阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备技术

本公开实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备，方法包括：在第一膜层上制备平坦化的有机膜层，第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔和第二类开孔，以得到第一阵列基板；在第一阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理，以得到第二阵列基板；在第二阵列基板上TFT开关基础膜层上制备预定膜层，以得到第三阵列基板；采用全连版的APR版对第三阵列基板进行配向处理，以得到具有厚度均一PI膜层的第四阵列基板；在第四阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理，以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备


[0001]本公开涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备。

技术介绍

[0002]现有周边黑Mura(不均匀)发生机理：在印刷过程中(即涂覆配向膜的工艺，将PI液通过版酮旋转延展均匀后再通过APR版将配向膜转印至Pattern面板上的过程)，版胴对基板施加压力，Main PI Pattern(主PI图案)内部受力均一，但由于Pattern之间存在Slit(狭缝)，如图1所示，图1中每个Pattern都是分开的，导致PI膜都是分开的，Pattern边缘受力或形变与面内不同，导致PI Pattern边缘印刷不均并扩散回流，最终PI膜厚度不均匀导致周边Mura现象。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提出了一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备，用以解决现有技术的如下问题：非连版的APR版中Pattern边缘受力或形变与面内不同，导致PI Pattern边缘印刷不均并扩散回流，最终PI膜厚度不均匀导致周边Mura现象。
[0004]一方面，本公开实施例提出了一种阵列基板的制造方法，包括：在第一膜层上制备平坦化的有机膜层，其中，所述第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔和第二类开孔，以得到第一阵列基板，其中，所述第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方，所述第二类开孔位于所述端子走线区域中各个端子走线的间隙位置；在所述第一阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理，以得到第二阵列基板；在所述第二阵列基板上所述TFT开关基础膜层对应的全部有机膜层上制备预定膜层，以得到第三阵列基板；采用全连版的APR版对所述第三阵列基板进行配向处理，以得到具有厚度均一PI膜层的第四阵列基板，其中，所述全连版的APR版图案与图案之间不存在间隙；在所述第四阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理，以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。
[0005]在一些实施例中，所述预定膜层至少包括像素层。
[0006]在一些实施例中，所述第一类开孔的尺寸大于所述第二类开孔的尺寸。
[0007]在一些实施例中，所述第一类开孔的深度小于所述第二类开孔的深度。
[0008]在一些实施例中，所述第一类开孔的爬坡角小于所述第二类开孔的爬坡角。
[0009]另一方面，本公开实施例提出了一种阵列基板，所述阵列基板通过本公开任一实施例所述的阵列基板的制造方法制造得到，包括：第一膜层，其中，所述第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；在所述第一膜层中所述TFT开关基础膜层上设置的平坦化的有机膜层，其中，所述平坦化的有机膜层设置有第一类开孔，所述第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方；在所述平坦化的有机膜层上设置的预定膜层；在所述预定膜层上设置的
PI膜层。在一些实施例中，所述预定膜层至少包括像素层。
[0010]另一方面，本公开实施例提出了一种显示面板，包括本公开任一实施例所述的阵列基板。
[0011]另一方面，本公开实施例提出了一种电子设备，包括本公开任一实施例所述的显示面板。
[0012]本公开实施例提供的阵列基板的制造方法解决了PI膜在Pattern边缘涂覆不均造成的周边Mura的问题，尤其是显示面板端子走线区域与像素显示区域之间的边缘的周边Mura问题；本公开实施例的工艺方法不仅能够消除Pattern边缘的周边Mura，提升了面板的显示画质，而且还保护了端子走线区域的裸露金属在工艺中免受机械或化学损伤，从而保证后续压接bongding工艺能够正常进行。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为现有技术提供的非连接APR版的示意图；
[0015]图2为本公开实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图；
[0016]图3为本公开实施例提供的为开孔后的阵列基板的正视图；
[0017]图4为本公开实施例提供的为全连版的APR版的示意图；
[0018]图5为本公开实施例提供的阵列基板加工流程截面示意图；
[0019]图6为本公开实施例提供的阵列基板的界面示意图。
[0020]附图标记：
[0021]1‑
衬底，2
‑
第一膜层，3
‑
有机膜层，4
‑
预定膜层，5
‑
PI膜层，21
‑
TFT开关基础膜层，22
‑
端子走线区域，211
‑
第一类开孔，221
‑
第二类开孔，222
‑
端子走线。
具体实施方式
[0022]为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0023]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关
系也可能相应地改变。
[0024]为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
[0025]本公开实施例提供了一种阵列基板的制造方法，其流程如图2所示，包括步骤S201至S206：
[0026]S201，在第一膜层2上制备平坦化的有机膜层3，其中，第一膜层2包括：TFT开关基础膜层21和端子走线区域22。
[0027]S202，采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔211和第二类开孔221，以得到第一阵列基板，其中，第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方，第二类开孔位于端子走线区域中各个端子走线的间隙位置。
[0028]具体实现时，第一类开孔的尺寸大于第二类开孔的尺寸；第一类开孔的深度小于第二类开孔的深度；第一类开孔的爬坡角本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在第一膜层上制备平坦化的有机膜层，其中，所述第一膜层包括：TFT开关基础膜层和端子走线区域；采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔和第二类开孔，以得到第一阵列基板，其中，所述第一类开孔位于像素显示区域中TFT上方，所述第二类开孔位于所述端子走线区域中各个端子走线的间隙位置；在所述第一阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理，以得到第二阵列基板；在所述第二阵列基板上所述TFT开关基础膜层对应的全部有机膜层上制备预定膜层，以得到第三阵列基板；采用全连版的APR版对所述第三阵列基板进行配向处理，以得到具有厚度均一PI膜层的第四阵列基板，其中，所述全连版的APR版图案与图案之间不存在间隙；在所述第四阵列基板上对所述端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理，以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述预定膜层至少包括像素层。3.如权利要求1或2所述的阵列基板的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄安，雷金波，蒋学兵，邵贤杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：