磁头及其制造方法技术

本发明专利技术涉及磁头及其制造方法。该方法能够制造紧凑型磁头，该磁头具有小尺寸记录线圈带来的优良特性并且能够抑制磁损。该磁头包括记录线圈、下磁极和后间隙部。该方法包括下面的步骤：在下层上形成用于电镀的晶种层；利用晶种层作为电力馈送层通过电解电镀在晶种层上形成记录线圈；为形成下磁极和后间隙部，对晶种层上的光刻胶进行构图；去除晶种层的暴露部分；暴露下层的将形成下磁极和后间隙部的部分；以及通过电解电镀在下层中形成下磁极和后间隙部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁头和该磁头的制造方法，更具体地，本专利技术涉及一种以写入头的独特结构为特征的磁头和该磁头的制造方法。
技术介绍
在图4中示出了磁盘驱动单元的传统磁头的读取头8和写入头10的结构。在读取头8中，MR(磁电阻)元件5夹在下屏蔽层6和上屏蔽层7之间；在写入头10中，写间隙(write-gap)11夹在下磁极12和上磁极13之间。写入头10包括上磁极13；下磁极层16；后间隙部15，其连接上磁极13和下磁极层16；和记录线圈14，其缠绕在后间隙部15上。在写间隙11中产生磁场的磁路由下磁极12、下磁极层16、后间隙部15和上磁极13组成。在图4示出的磁头中，两个线圈14层叠。图3A-图3F示出了形成包含在磁头的写入头10中的记录线圈14和磁极的传统工艺。在图3A中，将绝缘层18形成在下磁极层16上，并将线圈14形成在绝缘层18上，以使线圈14与下磁极层16电绝缘。绝缘层18由氧化铝或SiO2制成。将铜晶种(seed)层20(用于在电解电镀时作为电力馈送层)形成在其上已形成有绝缘层18的基板上。将包括与线圈14相对应的开槽部分的光刻胶图案形成在晶种层20的表面上，然后利用晶种层20作为电力馈送层通过电解电镀来形成线圈14。在图3A中，在执行镀铜之后去除光刻胶。由于晶种层20完全涂敷在基板的表面上，所以对基板进行离子研磨，以去除晶种层20的暴露部分，从而可防止线圈14电短路。在图3B中，已经通过离子研磨去除了晶种层20。从基板的表面去除了线圈14下面的部分之外的晶种层20。当通过离子研磨来去除晶种层20时，晶种层20破碎并散开。因此，晶种层20的尘埃20a粘在线圈14的侧面上。在图3C中，形成用于在电解电镀时作为电力馈送层的另一晶种层22，以通过电镀来形成写入头的下磁极12和后间隙部15。由于下磁极12和后间隙部15由包含NiFe的材料制成，所以晶种层22也由包含NiFe的材料制成。通过溅射或者汽相淀积来形成晶种层22。在图3D中，将光刻胶24施加在基板的表面上并且进行构图，从而将下磁极12和后间隙部15形成为规定图案。线圈14涂敷有光刻胶24，在光刻胶24的将形成下磁极12和后间隙部15的凹部的内底面处暴露出晶种层22。在图3E中，利用晶种层22作为电力馈送层通过电解电镀来形成由包含NiFe的材料制成的下磁极12和后间隙部15。在形成如图4所示的两层的线圈14的情况下，还将两个下磁极12和两个后间隙部15进行层叠。在图3E中示出了形成下磁极12的第一层和后间隙部15的第一层的状态。在形成下磁极12和后间隙部15之后，对基板进行离子研磨，从而形成如图3F所示的线圈14、下磁极12和后间隙部15的独立图案。在图3F中，当通过离子研磨从基板的表面去除晶种层22时，晶种层22破碎并散开。因此，晶种层22的磁性材料粘在下磁极12、线圈14和后间隙部15的侧面上。在通过电镀来形成构成磁头的写入头的记录线圈和磁极的情况下，将作为电力馈送层的晶种层形成在基板上。因此，在形成导电层和磁层之后必须去除晶种层的多余部分以防止电短路。在通过离子研磨去除晶种层的多余部分的情况下，晶种层的材料散开并且粘在线圈和电极的侧面上，从而会严重地影响磁头的特性。在磁头的上述制造工艺中，铜晶种层20的尘埃20a和晶种层22的磁性材料22a粘在线圈14等的侧面上。如果多余的物质20a和22a粘在线圈14和下磁极12上，线圈14、磁极12等之间的空间变窄。因此，线圈14不能制造得更小，写入头不能制造得更小。另外，写入头的磁路长度不能制造得更长，从而一定会发生磁损。如果可将线圈14制造得更小，则可减小线圈14的电感，并且可改进元件的高频特性。由于线圈14的缩小受到限制所限，所以无法改进元件的高频特性。将用于通过电镀来形成下磁极12和后间隙部15的晶种层22设置在下磁极层16和下磁极12之间的边界部分与下磁极层16和后间隙部15之间的边界部分之间。晶种层22由与磁极一样的磁性材料制成。然而，将不同的金属层22设置在下磁极12和后间隙部15下面，从而在写入头10中会发生磁损。专利文献1第2002-203303号日本专利公报专利文献2第11-175915号日本专利公报
技术实现思路
