盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的方法技术

一种多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法。该多层盘片包含有多个层，每一层内包含有多个已完成烧录的区段。该多层盘片另包含有一内驱动区。该烧录方法包括：计算额外烧录的开始地址、烧录数据至该多层盘片、以及产生一新的延伸目录表。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的方法，特别是有关于一种多层。
技术介绍
请参阅图1，图1是现有技术在数据存储区(data zone)容量固定下在一双层盘片(例如DVD+R double layer disc)100的各数据区段结构的示意图。双层盘片100包含有第零层Layer_0与第一层Layer_1，分别详述如下。第零层Layer_0包含有一第零层内驱动区(inner drive area 0)101、一引入区(lead-in zone)102、一数据存储区(data zone)103、一第零层中介区(middle zone 0)104、以及一第零层外驱动区(outer drive area 0)105；第一层Layer_1包含有一第一零层内驱动区(inner drive area 1)111、一引出区(lead-out zone)112、一数据存储区(data zone)113、一第一层中介区(middle zone 1)114、以及一第一层外驱动区(outer drive area1)115。在第零层内驱动区101内另包含有一目录表TOC(table of content)(未显示)，其记录光盘片的所有文件目录等信息。由图1可知，虽然双层盘片100在第零层Layer_0和第一层Layer_1的外驱动区外尚有空白区域可存储数据，然而由于双层盘片100己写至引出区112，是以数据存储区的容量(即数据存储区103以及113的容量)己经固定，故即使空白区域可存储数据，也无法为双层盘片100所使用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种多层，以解决上述问题。为达成上述目的，本专利技术提供一种多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法。该多层盘片包含有多个层，每一层内包含有多个已完成烧录的区段。该多层盘片另包含有一内驱动区。该烧录方法包括计算额外烧录的开始地址、烧录数据至该多层盘片、以及产生一新的延伸目录表。本专利技术另提供一种多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的读取方法。该读取方法包含有接收读取数据指令、计算读取数据的开始地址、以及从多层盘片读取数据。为了让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1是现有技术在数据存储区容量固定下在一双层盘片的各数据区段结构的示意图。图2是本专利技术在数据存储区容量固定下额外烧录数据方法应用于一双层盘片的各数据区段结构的一实施例示意图。图3显示一延伸目录表的架构示意图。图4显示各区段的非使用数据地址的示意图。图5是本专利技术在数据存储区容量固定下额外烧录数据的流程图。附图符号说明内驱动区 101、111、201、211引入区102、202数据存储区103、113、203、206、207、213、216、217中介区104、114、204、214外驱动区 105、115、205、215引出区112、212闭合区208、209、218、219具体实施方式请参阅图2，图2是本专利技术在数据存储区容量固定下额外烧录数据方法应用于一盘片(例如DVD+R disc)200的各数据区段结构的一实施例示意图，盘片200包含有多个层(第零层、第一层、第二层、第三层......)。请注意，盘片的种类繁多，在此是以DVD+R盘片包含有双层(第零层、以及第一层)为例，然本专利技术并未限定盘片的种类以及未限定仅层数(换句话说，可使用于多层盘片)。以双层为例，盘片200包含有第零层Layer_0与第一层Layer_1，分别详述如下。第零层Layer_0包含有一第零层内驱动区(innerdrive area 0)201、一引入区(lead-in zone)202、多个数据存储区(datazone)203、206、以及207、一第零层中介区(middle zone 0)204、一第零层外驱动区(outer drive area 0)205、以及多个闭合区(closure)208、209；第一层Layer_1包含有一第一零层内驱动区(inner drive area 1)211、一引出区(lead-out zone)212、多个数据存储区(data zone)213、216、以及217、一第一层中介区(middle zone 1)214、一第一层外驱动区(outerdrive area 1)215、以及多个闭合区(closure)218、219。由图2可知，若第一次烧录的数据量小于光盘片容量，虽然在烧录时已由引入区202烧至引出区212(数据存储区容量已固定)，仍可自外驱动区205开始进行多次续烧，并且顺利读取，关于读取方面的细节留待后述。