显示装置和显示装置的制造方法制造方法及图纸

显示装置包含晶体管和所述晶体管上的显示元件，所述晶体管包含：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；源电极

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置和显示装置的制造方法


[0001]本专利技术的一实施方式涉及显示装置和显示装置的制造方法。

技术介绍

[0002]作为电气器具和电子设备所使用的显示装置，开发了利用了液晶的电光学效果的液晶显示装置、使用了有机电致发光(有机EL：Organic Electro
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Luminescence)元件的有机电致发光显示装置。在以往这些显示装置中，使用了将硅用作半导体层的晶体管。近年来，在显示装置中，大面积化、高分辨率化、高帧率化等要求高涨，用于满足这些要求的研究盛行。
[0003]最近，进行了替代硅而使用了氧化物半导体来的晶体管的开发。期待着使用了氧化物半导体的晶体管能够实现高迁移率。而且，氧化物半导体具有能够以大面积形成、并且与非晶硅相比高耐压性优异这样的优点。在专利文献1中公开有使用了氧化物半导体的显示装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2006
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165528号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]然而，使用了氧化物半导体的晶体管有时根据制造工序中的处理温度而在可靠性试验中发现特性变动。晶体管的特性变动可成为引起显示装置中的显示不均等各种不良的主要原因。因而，寻求晶体管的可靠性的进一步提高。
[0009]鉴于上述问题，以提供具有提高了可靠性的晶体管的显示装置为目的之一。或者，以提供具有较高的可靠性的显示装置为目的之一。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]本专利技术的一实施方式的显示装置包含晶体管和所述晶体管上的显示元件，所述晶体管包含：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；源电极
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漏电极，其包含所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上的含有氮的第1导电层和所述第1导电层上的第2导电层；以及所述氧化物半导体层和所述源电极
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漏电极上的含有氧的绝缘层。
[0012]本专利技术的一实施方式的显示装置的制造方法包括下述工序：在绝缘表面上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成包含与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体层；形成包含在所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上的含有氮的第1导电层和所述第1导电层上的第2导电层的源电极
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漏电极；在所述源电极
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漏电极上形成绝缘层；通过进行加热处理，形成晶体管；在所述晶体管上形成显示元件。
附图说明
[0013]图1是本专利技术的一实施方式的显示装置的俯视图。
[0014]图2是本专利技术的一实施方式的显示装置的像素电路的电路图。
[0015]图3是本专利技术的一实施方式的显示装置的像素的剖视图。
[0016]图4是本专利技术的一实施方式的晶体管的剖视图。
[0017]图5是本专利技术的一实施方式的晶体管的局部放大剖视图。
[0018]图6是本专利技术的一实施方式的晶体管的制造方法的剖视图。
[0019]图7是本专利技术的一实施方式的晶体管的制造方法的剖视图。
[0020]图8是本专利技术的一实施方式的晶体管的制造方法的剖视图。
[0021]图9是本专利技术的一实施方式的晶体管的制造方法的剖视图。
[0022]图10是本专利技术的一实施方式的晶体管的制造方法的剖视图。
[0023]图11是本专利技术的一实施方式的晶体管的剖视图。
[0024]图12是本专利技术的一实施方式的晶体管的制造方法的剖视图。
[0025]图13是本专利技术的一实施方式的晶体管的制造方法的剖视图。
[0026]图14是本专利技术的一实施方式的晶体管的剖视图。
[0027]图15是本专利技术的一实施方式的显示装置的像素的剖视图。
[0028]图16是本实施例的晶体管的剖视图。
[0029]图17是本实施例的晶体管的一部分的EDX测定结果。
[0030]图18是本实施例的晶体管的Id
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Vg特性评价结果。
[0031]图19是本实施例的晶体管的可靠性评价结果。
[0032]图20是比较例的晶体管的剖视图。
[0033]图21是比较例的晶体管的可靠性评价结果。
具体实施方式
[0034]以下，一边参照附图等一边说明本专利技术的实施方式。但是，本专利技术能以很多不同的方式实施，并不限定于以下所例示的实施方式的记载内容来解释。为了使说明更明确，与实际的形态相比，附图有时示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等，但始终是一个例子，并不限定本专利技术的解释。另外，在本说明书和各图中，对与已出的图之前论述过的要素同样的要素，有时标注同一符号(或在数字之后标注A、B等而成的符号)而适当省略详细的说明。进一步针对各要素标记为“第1”、“第2”的文字是为了区别各要素而使用的便利的标识，只要没有特别的说明，不具有进一步的意思。
[0035]另外，在本说明书中，在某构件或某区域位于其他构件或其他区域“上(或下)”的情况下，只要没有特别的限定，这不只包含位于其他构件或区域的正上方(或正下方)的情况，也包含位于其他构件或区域的上方(或下方)的情况，即也包含在其他构件或区域的上方(或下方)之间包含别的构成要素的情况。此外，在以下的说明中，只要没有特别声明，在剖视中，将第2基板相对于第1基板所配置那一侧称为“上”或“上方”、将其相反一侧称为“下”或“下方”而说明。
[0036]另外，在本说明书中，“A与B连接”规定为除了包含A与B直接连接的情况之外，也包含电连接的情况。其中，“A与B电连接”是指在A与B之间存在具有某些电的作用的对象物时，
能进行A与B的电信号的授受。
[0037]此外，在只要是具有本专利技术所属的领域中的通常知识的人就能够了解的情况下，就不进行特别的说明。
[0038]＜第1实施方式＞
[0039](1
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1.显示装置的构成)
[0040]图1表示显示装置10的俯视图。在图1中，显示装置10具有：基板100、基板200、具有多个像素103的显示部101、周缘部104、具有作为源极驱动器的功能的驱动电路106、具有作为栅极驱动器的功能的驱动电路107、柔性印刷基板108、以及端子部109。
[0041]在图1中，像素103设置成矩阵状，包含显示元件(后述的发光元件130)。周缘部104配置于显示部101的外侧，以包围显示部101的方式设置。像素103、驱动电路106、驱动电路107以及柔性印刷基板108分别电连接。来自外部装置的信息(信号)经由柔性印刷基板108和端子部109输入到驱动电路106和驱动电路107。
[0042]在图2中示出显示装置10所具有的像素103的像素电路30的电路图。此外，以下说明的像素电路30的电路构成是一个例子，并不限定于此。
[0043]多个像素电路30分别至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，其包含晶体管和所述晶体管上的显示元件，所述晶体管包含：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；氧化物半导体层，其配置于所述栅极绝缘层上，且与所述栅电极重叠；源电极
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漏电极，其包含所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上的含有氮的第1导电层和所述第1导电层上的第2导电层；以及所述氧化物半导体层和所述源电极
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漏电极上的含有氧的绝缘层。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第1导电层与所述氧化物半导体层之间包含含有氧的第3导电层。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第3导电层含有所述氧化物半导体层的一部分金属材料。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第3导电层的厚度是2nm以上且10nm以下。5.根据权利要求2～4中任一项所述的显示装置，其中，所述第3导电层中的氧的含量是10原子％以上。6.一种显示装置的制造方法，其包括下述工序：在绝缘表面上形成栅电极；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：津吹将志，境武志，户田达也，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：