构思出本专利技术以解决在通过电解电镀来形成记录线圈和磁极时发生的上述问题。本专利技术的一个目的是提供一种紧凑型磁头，该磁头具有小尺寸记录线圈带来的优良特性并且能够抑制磁损。另一目的是提供一种制造该磁头的方法。为了实现这些目的，本专利技术具有下面的结构。即，制造磁头的方法，所述磁头包括通过电解电镀而形成的记录线圈、下磁极和后间隙部，所述方法包括以下步骤为形成所述记录线圈，在下层上形成用于电镀的晶种层；利用所述晶种层作为电力馈送层，通过电解电镀在所述晶种层上形成所述记录线圈；为形成所述下磁极和所述后间隙部，对所述晶种层上的光刻胶进行构图；利用所述光刻胶作为掩模去除所述晶种层的暴露部分；暴露所述下层的将形成所述下磁极和所述后间隙部的部分；以及利用所述晶种层作为所述电力馈送层，通过电解电镀在所述下层中形成所述下磁极和所述后间隙部。在所述方法中，在所述构图步骤中，可将所述光刻胶施加到所述晶种层的这样的一部分，该部分覆盖所述下层并且可电连接到电镀装置的电极。在此情况下，通过所述晶种层，所述下层可安全地电连接到所述电镀装置的电极。所述方法还可包括以下步骤在形成所述下磁极和所述后间隙部之后去除所述光刻胶；以及通过离子研磨去除所述晶种层的无用部分。在此情况下，可将所述线圈容易地形成为独立图案。在所述方法中，所述下层可为写入头的下磁极层，并且所述记录线圈、所述下磁极和所述后间隙部可形成在所述下磁极层上。本专利技术的磁头包括写入头，其包括通过电解电镀而形成的下磁极层、以及在所述下磁极层上形成的下磁极和后间隙部，并且所述下磁极层和所述下磁极成为一体，所述下磁极和所述后间隙部成为一体，在所述下磁极层和所述下磁极之间以及在所述下磁极层和所述后间隙部之间不形成用于电镀的晶种层。另一种磁头包括写入头，其包括通过电解电镀而形成的并且在厚度方向上层叠的多个下磁极和多个后间隙部，并且所述多个下磁极成为一体，所述多个后间隙部成为一体，在所述多个下磁极之间以及在所述多个后间隙部之间不形成用于电镀的晶种层。通过采用本专利技术的方法，通过电解电镀，所述晶种层不仅用于形成所述记录线圈，而且还用于形成下磁极和后间隙部，从而可简化制造磁头的工艺。所述下磁极和所述后间隙部可与所述下层成为一体且没有晶种层，从而可抑制磁损并且可改进磁头的特性。由于记录线圈可制造得更小，所以可使磁头变小并且可改进磁头的高频特性。另外，形成写入头的磁路的磁性构件在磁头中成为一体，从而可抑制磁损并且可改进磁头的特性。附图说明现在将通过示例并参照附图来描述本专利技术的实施例，在附图中图1A-1F是示出了制造本专利技术的磁头的步骤的说明图； 图2A-2C是示出了制造本专利技术的磁头的其他步骤的说明图；图3A-3F是示出了制造传统磁头的步骤的说明图；以及图4是传统磁头的剖视图。具体实施例方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的优选实施例。图1A-1F是示出了制造本专利技术的磁头的步骤的说明图。本专利技术的方法的特征在于形成磁头的写入头的记录线圈、下磁极和后间隙部的步骤。将解释这些独特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造磁头的方法，所述磁头包括通过电解电镀而形成的记录线圈、下磁极和后间隙部，所述方法包括以下步骤：为形成所述记录线圈，在下层上形成用于电镀的晶种层；利用所述晶种层作为电力馈送层，通过电解电镀在所述晶种层上形成所述记录线圈；为形成所述下磁极和所述后间隙部，对所述晶种层上的光刻胶进行构图；利用所述光刻胶作为掩模去除所述晶种层的暴露部分；暴露所述下层的将形成所述下磁极和所述后间隙部的部分；以及利用所述晶种层作为所述电力馈送层，通过电解电镀在所述下层中形成所述下磁极和所述后间隙部。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-9 2006-1607601.一种制造磁头的方法，所述磁头包括通过电解电镀而形成的记录线圈、下磁极和后间隙部，所述方法包括以下步骤为形成所述记录线圈，在下层上形成用于电镀的晶种层；利用所述晶种层作为电力馈送层，通过电解电镀在所述晶种层上形成所述记录线圈；为形成所述下磁极和所述后间隙部，对所述晶种层上的光刻胶进行构图；利用所述光刻胶作为掩模去除所述晶种层的暴露部分；暴露所述下层的将形成所述下磁极和所述后间隙部的部分；以及利用所述晶种层作为所述电力馈送层，通过电解电镀在所述下层中形成所述下磁极和所述后间隙部。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述构图步骤中，将所述光刻胶施加到所述晶种层的这样的一部分，该部分覆盖所述下层并且可电连接到电镀装置的电极。3.根据权利要求1所述的方法，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野藤英，伊藤隆司，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]