像素及用于驱动像素的方法技术

本公开涉及像素，像素包括开关晶体管、存储电容器、第一P型驱动晶体管、第二N型驱动晶体管、第一发光二极管和第二发光二极管，其中，第一发光二极管的阳极和第二发光元件的阴极连接到第二节点，第一发光元件的阴极和第二发光元件的阳极连接到第二供电线，第一驱动晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极连接到第一节点，源极连接到第一供电线，并且漏极连接到第二节点。第二节点。第二节点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】像素及用于驱动像素的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是于2020年2月25日提交的第PCT/KR2020/002700号国际申请的国家阶段，该国际申请根据35U.S.C.
§
119(a)和365(b)要求于2019年3月4日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
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2019
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0024668号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开的实施方式涉及能够提高显示设备效率的像素及用于驱动像素的方法。

技术介绍

[0004]发光元件(例如，发光二极管LED)具有高光转换效率、显著低的能量消耗和半永久性寿命，并且是环境友好的。因此，发光元件可用于许多领域，诸如交通灯、移动电话、汽车前灯、户外电子标志、背光灯以及室内和室外照明。
[0005]最近，已经对使用纳米尺寸的超小型发光元件作为发光元件的显示设备进行了研究和开发。
[0006]纳米发光元件通常通过油墨印刷方法沉积在衬底上。利用这种技术，在每个像素中很难沉积以相同方向偏置的纳米发光元件。因此，存在这样的问题，即以反向方向偏置的纳米发光元件可能无法通过像素的直流驱动发射光，从而降低发光效率。
[0007]应当理解，本
技术介绍
部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，本
技术介绍
部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、概念或认识。
专利技术内容
[0008]本公开的实施方式可涉及能够提高发光效率的像素及驱动像素的方法。
[0009]根据本公开的实施方式，像素可以包括：开关晶体管，将数据电压传输到第一节点；存储电容器，电连接在第一供电线和第一节点之间，存储电容器存储数据电压；第一驱动晶体管，电连接到第一供电线、第一节点和第二节点；第二驱动晶体管，电连接到第一供电线、第一节点和第二节点；第一发光元件，电连接在第二节点和第二供电线之间；以及第二发光元件，电连接在第二节点和第二供电线之间，其中，第一发光元件的阳极和第二发光元件的阴极可以电连接到第二节点，第一发光元件的阴极和第二发光元件的阳极可以电连接到第二供电线，第一驱动晶体管可以是P型晶体管，第二驱动晶体管可以是N型晶体管，第一驱动晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极可以电连接到第一节点，第一驱动晶体管的源极和第二驱动晶体管的源极可以电连接到第一供电线，并且第一驱动晶体管的漏极和第二驱动晶体管的漏极可以电连接到第二节点。
[0010]在实施方式中，开关晶体管的栅极可以电连接到被施加扫描信号的扫描线，开关晶体管的源极和漏极中的一个可以电连接到被施加数据电压的数据线，并且开关晶体管的
源极和漏极中的另一个可以电连接到第一节点。
[0011]在实施方式中，第一发光元件和第二发光元件中的每个可以包括具有纳米尺寸的至少一个发光二极管。
[0012]在实施方式中，第一驱动晶体管可以是PMOS，并且第二驱动晶体管可以是NMOS。
[0013]在实施方式中，在第一时段中，施加到第一供电线的第一驱动电压可以高于施加到第二供电线的第二驱动电压，并且在第二时段中，施加到第一供电线的第一驱动电压可以低于施加到第二供电线的第二驱动电压。
[0014]在实施方式中，第一时段和第二时段可以交替地重复。
[0015]在实施方式中，在第一时段中，第一驱动晶体管可以导通，并且第二驱动晶体管可以截止，并且在第二时段中，第一驱动晶体管可以截止，并且第二驱动晶体管可以导通。
