显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:30519632 阅读:22 留言:0更新日期:2021-10-27 23:03
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括有效区域和边框区域,有效区域包括显示区和至少一个测试区,显示区包括多个子像素,至少一个子像素包括像素驱动电路,测试区包括至少一个测试单元,测试单元包括测试晶体管、多个测试引线和多个测试端子,测试晶体管与像素驱动电路中至少一个晶体管的结构相同,多个测试端子通过多个测试引线与测试晶体管连接;边框区域设置有多个测试引脚和多条连接线,多个测试引脚通过多条连接线与多个测试端子对应连接。本公开通过在有效区域形成测试电路,测试电路中测试晶体管的特性与显示区中对应的晶体管特性基本上一致,测试晶体管能够准确地反映显示区中晶体管的实际特性。特性。特性。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开涉及但不限于显示
,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
[0003]经本申请专利技术人研究发现,现有OLED显示基板上的测试组件不能准确反映显示区域中晶体管的实际特性。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,解决现有测试组件不能准确反映显示区域中晶体管的实际特性的问题。
[0006]本公开提供了一种显示基板,包括有效区域以及位于所述有效区域外围的边框区域,所述有效区域包括显示区和至少一个测试区,所述显示区包括多个子像素,至少一个子像素包括像素驱动电路,所述测试区包括至少一个测试单元,所述测试单元包括测试晶体管、多个测试引线和多个测试端子,所述测试晶体管与所述像素驱动电路中至少一个晶体管的结构相同,所述多个测试端子通过所述多个测试引线与所述测试晶体管连接;所述边框区域设置有多个测试引脚和多条连接线,所述多个测试引脚通过多条连接线与所述多个测试端子对应连接。
[0007]在示例性实施方式中,至少一个测试端子以及连接所述测试端子的测试引线同层设置,且为相互连接的一体结构。
[0008]在示例性实施方式中,所述测试单元还包括多个辅助引脚,所述多个辅助引脚通过所述多条连接线与所述多个测试引脚对应连接,所述多个测试端子通过过孔与所述多个辅助引脚对应连接。
[0009]在示例性实施方式中,至少一个测试引脚、至少一个辅助引脚以及连接所述测试引脚和辅助引脚的连接线同层设置,且为相互连接的一体结构。
[0010]在示例性实施方式中,所述多个测试端子至少包括栅测试端子、源测试端子和漏测试端子,所述多个测试引线至少包括栅测试引线、源测试引线和漏测试引线;所述测试晶体管的控制极通过所述栅测试引线与所述栅测试端子连接,所述测试晶体管的第一极通过所述源测试引线与所述源测试端子连接,所述测试晶体管的第二极通过所述漏测试引线与所述漏测试端子连接。
[0011]在示例性实施方式中,所述测试区还包括至少一个虚拟像素,至少一个虚拟像素包括虚拟像素驱动电路,所述虚拟像素驱动电路与所述像素驱动电路的结构相同,所述虚拟像素驱动电路设置在相邻的测试引线之间。
[0012]在示例性实施方式中,在垂直于显示基板的平面内,所述显示基板包括在基底上依次设置的第一半导体层、第一导电层、第二导电层、第二半导体层、第三导电层、第四导电层和第五导电层;所述第一半导体层包括多个多晶硅晶体管的有源层,所述第一导电层包括多个多晶硅晶体管的栅电极和存储电容的第一极板,所述第二导电层包括存储电容的第二极板,所述第二半导体层包括多个氧化物晶体管的有源层,所述第三导电层包括多个氧化物晶体管的栅电极,所述第四导电层包括多个多晶硅晶体管的第一极和第二极以及多个氧化物晶体管的第一极和第二极,所述第五导电层包括数据信号线和第一电源线。
[0013]在示例性实施方式中,所述多个测试端子位于所述第四导电层上。
[0014]在示例性实施方式中,所述多个测试引线位于所述第四导电层或第五导电层上。
[0015]在示例性实施方式中,所述测试引脚、连接线和辅助引脚位于所述第二导电层上。
[0016]在示例性实施方式中,所述像素驱动电路包括至少一个金属氧化物晶体管和至少一个低温多晶硅晶体管,所述测试区包括至少一个与所述金属氧化物晶体管结构相同的第一测试晶体管或第二测试晶体管,以及至少一个与所述低温多晶硅晶体管结构相同的第三测试晶体管或第四测试晶体管。
[0017]在示例性实施方式中,所述第一测试晶体管中第一测试有源层的第一区与第一源测试引线连接,第一测试有源层的第二区通过过孔与第一漏测试引线连接,所述第一测试晶体管中第一测试栅电极通过过孔与第一栅测试引线连接。
[0018]在示例性实施方式中,所述第一测试晶体管还包括第一测试连接电极,所述第一测试连接电极通过过孔与所述第一测试有源层的第一区连接,所述第一源测试引线通过过孔与所述第一测试连接电极连接。
[0019]在示例性实施方式中,所述第一测试晶体管还包括第一测试遮挡线,所述第一测试遮挡线通过过孔与所述第一栅测试引线连接。
[0020]在示例性实施方式中,所述第三测试晶体管中第三测试有源层的第一区通过过孔与第三源测试引线连接,第三测试有源层的第二极通过过孔与第三漏测试引线连接,所述第三测试晶体管中第三测试栅电极与第三栅测试引线连接。
[0021]在示例性实施方式中,所述第三测试晶体管还包括第三测试连接电极,所述第三测试连接电极通过过孔与所述第三测试栅电极连接,所述第一栅测试引线通过过孔与所述第三测试连接电极连接。
