垂直磁记录介质和磁记录装置制造方法及图纸

本发明专利技术的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明专利技术的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明专利技术的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明专利技术的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与垂直磁记录介质和磁记录装置有关。技术背景在磁盘领域，采用以前的面内记录方式的话，会产生随着面记录 密度的增加、已记录的数据会因热的影响消失的问题。与此相对，采 用垂直记录方式的话，如公开专利公报的特开2004-39152号公才艮上所 迷的，随着记录密度的增加、相邻位间的退磁也减少了，记录数据能 保持稳定。(专利文献l 特开2004-39152)但是，在具备基板、上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、 与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成 的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中， 当中间膜是Ru膜的时候，会发现存在着形成上述Ru膜时的表面平坦 性不够的问题。因此，在此中间膜上形成垂直记录层时，中间膜与垂 直记录层的界面将变成粗糙的状态，有可能造成产品的信赖度和功能 的下降。
技术实现思路
本专利技术的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本专利技术 的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本专利技术的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本专利技术的第四个课题是提供 功能良好的磁记录装置。专利技术者们发现了在具备基板、上述基板的 一主面侧形成的软磁性 基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜 接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，当中间膜是Rii膜时，粒界扩散和表面扩散很不均衡，会 形成粒界沟。因为此粒界沟，表面的平坦性变差。因此，专利技术者们为 了找到提高表面平坦性的方法进行了锐意研究，结果发现往Ru膜中 添加Ti是有效的。而且，专利技术者们还发现当中间膜是Cii膜时，往 Cu膜中添加Al是有效的。本专利技术的课题是通过具备下述构造的垂直磁记录介质和磁记录 装置解决的。(1) 一种垂直磁记录介质，具备基板、在上述基板的一主面 侧形成的软磁性基底膜、在上述软磁性基底膜上形成的非磁性膜、在 上述非磁性膜上形成的中间膜、以及在上述中间膜上形成的垂直记录 层，其特征在于上述中间膜是以Ru为主要构成元素、以Ti为添 加元素的材料，或者是以Cu为主要构成元素、以Al为添加元素的材 料。进一步说明的话，优选具备基板、在上述基板的一主面侧形成的 软磁性基底膜、与上述軟磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非 磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的状 态。在此所谓的接触实质上是指两薄膜隔着界面处于相邻位置的状态。另外，优选的垂直磁记录介质的特征是上述中间膜以Ru为主 要构成元素、以Ti为添加元素，上述垂直记录层以Co、 Cr、 Pt为 构成元素，上述Cr的浓度大于等于15at.%、小于等于25at.。/。，上述 Pt的浓度大于等于10at.%、小于等于20at.。/。。(2) 在上述形态中，垂直磁记录介质的特征是上述中间膜以 Ru为主要构成元素，以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于 0.14at.%。另外在上迷形态中，垂直磁记录介质的特征是上述中间膜以 Ru为主要构成元素，以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于10at.%。(3)在上述(1)的形态中，垂直磁记录介质的特征是上述中 间膜以Cu为主要构成元素，以A1为添加元素、且含有的浓度大于等 于0.11at.%。另外在上述形态中，垂直磁记录介质的特征是上述中间膜是以 Cu为主要构成元素，以Al为添加元素、且含有的浓度大于等于8at.%。 (4) 一种磁记录装置，具备垂直磁记录介质，具有基板、在上 述基板的 一主面侧形成的软磁性基底膜、在上述软磁性基底膜上形成 的非磁性膜、在上述非磁性膜上形成的中间膜、在上述中间膜上形成 的垂直记录层；驱动部，朝记录方向驱动上述垂直》兹记录介质；磁头， 具有记录部和再生部；使上述磁头与上述垂直^ 兹记录介质产生相对运 动的装置；以及记录再生处理装置，用来进行上述磁头的信号输入和 上述磁头的输出信号的再生，其特征在于上述中间膜是以Ru为主 要构成元素、以Ti为添加元素的材料，或者是以Cu为主要构成元素、 以Al为添加元素的材料。优选的特征是上述垂直记录层是以Co、 Cr、 Pt为构成元素，上 述Cr的浓度大于等于15at%、小于等于25at.。/。，上述Pt的浓度大 于等于10at%、小于等于20at.%。(5) 在上述(4)的形态中，特征是上述中间膜以Ru为主要 构成元素，以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于0.14at.