[0016]在实施方式中，施加到第一供电线的第一驱动电压和施加到第二供电线的第二驱动电压中的一个可以在第一时段和第二时段期间维持恒定值。
[0017]在实施方式中，第一时段和第二时段中的每个可以对应于一个帧的一部分。
[0018]在实施方式中，第一时段和第二时段中的每个可以对应于至少一个帧。
[0019]在实施方式中，第二时段与第一时段的比值可以基本上等于第二发光元件的发光二极管的数量与第一发光元件的发光二极管的数量的比值。
[0020]在实施方式中，像素还可以包括电连接到第二节点的初始化晶体管，其中，初始化晶体管的栅极可以电连接到被施加扫描信号的扫描线，初始化晶体管的源极和漏极中的一个可以电连接到第二节点，并且初始化晶体管的源极和漏极中的另一个可以电连接到初始化电力线。
[0021]在实施方式中，像素还可以包括电连接到第二节点的初始化晶体管，其中，初始化晶体管的栅极可以电连接到被施加扫描信号的扫描线，初始化晶体管的源极和漏极中的一个可以电连接到第二节点，并且初始化晶体管的源极和漏极中的另一个可以电连接到第二供电线。
[0022]根据本公开的实施方式，像素可以包括：开关晶体管，将数据电压传输到第一节点；第一存储电容器，电连接在第(1
‑
1)供电线和第一节点之间，第一存储电容器存储数据电压；第二存储电容器，电连接在第(1
‑
2)供电线和第一节点之间，第二存储电容器存储数据电压；第一驱动晶体管，电连接到第(1
‑
1)供电线、第一节点和第二节点；第二驱动晶体管，电连接到第(1
‑
2)供电线、第一节点和第二节点，第一发光元件，电连接在第二节点和第二供电线之间；以及第二发光元件，电连接在第二节点和第二供电线之间，其中，第一发光元件的阳极和第二发光元件的阴极可以电连接到第二节点，第一发光元件的阴极和第二发光元件的阳极可以电连接到第二供电线，第一驱动晶体管可以是P型晶体管，第二驱动晶体管可以是N型晶体管，第一驱动晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极可以电连接到第一节点，第一驱动晶体管的源极可以电连接到第(1
‑
1)供电线，第二驱动晶体管的源极可以电连接到第(1
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2)供电线，并且第一驱动晶体管的漏极和第二驱动晶体管的漏极可以电连接到第二节点。
[0023]在实施方式中，开关晶体管的栅极可以电连接到被施加扫描信号的扫描线，开关晶体管的源极和漏极中的一个可以电连接到被施加数据电压的数据线，并且开关晶体管的源极和漏极中的另一个可以电连接到第一节点。
[0024]在实施方式中，第一发光元件和第二发光元件中的每个可以包括具有纳米尺寸的至少一个发光二极管。
[0025]在实施方式中，第一驱动晶体管可以是PMOS，并且第二驱动晶体管可以是NMOS。
[0026]在实施方式中，在第一时段中，第一驱动晶体管可以导通或截止，并且第二驱动晶体管可以截止，在第二时段中，第一驱动晶体管可以截止，并且第二驱动晶体管可以导通或截止，并且第一时段和第二时段可以交替地重复。
[0027]在实施方式中，在第一时段和第二时段中，施加到第(1
‑
1)供电线的第(1
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1)驱动电压可以高于施加到第二供电线的第二驱动电压，并且施加到第(1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.像素，包括：开关晶体管，将数据电压传输到第一节点；存储电容器，电连接在第一供电线和所述第一节点之间，所述存储电容器存储所述数据电压；第一驱动晶体管，电连接到所述第一供电线、所述第一节点和第二节点；第二驱动晶体管，电连接到所述第一供电线、所述第一节点和所述第二节点；第一发光元件，电连接在所述第二节点和第二供电线之间；以及第二发光元件，电连接在所述第二节点和所述第二供电线之间；其中：所述第一发光元件的阳极和所述第二发光元件的阴极电连接到所述第二节点，所述第一发光元件的阴极和所述第二发光元件的阳极电连接到所述第二供电线，所述第一驱动晶体管是P型晶体管，所述第二驱动晶体管是N型晶体管，所述第一驱动晶体管的栅极和所述第二驱动晶体管的栅极电连接到所述第一节点，所述第一驱动晶体管的源极和所述第二驱动晶体管的源极电连接到所述第一供电线，以及所述第一驱动晶体管的漏极和所述第二驱动晶体管的漏极电连接到所述第二节点。2.根据权利要求1所述的像素，其中：所述开关晶体管的栅极电连接到被施加扫描信号的扫描线，所述开关晶体管的源极和漏极中的一个电连接到被施加所述数据电压的数据线，以及所述开关晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第一节点。