电路板封装结构的制备方法及电路板封装结构技术

一种电路板封装结构的制备方法，包括以下步骤：提供一封装基板，所述封装基板包括一基层以及形成于所述基层上的导电线路层，所述导电线路层包括引脚区，所述引脚区包括远离所述基层的第一面；对所述引脚区进行喷锡膏处理以在所述第一面上形成合金层，其中，所述合金层包括锡和不同于锡的金属元素；以及提供一集成电路，将所述集成电路与所述合金层进行电连接，得到所述电路板封装结构。本申请还提供一种所述电路板封装结构的制备方法制备的电路板封装结构。板封装结构。板封装结构。

【技术实现步骤摘要】
电路板封装结构的制备方法及电路板封装结构


[0001]本申请涉及电路板封装领域，尤其涉及一种电路板封装结构的制备方法及电路板封装结构。

技术介绍

[0002]薄膜覆晶(Chip On Film，COF)和片上系统(System On Film，SOF)是通过将导电凸块与线路板上的引脚与芯片接合的封装技术。随着制程技术的进步以及集成电路密集度的提高，引脚及导电凸块的尺寸及间距(pitch)也愈来愈小。通常，在连接导电凸块之前，引脚需要采用化锡方式进行表面处理。
[0003]但是化锡存在以下问题：产品化锡后，在后续热制程中或长期放置过程中，引脚上的化锡层与铜会相互迁移形成金属间化合物(Intermetallic Compound)，例如Cu3Sn、Cu6Sn5等，降低产品可靠性。而且，通常产品化锡的厚度会根据后续热纯锡减少量以及引脚所需的纯锡量计算，SOF产品化锡后所需加热制程多，导致所需厚度超过最大化锡厚度，则无法继续使用化锡制程。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，有必要提供一种能够避免或减小金属间化合物形成的电路板封装结构的制备方法。
[0005]另，还有必要提供一种电路板封装结构。
[0006]一种电路板封装结构的制备方法，包括以下步骤：
[0007]提供一封装基板，所述封装基板包括一基层以及形成于所述基层上的导电线路层，所述导电线路层包括引脚区，所述引脚区包括远离所述基层的第一面；
[0008]对所述引脚区进行喷锡膏处理以在所述第一面上形成合金层，其中，所述合金层包括锡和不同于锡的金属元素；以及
[0009]提供一集成电路，将所述集成电路与所述合金层进行电连接，得到所述电路板封装结构。
[0010]在本申请一实施方式中，所述金属元素包括银、铜、铋以及铟中的至少一种。
[0011]在本申请一实施方式中，在进行喷锡膏处理之前，还包括以下步骤：
[0012]形成一覆盖膜于部分所述引脚区；
[0013]其中，剩余部分所述引脚区暴露于所述覆盖膜，所述合金层形成于所暴露的部分引脚区上。
[0014]在本申请一实施方式中，所述引脚区还包括连接所述第一面的第二面，在进行喷锡膏处理之前，还包括以下步骤：
[0015]在所述引脚区的所述第一面和所述第二面上形成一保护层。
[0016]在本申请一实施方式中，所述导电线路层还包括焊垫区，在进行所述喷锡膏处理之前，所述电路板封装结构的制备方法还包括以下步骤：
[0017]在所述焊垫区上安装一电子元件。
[0018]在本申请一实施方式中，所述电路板封装结构包括封装基板、合金层、以及集成电路。所述封装基板包括基层以及形成于所述基层上的导电线路层，所述导电线路层包括引脚区，所述引脚区包括远离所述基层的第一面；所述合金层包覆所述引脚区的所述第一面，其中，所述合金层中包含不同于锡的金属元素；所述集成电路与所述合金层电连接。
[0019]在本申请一实施方式中，所述金属元素包括银、铜、铋以及铟中的至少一种。
[0020]在本申请一实施方式中，所述引脚区还包括连接所述第一面的第二面，所述第二面上负载有所述合金层。
[0021]在本申请一实施方式中，所述电路板封装结构还包括保护层，所述保护层设置于所述第一面以及所述第二面上。
[0022]在本申请一实施方式中，所述电路板封装结构还包括电子元件，所述导电线路层还包括焊垫区，所述电子元件与所述焊垫区电连接。
[0023]本申请提供的电路板封装结构的制备方法，通过在锡膏中添加其他金属元素，以在引脚区表面形成合金层，所述合金层代替金属锡，从而可以减小或避免金属锡与引脚区的铜直接接触而在后续热制程或者长期放置时生成金属间化合物。
附图说明
[0024]图1为本申请实施例提供的封装基板的截面示意图。
[0025]图2为在图1所示的部分引脚区上形成覆盖膜后的截面示意图。
[0026]图3为图2所示的部分引脚区上形成覆盖膜后的俯视图。
[0027]图4为在图2所示的焊垫区上形成保护层以及电子元件后的截面示意图。
[0028]图5为在4所示的部分引脚区上形成合金层后的截面示意图。
[0029]图6为合金层覆盖引脚区的第一面的截面示意图。
[0030]图7为合金层覆盖引脚区的第一面以及部分第二面的截面示意图。
[0031]图8为合金层覆盖引脚区的第一面以及全部第二面的截面示意图。
[0032]图9为在图5所示的合金层上连接集成电路后形成的电路板封装结构的截面示意图。
[0033]图10为本申请另一实施例提供的电路板封装结构的截面示意图。
[0034]主要元件符号说明
[0035]电路板封装结构
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100、200
[0036]封装基板
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10
[0037]基层
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11
[0038]导电线路层
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12
[0039]第一面
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122
[0040]第二面
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124
[0041]合金层
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126
[0042]引脚区
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13
[0043]焊垫区
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14
[0044]电子元件
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20
[0045]覆盖膜
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30
[0046]集成电路
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50
[0047]保护层
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60、60a
[0048]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
[0049]为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0050]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路板封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一封装基板，所述封装基板包括一基层以及形成于所述基层上的导电线路层，所述导电线路层包括引脚区，所述引脚区包括远离所述基层的第一面；对所述引脚区进行喷锡膏处理以在所述第一面上形成合金层，其中，所述合金层包括锡和不同于锡的金属元素；以及提供一集成电路，将所述集成电路与所述合金层进行电连接，得到所述电路板封装结构。2.根据权利要求1所述的电路板封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属元素包括银、铜、铋以及铟中的至少一种。3.根据权利要求1所述的电路板封装结构的制备方法，其特征在于，在进行喷锡膏处理之前，还包括以下步骤：形成一覆盖膜于部分所述引脚区；其中，剩余部分所述引脚区暴露于所述覆盖膜，所述合金层形成于所暴露的部分引脚区上。4.根据权利要求3所述的电路板封装结构的制备方法，其特征在于，所述引脚区还包括连接所述第一面的第二面，在进行喷锡膏处理之前，还包括以下步骤：在所述引脚区的所述第一面和所述第二面上形成一保护层。5.根据权利要求1所述的电路板封装结构的制备方法，其特征在于，所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：周琼，刘瑞武，郭志，
申请(专利权)人：庆鼎精密电子淮安有限公司，
类型：发明
国别省市：