRaRb、NY、O、S或Se原子,Ra和Rb表示可连接起来形成3~6元环的碳原子数为1~12的烃基,Y表示氢原子或碳原子数为1~30的有机基团,R1和R2分别独立地表示氢原子、卤素基、氰基、碳原子数为1~4的烷基或碳原子数为7~18的芳烷基,R3和R4分别独立地表示碳原子数为1~4的烃基或连接起来形成不含多重键的杂环的基团,Y1表示氢原子、碳原子数为1~30的有机基团或下述通式(II)所示的基团,Anq-表示q价的阴离子,q表示1或2,p表示保持电荷为中性的系数。) (式中,R5~R13分别独立地表示氢原子或可被卤原子取代且链中的亚甲基可被-O-或-CO-取代的碳原子数为1~4的烷基,M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh或Pt,Z表示直接键合或碳原子数为1~8的亚烷基,所述亚烷基中的亚甲基可以被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代。)具体实施方式上述通式(I)中,作为A所表示的苯环或萘环的取代基的碳原子数为1~8的烷基,可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等。作为上述取代基的碳原子数为1~8的卤代烷基,可以列举出氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、二溴甲基、三溴甲基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基等。作为上述取代基的碳原子数为1~8的烷氧基,可以列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、己氧基、辛氧基等。作为上述取代基的碳原子数为1~8的卤代烷基,可以列举出氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、溴甲氧基、二溴甲氧基、三溴甲氧基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、2,2,2-三氟乙氧基、全氟乙氧基、全氟丙氧基、全氟丁氧基等。作为上述取代基的磺酰基或亚磺酰基所具有的碳原子数为1~12的烃基,可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基等烷基;乙烯基、1-甲基乙烯-1-基、丙烯-1-基、丙烯-2-基、丙烯-3-基、丁烯-1-基、丁烯-2-基、2-甲基丙烯-3-基、1,1-二甲基乙烯-2-基、1,1-二甲基丙烯-3-基等链烯基;苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-环己基苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,4,5-三甲基苯基等芳基;苄基、2-甲基苄基、3-甲基苄基、4-甲基苄基、2,4-二甲基苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基。作为具有上述取代基的烷基胺基或二烷基胺基所具有的碳原子数为1~8的烷基,可以列举出以上列举的碳原子数为1~8的烷基。作为构成上述取代基的碳原子数为1~8的酰胺基的酰基,可以列举出乙酰基、丙酰基、辛酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基等。作为上述取代基的卤素基,可以列举出氟、氯、溴、碘。上述通式(I)中,作为Ra和Rb所示的碳原子数为1~12的烃基,可以列举出上述磺酰基所具有的碳原子数为1~12的烃基,作为Ra和Rb连接形成的3~6元环,可以列举出环丙烷-1,1-二基、环丁烷-1,1-二基、2,4-二甲基环丁烷-1,1-二基、3-二甲基环丁烷-1,1-二基、环戊烷-1,1-二基、环己烷-1,1-二基。Y所示的碳原子数为1~30的有机基团没有特别的限制,可以列举出例如,甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等烷基;乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、1-苯本文档来自技高网...
【技术保护点】
下述通式(Ⅰ)所示的杂环化合物, *** (Ⅰ) 式中,环A表示可以具有作为取代基的碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为1~8的卤代烷基、碳原子数为1~8的烷氧基、碳原子数为1~8的卤代烷氧基、氰基、硝基、具有碳原子数为1~12的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~12的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基胺基、具有碳原子数为1~8的烷基的二烷基胺基、碳原子数为1~8的酰胺基或卤素基的苯环;或者表示可以具有作为取代基的碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为1~8的卤代烷基、碳原子数为1~8的烷氧基、碳原子数为1~8的卤代烷氧基、氰基、硝基、具有碳原子数为1~12的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~12的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基胺基、具有碳原子数为1~8的烷基的二烷基胺基、碳原子数为1~8的酰胺基或卤素基的萘环,X表示CR↑[a]R↑[b]、NY、O、S或Se原子,R↑[a]、R↑[b]表示可连接起来形成3~6元环的碳原子数为1~12的烃基,Y表示氢原子或碳原子数为1~30的有机基团,R↑[1]和R↑[2]分别独立地表示氢原子、卤素基、氰基、碳原子数为1~4的烷基或碳原子数为7~18的芳烷基,R↑[3]和R↑[4]分别独立地表示碳原子数为1~4的烃基或连接起来形成不含多重键的杂环的基团,Y↑[1]表示氢原子、碳原子数为1~30的有机基团或下述通式(Ⅱ)所示的基团,An↑[q-]表示q价的阴离子,q表示1或2,p表示保持电荷为中性的系数; *** (Ⅱ) 式中,R↑[5]~R↑[13]分别独立地表示氢原子或可被卤原子取代且链中的亚甲基可被-O-或-CO-取代的碳原子数为1~4的烷基,M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh或Pt,Z表示直接键合或碳原子数为1~8的亚烷基,所述亚烷基中的亚甲基可以被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO↓[2]-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-9-27 279314/20041.下述通式(I)所示的杂环化合物, 式中,环A表示可以具有作为取代基的碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为1~8的卤代烷基、碳原子数为1~8的烷氧基、碳原子数为1~8的卤代烷氧基、氰基、硝基、具有碳原子数为1~12的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~12的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基胺基、具有碳原子数为1~8的烷基的二烷基胺基、碳原子数为1~8的酰胺基或卤素基的苯环;或者表示可以具有作为取代基的碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为1~8的卤代烷基、碳原子数为1~8的烷氧基、碳原子数为1~8的卤代烷氧基、氰基、硝基、具有碳原子数为1~12的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1~12的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基胺基、具有碳原子数为1~8的烷基的二烷基胺基、碳原子数为1~8的酰胺基或卤素基的萘环,X表示CRaRb、NY、O、S或Se原子,Ra、Rb表示可连接起来形成3~6元环的碳原子数为1~12的烃基,Y表示氢原子或碳原子数为1~30的有机基团,R1和R2分别独立地表示氢原子、卤素基、氰基、碳原子数为1~4的烷基或碳原子数为7~18的芳烷基,R3和R4分别独立地表示碳原子数为1~4的烃基或连接起来形成不含多重键的杂环的基团,Y1表示氢原子、碳原子数为1~30的有机基团或下述通式(II)所示的基团,Anq-表示q价的阴离子,q表示1或2,p表示保持电荷为中性的系数; 式中,R5~R13分别独立地表示氢原子或可被卤原子取代且链中的亚甲基可被-O-或-CO-取代的碳原子数为1~4的烷基,M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、R...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳泽智史,久保田裕介,
申请(专利权)人:株式会社艾迪科,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。