3.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个包括具有纳米尺寸的至少一个发光二极管。4.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一驱动晶体管是PMOS，并且所述第二驱动晶体管是NMOS。5.根据权利要求1所述的像素，其中：在第一时段中，施加到所述第一供电线的第一驱动电压高于施加到所述第二供电线的第二驱动电压，以及在第二时段中，施加到所述第一供电线的所述第一驱动电压低于施加到所述第二供电线的所述第二驱动电压。6.根据权利要求5所述的像素，其中，所述第一时段和所述第二时段交替地重复。7.根据权利要求5所述的像素，其中：在所述第一时段中，所述第一驱动晶体管导通，并且所述第二驱动晶体管截止，以及在所述第二时段中，所述第一驱动晶体管截止，并且所述第二驱动晶体管导通。8.根据权利要求5所述的像素，其中，施加到所述第一供电线的所述第一驱动电压和施加到所述第二供电线的所述第二驱动电压中的一个在所述第一时段和所述第二时段期间维持恒定值。9.根据权利要求5所述的像素，其中，所述第一时段和所述第二时段中的每个对应于一个帧的一部分。10.根据权利要求5所述的像素，其中，所述第一时段和所述第二时段中的每个对应于
至少一个帧。11.根据权利要求5所述的像素，其中，所述第二时段与所述第一时段的比值基本上等于所述第二发光元件的发光二极管的数量与所述第一发光元件的发光二极管的数量的比值。12.根据权利要求1所述的像素，还包括电连接到所述第二节点的初始化晶体管，其中：所述初始化晶体管的栅极电连接到被施加扫描信号的扫描线，所述初始化晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第二节点，以及所述初始化晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到初始化电力线。13.根据权利要求1所述的像素，还包括电连接到所述第二节点的初始化晶体管，其中：所述初始化晶体管的栅极电连接到被施加扫描信号的扫描线，所述初始化晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第二节点，以及所述初始化晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二供电线。14.像素，包括：开关晶体管，将数据电压传输到第一节点；第一存储电容器，电连接在第(1
‑
1)供电线和所述第一节点之间，所述第一存储电容器存储所述数据电压；第二存储电容器，电连接在第(1
‑
2)供电线和所述第一节点之间，所述第二存储电容器存储所述数据电压；第一驱动晶体管，电连接到所述第(1
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1)供电线、所述第一节点和所述第二节点；第二驱动晶体管，电连接到所述第(1
‑
2)供电线、所述第一节点和所述第二节点；第一发光元件，电连接在所述第二节点和第二供电线之间；以及第二发光元件，电连接在所述第二节点和所述第二供电线之间，其中：所述第一发光元件的阳极和所述第二发光元件的阴极电连接到所述第二节点，所述第一发光元件的阴极和所述第二发光元件的阳极电连接到所述第二供电线，所述第一驱动晶体管是P型晶体管，所述第二驱动晶体管是N型晶体管，所述第一驱动晶体管的栅极和所述第二驱动晶体管的栅极电连接到所述第一节点，所述第一驱动晶体管的源极电连接到所述第(1
‑
1)供电线，所述第二驱动晶体管的源极电连接到所述第(1
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2)供电线，以及所述第一驱动晶体管的漏极和所述第二驱动晶体管的漏极电连接到所述第二节点。15.根据权利要求14所述的像素，其中：所述开关晶体管的栅极电连接到被施加扫描信号的扫描线，所述开关晶体管的源极和漏极中的一个电连接到被施加所述数据电压的数据线，以及所述开关晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第一节点。16.根据权利要求14所述的像素，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个包括具有纳米尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：李孝眞，朴世爀，南熙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：