[0022]在示例性实施方式中,所述第三测试晶体管还包括测试遮挡块以及与所述测试遮挡块连接的遮挡连接线,所述遮挡连接线通过过孔与第三辅助测试引线的一端连接,所述第三辅助测试引线的另一端与第三辅助测试端子连接。
[0023]在示例性实施方式中,所述第四测试晶体管中第四测试有源层的第一区与第四源测试引线连接,第四测试有源层的第二极通过过孔与第四漏测试引线连接,所述第一测试晶体管中第四测试栅电极通过过孔与第四栅测试引线连接。
[0024]在示例性实施方式中,所述第四测试晶体管还包括第四测试连接电极,所述第四测试连接电极通过过孔与所述第四测试有源层的第一区连接,所述第四源测试引线通过过
孔与所述第四测试连接电极连接。
[0025]本公开还提供了一种显示装置,包括前述的显示基板。
[0026]本公开还提供了一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括有效区域以及位于所述有效区域外围的边框区域,所述有效区域包括显示区和至少一个测试区,所述显示区包括多个子像素;所述制备方法包括:
[0027]在所述显示区的至少一个子像素内形成至少一个像素驱动电路,在所述测试区形成至少一个测试单元,在所述边框区域形成多个测试引脚和多条连接线;
[0028]所述测试单元包括测试晶体管、多个测试引线和多个测试端子,所述测试晶体管与所述像素驱动电路中至少一个晶体管的结构相同,所述多个测试端子通过所述多个测试引线与所述测试晶体管连接;所述多个测试引脚通过多条连接线与所述多个测试端子对应连接。
[0029]本公开示例性实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置,通过在有效区域形成测试电路,测试电本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括有效区域以及位于所述有效区域外围的边框区域,所述有效区域包括显示区和至少一个测试区,所述显示区包括多个子像素,至少一个子像素包括像素驱动电路,所述测试区包括至少一个测试单元,所述测试单元包括测试晶体管、多个测试引线和多个测试端子,所述测试晶体管与所述像素驱动电路中至少一个晶体管的结构相同,所述多个测试端子通过所述多个测试引线与所述测试晶体管连接;所述边框区域设置有多个测试引脚和多条连接线,所述多个测试引脚通过多条连接线与所述多个测试端子对应连接。2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,至少一个测试端子以及连接所述测试端子的测试引线同层设置,且为相互连接的一体结构。3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述测试单元还包括多个辅助引脚,所述多个辅助引脚通过所述多条连接线与所述多个测试引脚对应连接,所述多个测试端子通过过孔与所述多个辅助引脚对应连接。4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,至少一个测试引脚、至少一个辅助引脚以及连接所述测试引脚和辅助引脚的连接线同层设置,且为相互连接的一体结构。5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多个测试端子至少包括栅测试端子、源测试端子和漏测试端子,所述多个测试引线至少包括栅测试引线、源测试引线和漏测试引线;所述测试晶体管的控制极通过所述栅测试引线与所述栅测试端子连接,所述测试晶体管的第一极通过所述源测试引线与所述源测试端子连接,所述测试晶体管的第二极通过所述漏测试引线与所述漏测试端子连接。6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述测试区还包括至少一个虚拟像素,至少一个虚拟像素包括虚拟像素驱动电路,所述虚拟像素驱动电路与所述像素驱动电路的结构相同,所述虚拟像素驱动电路设置在相邻的测试引线之间。7.根据权利要求1至6任一项所述的显示基板,其特征在于,在垂直于显示基板的平面内,所述显示基板包括在基底上依次设置的第一半导体层、第一导电层、第二导电层、第二半导体层、第三导电层、第四导电层和第五导电层;所述第一半导体层包括多个多晶硅晶体管的有源层,所述第一导电层包括多个多晶硅晶体管的栅电极和存储电容的第一极板,所述第二导电层包括存储电容的第二极板,所述第二半导体层包括多个氧化物晶体管的有源层,所述第三导电层包括多个氧化物晶体管的栅电极,所述第四导电层包括多个多晶硅晶体管的第一极和第二极以及多个氧化物晶体管的第一极和第二极,所述第五导电层包括数据信号线和第一电源线。8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述多个测试端子位于所述第四导电层上。9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述多个测试引线位于所述第四导电层或第五导电层上。10.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述测试引脚、连接线和辅助引脚位于所述第二导电层上。11.根据权利要求1至6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述像素驱动电路包括至少一个金属氧化物晶体管和至少一个低温多晶硅晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:李孟
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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