一种小型化大负载固态继电器的驱动电路制造技术

本发明专利技术提供了一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，设置发光二极管D1、光伏V1组成驱动控制电路，且通过光隔离；三极管Q1、电容C1、开关二极管D4、D5组成放大充电电路；开关二极管D3、光伏V1组成泄放电路；MOS芯片V2、V3组成开关电路。本发明专利技术提供了一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，通过设计快速充泄放电路，在减小产品体积的同时，提高继电器驱动能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种小型化大负载固态继电器的驱动电路


[0001]本专利技术属于继电器
，具体涉及一种小型化大负载固态继电器的驱动电路。

技术介绍

[0002]对于继电器来说，继电器就是一种具输入和输出隔离的开关。一般来说，体积小，负载能力是继电器不断追求的目标。而现在，体积最小的继电器类型为陶瓷封装的光MOS继电器，要提高其负载能力，必须要提高其驱动能力，只有驱动能力提高，才能为大负载提供保障。而现如今，常规的光MOS继电器都是通过光伏来驱动MOS芯片，如公开号为CN103516343A的中国专利提供的一种固体继电器，由于光伏的驱动能力较弱，很难驱动大负载的MOS芯片，因为大负载的MOS芯片，其结电容较大，而光伏的驱动电流较小。如果要提高其驱动能力，一般需要通过驱动电路来提高其驱动能力，如公开号为CN101872761A的中国专利提供的一种光耦合装置，其通过并联多路受光元件(光伏)，来达到提高驱动能力的目的，但是这种并联很有限，因为受光元件的驱动电流一般在几微安至几十微安，如果要驱动大负载时，无法满足要求，而且多路并联后，其体积势必增大，不能满足小型化大负载的需求。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，通过设计快速充泄放电路，在减小产品体积的同时，提高继电器驱动能力。
[0004]本专利技术通过以下技术方案得以实现：
[0005]一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，包括发光二极管D1、开关二极管D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1，发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号，光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接，MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接，开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1，开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接，三极管Q1的基极与光伏V1输出负极连接，MOS芯片V2的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R1，发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1均为裸芯片。接通时，三极管Q1、电容C1、开关二极管D4组成放大充电电路，在光信号强度不变的情况下，提高了MOS芯片V2的输出负载，裸芯片结构降低了驱动电路体积，为实现小体积大负载的继电器提供保障。
[0006]进一步地，所述发光二极管D1串联有开关二极管D2。
[0007]所述开关二极管D2为裸芯片。
[0008]进一步地，为了实现快速关断，所述三极管Q1的基极和发射极之间并联有开关二极管D3，开关二极管D3的正极与三极管Q1的发射极连接，开关二极管D3的负极与三极管Q1的基极连接，开关二极管D3的正极与三极管Q1的发射极连接，开关二极管D3的负极与三极管Q1的基极连接，开关二极管D3和光伏V1组成泄放电路，关断时，由开关二极管D3、光伏V1
组成泄放电路，快速消耗MOS芯片V2结电容上的电荷将被很快泄放掉，从而使产品快速关断。
[0009]所述开关二极管D3为裸芯片。
[0010]所述电容C2为瓷介电容，且电容C1的电容值比MOS芯片V2的结电容大一个数量级。
[0011]所述电阻R1为芯片电阻。
[0012]还包括MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5，MOS芯片V3的源极与光伏V1输出正极连接，MOS芯片V3的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R2，MOS芯片V3的漏极与与开关二极管D5的正极连接，开关二极管D5的负极与三极管Q1的集电极连接。
[0013]所述电阻R2为芯片电阻。
[0014]所述二极管开关D5和MOS芯片V3均为裸芯片。
[0015]本专利技术的有益效果在于：
[0016]与现有技术相比，采用全裸芯装配，以及电路设计和结构设计，使固态继电器整体体积小型化；通过设计快速充泄放电路，在减小产品体积的同时，提高继电器驱动能力，从而实现小体积大负载固态继电器，满足装备小型化、轻量化的发展需求。
附图说明
[0017]图1是本专利技术中驱动电路的结构示意图；
[0018]图2是本专利技术中固态继电器的内部结构示意图；
[0019]图3是本专利技术中管壳组合的结构示意图；
[0020]图4是本专利技术中管壳的结构示意图；
[0021]图5是本专利技术中管壳组合的装配流程图；
[0022]图6是本专利技术中二极管组合的结构示意图；
[0023]图7是本专利技术中内瓷片的结构示意图；
[0024]图8是本专利技术中二极管组合的装配流程图。
具体实施方式
[0025]下面进一步描述本专利技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
[0026]一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，包括发光二极管D1、开关二极管D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1，发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号，光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接，MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接，开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1，开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接，三极管Q1的基极与光伏V1输出负极连接，MOS芯片V2的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R1，发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1均为裸芯片。
[0027]所述发光二极管D1串联有开关二极管D2。
[0028]所述开关二极管D2为裸芯片。
[0029]所述三极管Q1的基极和发射极之间并联有开关二极管D3，开关二极管D3的正极与三极管Q1的发射极连接，开关二极管D3的负极与三极管Q1的基极连接。
[0030]所述开关二极管D3为裸芯片。
[0031]所述电容C1为瓷介电容，且电容C1的电容值比MOS芯片V2的结电容大一个数量级。
[0032]所述电阻R1为芯片电阻。
[0033]还包括MOS芯片V3、电阻R2、开关二极管D5，MOS芯片V3的源极与光伏V1输出正极连接，MOS芯片V3的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R2，MOS芯片V3的漏极与与开关二极管D5的正极连接，开关二极管D5的负极与三极管Q1的集电极连接。
[0034]所述电阻R2为芯片电阻。
[0035]所述二极管开关D5和MOS芯片V3均为裸芯片。
[0036]实施例
[0037]一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，为了实现快速通断及提高驱动能力，如图1所示，由发光二极管D1、开关二极管D2、D3、D4和D5、光伏V1、三极管Q1、电容C1、电阻R1、R2、MOS芯片V2、V3组成，发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号，光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接，MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接，开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1，开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，其特征在于：包括发光二极管D1、开关二极管D4、光伏V1、三极管Q1、电容C1、MOS芯片V2、电阻R1，发光二极管D1接入输入电源为光伏V1提供光驱动信号，光伏V1输出正极与MOS芯片V2的源极连接，MOS芯片V2的漏极与开关二极管D4的正极连接，开关二极管D4的负极与MOS芯片V2的源极之间并联有电容C1，开关二极管D4的负极与三极管Q1的集电极连接，三极管Q1的基极与光伏V1输出负极连接，MOS芯片V2的栅极与三极管Q1的发射极之间串联有电阻R1，发光二极管D1、二极管开关D4、光伏V1、MOS芯片V2、三极管Q1均为裸芯片。2.如权利要求1所述的一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，其特征在于：所述发光二极管D1串联有开关二极管D2。3.如权利要求1所述的一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，其特征在于：所述开关二极管D2为裸芯片。4.如权利要求1所述的一种小型化大负载固态继电器的驱动电路，其特征在于：所述三极管Q1的基极和发射极之间并联有开关二极管D3，开关二极管D3的正极与三极管Q1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：余贵龙，舒德兵，裴雨滋，
申请(专利权)人：贵州航天电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：