%。另外在上述形态中，上述中间膜以Ru为主要构成元素，以Ti 为添加元素、且含有的浓度大于等于10at.%。(6) 在上述(4)的形态中，特征是上述中间膜以Cu为主要 构成元素，以A1为添加元素、且含有的浓度大于等于0.11at.%。另外在上述形态中，上述中间膜以Ru为主要构成元素，以Al为添加元素、且含有的浓度大于等于3at.%。还有，主要构成元素是指含有最多原子百分比浓度的元素。 通过本专利技术，能提供信赖度高的垂直磁记录介质。另外能提供功能良好的垂直磁记录介质。还能提供信赖度高的磁记录装置。而且能提供功能良好的磁记录装置。 附图说明图l是作为本专利技术的第一实施例的垂直磁记录介质的剖面图。图2是作为本专利技术的第一实施例的垂直磁记录介质中、在中间层 设置基底膜的构造的剖面图。图3表示通过分子动力学模拟计算Ti的添加浓度和Ru膜的粒界 沟深度的关系的结果。图4表示通过分子动力学模拟计算Ru膜的剥离能量和Ti添加 浓度的关系的结果。图5表示在Ru膜上形成的垂直记录层的结晶粒尺寸与Ti添加浓 度的关系。图6表示通过分子动力学模拟计算Al的添加浓度和Cu膜的粒 界沟深度的关系的结果。图7表示通过分子动力学模拟计算Cu膜的剥离能量和Al添加 浓度的关系的结果。图8表示在Cu膜上形成的垂直记录层的结晶粒尺寸和Al添加 浓度的关系。图9是在作为本专利技术的第一实施例的垂直磁记录介质中、将软磁性层做成一层构造时的剖面图。图IO是作为本专利技术的第二实施例的磁记录装置的剖面图。图11是作为本专利技术的笫二实施例的磁记录装置的从上方俯视的概略图。符号说明l一基板，2—预涂层，3—软磁性层，4—非磁性层， 5一软磁性层，6—中间层，7—垂直记录层，8—保护层，9一润滑层， 103—软磁性层，106—基底膜，201—垂直磁记录介质，202—驱动部， 203_> 兹头，204—驱动装置，205—记录再生信号处理装置。具体实施方式以下通过用图表示的实施例详细说明本专利技术的实施形态。 实施例1首先，图l表示本专利技术的第一实施例的垂直磁记录介质的断面构造。本实施例的垂直磁记录介质如图l所示，利用DC磁控賊射法在 基板1上形成预涂层2、软磁性层3、非磁性层4、软磁性层5、中间 层6、垂直记录层7及保护层8，而且其上形成了润滑层9。作为上述 各层的具体例子，可考虑如下。比如CoTi膜、NiTi膜或NiTaZr膜 构成的预涂层2， CoZr膜、CoZrTa膜或FeTaC构成的软磁性层3， Ta膜、Pd膜或Ru膜构成的非磁性层4， CoZr膜、CoZrTa膜或FeTaC 构成的软磁性层5。另外，在此，垂直记录层是由磁化方向与基板1 垂直的垂直磁化材料构成的。比如，可以举以Co为主要构成元素， Cr的添加浓度大于等于15at.%、小于等于25at.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁记录介质，具备：基板、在上述基板的一主面侧形成的第一软磁性基底膜、在上述第一软磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二软磁性基底膜、在上述第二软磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中间膜、以及在上述中间膜上形成的垂直记录层，其特征在于：上述中间膜是以Ｒｕ为主要构成元素、以Ｔｉ为添加元素的材料，或者是以Ｃｕ为主要构成元素、以Ａｌ为添加元素的材料。

【技术特征摘要】
JP 2004-7-23 2004-2150941.一种垂直磁记录介质，具备基板、在上述基板的一主面侧形成的第一软磁性基底膜、在上述第一软磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二软磁性基底膜、在上述第二软磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中间膜、以及在上述中间膜上形成的垂直记录层，其特征在于上述中间膜是以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素的材料，或者是以Cu为主要构成元素、以Al为添加元素的材料。2. 如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于上述中间 膜以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素，上述垂直记录层以Co、 Cr、 Pt为构成元素，上述Cr的浓度大于等于15at.%、小于等于 25at.%，上述Pt的浓度大于等于10at.%、小于等于20at.。/。。3. 如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于上述中间 膜以Ru为主要构成元素，以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于 0.14at.%。4. 如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于上述中间 膜以Ru为主要构成元素，以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于 10at.%。5. —种磁记录装置，具备垂直磁记录介...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎富生，细江让，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]