【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】级联脉冲宽度调制转换器控制
[0001]本专利技术涉及用于操作电转换器的方法以及涉及电转换器。
技术介绍
[0002]在中压应用中,由于诸如IGBT和IGCT之类的Si基中压开关的高开关损耗,功率转换器传统地在几百赫兹范围中在相当低的开关频率下操作。最近,具有高阻断电压和可能的快速开关速度的SiC基开关的引入已经引起下列期望:这些开关在不久的将来也可应用在中压转换器中。
[0003]在低压应用中,已经存在具有高达1.7kV的阻断电压的SiC MOSFET的显著改进。由于2级半桥模块的低换向回路电感,非常高的开关速度可能是可行的,并且约24kHz的开关频率可变得常见。然而,与相当的Si IGBT模块相比,SiC模块仍然更昂贵。
[0004]US2014016380A1描述多电平电压转换器,其包括多点转换器电路和至少一个全桥逆变器电路。多点转换器电路被配置用于将DC电压转换为中间多电平电压。全桥逆变器电路与多点转换器电路串联电连接,并且被配置用于接收中间多电平电压,以生成对应于单相输出的多电平输出电压。
[0005]WO2018/172329A1涉及逆变器,所述逆变器包括第一逆变器级和第二逆变器级,所述第一逆变器级具有第一开关频率,所述第二逆变器级连接到所述第一逆变器级并且具有高于所述第一开关频率的第二开关频率。用于第二逆变器级的开关信号通过下列来生成:通过从用于逆变器的参考电压中减去第一逆变器级的估计的输出电压来计算电压误差;并且采用调制频率对电压误差进行脉冲宽度调制,所述调制频率高于用于为第一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于操作电转换器(10)的方法,所述电转换器(10)包括用于生成第一输出电压(u
1abc
)的主转换器(12)和用于将所述第一输出电压(u
1abc
)转换为第二输出电压(u
2abc
)的转换器单元(14a),其中所述电转换器(10)包括用于将所述第二输出电压(u
2abc
)转换为第三输出电压(u
3abc
)的第二转换器单元(14b),所述方法包括:接收用于所述电转换器(10)的参考电压(v
*abc
);采用第一调制频率对所述参考电压(v
*abc
)进行脉冲宽度调制,以用于为所述主转换器(12)生成第一开关信号(s
1abc
);采用所述第一开关信号(s
1abc
)对所述主转换器(12)进行开关,以生成所述第一输出电压(u
1abc
);从所述第一开关信号(s
1abc
)估计所述第一输出电压(v
1abc
);通过从所述参考电压(v
*abc
)中减去估计的第一输出电压(v
1abc
)来确定电压误差(v
*2abc
);采用高于所述第一调制频率的第二调制频率对所述电压误差(v
*2abc
)进行脉冲宽度调制,以用于为所述转换器单元(14a)生成另外的开关信号(s
2abc
、s
3abc
);采用所述另外的开关信号(s
2abc
、s
3abc
)对所述转换器单元(14a)进行开关,以生成所述第二输出电压(u
2abc
);从所述另外的开关信号(s
2abc
)估计所述第二输出电压(v
2abc
),所述另外的开关信号(s
2abc
)是第二开关信号;通过从所述第一电压误差(v
*2abc
)中减去估计的第二输出电压(v
2abc
)来确定第二电压误差(v
*3abc
);采用高于所述第二调制频率的第三调制频率对所述第二电压误差(v
*3abc
)进行脉冲宽度调制,以用于为所述第二转换器单元(14b)生成第三开关信号(s
3abc
);采用所述第三开关信号(s
3abc
)对所述第二转换器单元(14b)进行开关,以生成所述第三输出电压(u
3abc
)。2.如权利要求1所述的方法,其中,所述第二调制频率是所述第一调制频率的至少5倍。3.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述参考电压(v
*αβ
)在固定正交坐标系(αβ)中提供并且被转换到三相坐标系(abc)中;其中所述第一开关信号(s
1abc
)从所述三相坐标系(abc)中的所述参考电压(v
*abc
)生成,并且所述第一输出电压(v
1abc
)在所述三相坐标系(abc)中被估计;其中估计的第一输出电压(v
1abc
)被变换到所述固定正交坐标系(αβ)中;其中所述第一电压误差(v
*2abc
)通过从所述固定正交坐标系(αβ)中的所述参考电压(v
*αβ
)中减去所述估计的第一输出电压(v
1αβ
)来确定。4.如权利要求3所述的方法,其中,所述参考电压包括共模参考电压分量()。5.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述转换器单元(14a)包括用于接收所述第一输出电压(u
1abc
)的第一半桥(34a)
和用于...
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