【技术实现步骤摘要】
发光二极管元件
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201810052841.5，申请日：2018年01月19日，专利技术名称：发光二极管元件)的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种发光元件，更详言之，涉及一种具有改善亮度与电流分散的发光元件。
技术介绍
[0003]固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、耐摔、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。随着光电技术的发展，固态发光元件在发光效率、操作寿命以及亮度方面有相当大的进步，发光二极管被预期成为未来照明装置的主流。
[0004]现有的发光二极管包含一基板、n型半导体层、活性层及p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n
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电极。当通过电极对发光二极管输入一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，这些电极会遮蔽活性层所发出的光，且电流易聚集壅塞在电极附近的半导体层内。因此，对于改善发光二极管的亮度、光场均匀性及降低操作电压，一优化的电极结构乃是必要的。
技术实现思路
[0005]本专利技术公开一种发光元件，包含：第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，其中第一边缘和第三边缘相对，且第二边缘和第四边缘相对；基板；半导体叠层，位于基板上，半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及活性层形成在其间；第一电极，形成在第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包含：第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，其中该第一边缘和该第三边缘相对，且该第二边缘和该第四边缘相对；基板；半导体叠层，位于该基板上，该半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及活性层形成在其间；第一电极，形成在该第一半导体层上并与该第一半导体层电连接，包含第一焊盘电极相邻于该第一边缘与该第二边缘相交的角落；以及第二电极，形成在该第二半导体层上并与该第二半导体层电连接，包含第二焊盘电极以及第二指状电极从该第二焊盘电极朝向该第二边缘延伸；其中，该第一边缘和该第三边缘比该第二边缘和该第四边缘长；其中，由上视观之，该第二指状电极不平行于该第一边缘和该第三边缘，且该第二指状电极与该第一边缘的间距随着该第二指状电极延伸远离该第二焊盘电极而增加。2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极还包含第一指状电极，沿着该第一边缘延伸。3.如权利要求2所述的发光元件，还包含透明导电层，位于该第二半导体层的上表面，其中位于该第四边缘与该第一指状电极末端之间的该第二半导体层的该上表面不被该透明导电层覆盖。4.如权利要求2所述的发光元件，还包含透明导电层，位于该第二半导体层的上表面；其中由上视观之，该第二半导体层包含轮廓，该轮廓包含与该第一指状电极相邻且平行的第一子轮廓；以及与该第一子轮廓连接且与该第一边缘相邻的第二子轮廓；其中该透明导电层与该第一子轮廓的间距小于该透明导电层与该第二子轮廓的间距。5.一种发光元件，包含：半导体叠层，包含第一半导体层、第二半导体层以及活性层形成在其间；暴露区，形成于该半导体叠层中，包含底部，其中该底部包含该第一半导体层的上表面；第一电极，包含第一焊盘电极，位于该暴露区上并电连接该第一半导体层；第二电极，位于该第二半导体层上并电连接该第二半导体层，包含第二焊盘电极；以及第一电流阻挡区，位于该第一焊盘电极下方，包含第一中心区；其中，该第一焊盘电极接触该第一中心区之外的该第一半导体层的该上表面；以及其中，该第一焊盘电极包含第一侧表面，该第一中心区包含第二侧表面，其中该第一侧表面的斜率大于该第二侧表面的斜率。6.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一焊盘电极的边缘与该第一中心区的间距D大于2μm。7.如权利要求5所述的发光元件，还包含：第一边缘、第二边缘、第三边缘以及第四边缘，其中该第一边缘和该第三边缘相对，且该第二边缘和该第四边缘相对；以及透明导电层，位于该第二半导体层的上表面；其中该第一电极还包含第一指状电极沿着该第一边缘延伸；
其中该第一焊盘电极邻近于该第二边缘，以及该第二焊盘电极邻近于该第四边缘；其中位于该第四边缘与该第一指状电极末端之间的该第二半导体层的该上表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：张利铭，叶宗勋，沈建赋，林育瑞，欧震，王心盈，叶慧君，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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