单元像素及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种单元像素及显示装置。根据本实用新型专利技术的一个以上的实施例的单元像素，包括：透明基板；多个发光元件，布置于所述透明基板上；以及静电放电(Electrostatic Discaharge：ESD)保护器，布置于所述透明基板上，用于保护所述发光元件中的至少一个免受静电放电的影响。电放电的影响。电放电的影响。

【技术实现步骤摘要】
单元像素及显示装置


[0001]本技术涉及一种具有发光元件的单元像素及具有该单元像素的显示装置，尤其涉及一种具有静电放电防护功能的单元像素及具有该单元像素的显示装置。

技术介绍

[0002]发光元件为利用作为无机光源的发光二极管的半导体元件，在诸如显示装置、车辆用灯具、一般照明的各种领域被多样地利用。发光二极管具有寿命长、耗电低、响应速度快的优点，因此正在迅速代替现有光源。
[0003]另外，现有的发光二极管在显示装置中主要作为背光光源而使用，然而最近正在开发利用发光二极管直接实现图像的显示装置。这样的显示器也称为微型LED显示器。
[0004]显示装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色来实现多种颜色。显示装置为了实现多种图像而包括多个像素，每个像素配备有蓝色、绿色及红色的子像素。通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色，而且借由这些像素的组合来实现图像。
[0005]在微型LED显示器的情况下，微型LED对应于各子像素而排列在二维平面上，据此，一个基板上需要布置众多数量的微型LED。然而，微型LED具有非常小的面积，其面积例如约10,000μm2或更小。由于这样的小尺寸，难以分选微型LED，因此，尤其当需要将数百万或数千万个微型LED转印并贴装于显示面板时，不容易将微型LED贴装于显示面板上。尤其，微型LED可能因外部冲击(external shock)而受损，并且可能因静电放电(electrostatic discharge)而受损。尤其，微型LED的小尺寸使得微型LED对静电放电变得更加脆弱。因此，由于在运输过程中发生的物理性冲击或诸如ESD的其他因素，微型LED可能会发生缺陷。