在本实施例中，第二次烧录是由第零层的数据存储区206烧录至第一层的数据存储区216，第三次烧录是由第零层的数据存储区207烧录至第一层的数据存储区217。从第二次烧录以后，每次烧录皆由闭合区(closure)后开始进行烧录。请注意，在此是以烧录3次为例，然而本专利技术并未限定烧录的次数。后续烧录时额外烧录数据的细节详述如下。请参阅图3，图3显示一延伸目录表(table of extended content)TOEC的架构示意图。延伸目录表TOEC是位于第零层内驱动区201内，其结构类似于现有目录表TOC，主要的不同处在于另外新增关于每次绕录时跳层的信息，以供后续烧录时额外烧录数据的跳跃地址(layer jump address)记录。延伸目录表TOEC包含有16个位B0-B15，分属于不同的项目(item)，其中前6个项目内的前13个位(B0-B12)定义和现有目录表TOC类似，第7个项目的3个位(B13-B15)则用来记录后续烧录时额外烧录数据的跳跃地址。前六项目的功能简述如下第一项目(B0-B2)是延伸目录表TOEC的描述符(descriptor)，用来描述延伸目录表TOEC；第二项目(B3)是区段(session)状态描述；第三项目(B4)是区段(session)号码描述；第四项目(B5-B7)是区段(session)开始地址描述；第五项目(B8-B10)是区段(session)结束地址描述；第六项目(B11-B12)是最后一轨轨数/编号(last fragmentnumber)描述。以下说明如何利用第七项目所存储的各个区段的跳跃地址信息作新的寻址(有别于现有寻址方式)以顺利读取后续烧录的数据存储区(206、207、216、217)。一般来说，主机端(host)和操作系统是利用逻辑区块地址LBA(logicblock address)作为其寻址方式，实际上光驱在寻址时需要将逻辑区块地址LBA转换为物理地址PBA(physical block address)后，方能进行后续存取动作。现有转换仅能有效作用于区段(session)1(即数据存储区203以及213)，后续绕录的区段2(即数据存储区206以及216)以及区段3(即数据存储区207以及217)皆无法顺利转换。而本专利技术利用第七项目所存储的跳跃地址信息配合下述定义的非使用数据地址(non-user address)NUA作一暂时寻址，先将逻辑区块地址LBA转换为非使用数据地址NUA后，再将非使用数据地址NU本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，该多层盘片包含有多个层，每一层内包含有多个已完成烧录的区段，该多层盘片另包含有一内驱动区，其包括：计算额外烧录的开始地址；烧录数据至该多层盘片；以及产生一新 的延伸目录表。

【技术特征摘要】
1.一种多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，该多层盘片包含有多个层，每一层内包含有多个已完成烧录的区段，该多层盘片另包含有一内驱动区，其包括计算额外烧录的开始地址；烧录数据至该多层盘片；以及产生一新的延伸目录表。2.如权利要求1所述的多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，其中，该内驱动区用以存储一延伸目录表以及一目录表，该延伸目录表以及该目录表是用来纪录各区段的开始、结束、以及跳跃地址。3.如权利要求2所述的多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，其中，在额外烧录数据的步骤前，另包含有挂载该多层盘片读取内层驱动区中的该目录表或该延伸目录表中的开始、结束、以及跳跃地址；以及进行地址转换。4.如权利要求3所述的多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，另包含有依据各区段的跳跃地址来进行地址转换步骤为将一物理地址转换为一非使用数据地址。5.如权利要求1所述的多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，其中，计算出额外烧录的开始地址的步骤后包含有将该额外烧录指令中的欲烧录的一逻辑区块地址转换为一非使用数据地址，以及再将该非使用数据地址转换为一物理地址。6.如权利要求5所述的多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，其中，该非使用数据地址是将欲烧录的该逻辑区块位加上一预定常数，而该非使用数据地址是依据各区段的开始、结束、跳跃地址来判断该欲烧录数据是位于该多层盘片的何区段以及何层，以转换为该物理地址。7.如权利要求1所述的多层盘片在数据存储区的容量固定下额外烧录数据的烧录方法，其中，在进行额外烧录的步骤前，另包含有接...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖彦颖，郑智太，徐永智，
申请(专利权)人：明基电通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]