技术实现思路

[0006]本技术所要解决的技术问题在于提供一种能够易于进行微型LED的分选的单元像素及具有该单元像素的显示装置。
[0007]本技术所要解决的又一技术问题在于提供一种能够防止微型LED因外部冲击或静电放电而受损的单元像素及具有该单元像素的显示装置。
[0008]根据本技术的一个以上的实施例的一种单元像素包括：透明基板；多个发光元件，布置于所述透明基板上；及静电放电(Electrostatic Discaharge:ESD)保护器，布置于所述透明基板上，用于保护所述发光元件中的至少一个免受静电放电的影响。
[0009]所述静电放电保护器包括：导线，沿所述透明基板的边缘部分延伸。
[0010]所述导线包围所述发光元件。
[0011]所述单元像素还包括：连接层，电连接于所述发光元件，其中，所述导线电连接于所述连接层中的一个。
[0012]所述导线包围所述连接层。
[0013]所述连接层包括：共同连接层，共同电连接于所述发光元件，所述导线电连接于所述共同连接层。
[0014]所述共同连接层电连接于所述发光元件的n型半导体层。
[0015]所述静电放电保护器包括多条导线，并且，所述多条导线分别电连接于所述连接层。
[0016]所述静电放电保护器包括至少一个齐纳二极管，所述齐纳二极管电连接于所述发光元件中的至少一个。
[0017]所述单元像素还包括：连接层，电连接于所述发光元件，所述齐纳二极管电连接于所述连接层中的两个连接层。
[0018]所述静电放电保护器还包括：导线，沿所述透明基板的边缘部分延伸。
[0019]所述单元像素还包括：连接层，电连接于所述发光元件；并且所述导线电连接于所述连接层中的一个；并且所述齐纳二极管电连接于所述连接层中的两个连接层。
[0020]所述导线包围所述连接层。
[0021]所述连接层包括：共同连接层，共同电连接于所述发光元件，所述导线电连接于所述共同连接层。
[0022]所述共同连接层电连接于所述发光元件的n型半导体层。
[0023]所述静电放电保护器包括多条导线，并且，所述多条导线分别电连接于所述连接层。
[0024]根据本技术的一个以上的实施例的一种显示装置包括：电路基板；及单元像素，布置于所述电路基板上。所述单元像素包括：透明基板；多个发光元件，布置于所述透明基板上；及静电放电(Electrostatic Discaharge:ESD)保护器，布置于所述透明基板上，用于保护所述发光元件中的至少一个免受静电放电的影响。
[0025]所述静电放电保护器包括：导线，沿所述透明基板的边缘部分延伸。
[0026]所述导线共同电连接于所述发光元件。
[0027]所述静电放电保护器包括齐纳二极管，所述齐纳二极管电连接于所述发光元件中的至少一个发光元件。
[0028]根据本技术的一个以上的实施例的单元像素及具有该单元像素的显示装置，能够易于进行微型LED的分选。
[0029]根据本技术的一个以上的实施例的单元像素及具有该单元像素的显示装置，能够防止微型LED因外部冲击或静电放电而受损。
附图说明
[0030]图1是用于说明根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。
[0031]图2是用于说明根据一实施例的像素模块的示意性的平面图。
[0032]图3A是用于说明根据一实施例的发光元件的示意性的平面图。
[0033]图3B是沿图3A的截取线A
‑
A
’
而截取的示意性的剖视图。
[0034]图4A是用于说明根据一实施例的单元像素的示意性的平面图。
[0035]图4B是沿图4A的截取线B
‑
B
’
而截取的示意性的剖视图。
[0036]图4C是沿图4A的截取线C
‑
C
’
而截取的示意性的剖视图。
[0037]图5A是用于说明根据一实施例的像素模块而沿图2的截取线D
‑
D
’
而截取的示意性的部分剖视图。
[0038]图5B是用于说明根据一实施例的像素模块而沿图2的截取线E
‑
E
’
而截取的示意性的部分剖视图。
[0039]图6A是用于说明根据又一实施例的单元像素的示意性的平面图。
[0040]图6B是沿图6A的截取线F
‑
F
’
而截取的示意性的剖视图。
[0041]图6C是沿图6A的截取线G
‑
G
’
而截取的示意性的剖视图。
[0042]图7A是用于说明根据又一实施例的单元像素的示意性的平面图。
[0043]图7B是沿图7A的截取线H
‑
H
’
而截取的示意性的剖视图。
[0044]图8是用于说明根据又一实施例的单元像素的示意性的平面图。
[0045]图9是用于说明根据又一实施例的单元像素的示意性的平面图。
具体实施方式
[0046]以下，参照附图详细说明本技术的实施例。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单元像素，其特征在于，包括：透明基板；多个发光元件，布置于所述透明基板上；静电放电保护器，布置于所述透明基板上，用于保护所述发光元件中的至少一个免受静电放电的影响。2.根据权利要求1所述的单元像素，其特征在于，所述静电放电保护器包括：导线，沿所述透明基板的边缘部分延伸。3.根据权利要求2所述的单元像素，其特征在于，所述导线包围所述发光元件。4.根据权利要求2所述的单元像素，其特征在于，还包括：连接层，电连接于所述发光元件，其中，所述导线电连接于所述连接层中的一个。5.根据权利要求4所述的单元像素，其特征在于，所述导线包围所述连接层。6.根据权利要求5所述的单元像素，其特征在于，所述连接层包括：共同连接层，共同电连接于所述发光元件，所述导线电连接于所述共同连接层。7.根据权利要求6所述的单元像素，其特征在于，所述共同连接层电连接于所述发光元件的n型半导体层。8.根据权利要求5所述的单元像素，其特征在于，所述静电放电保护器包括多条导线，并且，所述多条导线分别电连接于所述连接层。9.根据权利要求1所述的单元像素，其特征在于，所述静电放电保护器包括至少一个齐纳二极管，所述齐纳二极管电连接于所述发光元件中的至少一个。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：车南煹，金相民，林栽熙，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：