一种用于结合半导体衬底的方法包括：将管芯放置在衬底上，以及在管芯及衬底上执行加热工艺，以将相应的第一连接件与相应的第二连接件结合。管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件。加热工艺包括：在激光产生器与衬底之间放置掩蔽装置，以及执行激光发射。一种掩蔽装置包括掩蔽层及透明层。掩蔽层的部分是不透明的。激光穿过掩蔽层中的第一间隙且穿过透明层，以加热与衬底相对的管芯的顶侧的第一部分。第一部分。第一部分。
【技术实现步骤摘要】
掩蔽装置、结合半导体衬底及形成半导体器件的方法
[0001]本专利技术实施例涉及一种掩蔽装置、用于结合半导体衬底的方法及形成半导体器件的方法。
技术介绍
[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改善，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的改善来自于最小特征大小(feature size)的不断地减小，这允许更多的组件能够集成到给定区域内。随着对缩小电子器件的需求的增加，亟需更小且更具创造性的半导体管芯的封装技术。这种封装系统的实例是叠层封装(Package
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Package，PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装被堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高集成水平及组件密度。PoP技术一般能够生产功能性得到增强且在印刷电路板(printed circuit board，PCB)上占用空间小的半导体器件。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术的实施例，一种用于执行激光加热工艺的掩蔽装置包括掩蔽层以及安装层。所述掩蔽层包括多个掩蔽部分，所述掩蔽部分对于回焊激光是不透明的。所述掩蔽层位于所述安装层上，所述安装层对于所述回焊激光是透明的。
[0004]根据本专利技术的实施例，一种用于结合半导体衬底的方法包括下列步骤：将管芯放置在衬底上，所述管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触所述衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件；及在所述管芯及所述衬底上执行加热工艺，以将所述相应的第一连接件与所述相应的第二连接件结合。所述加热工艺包括下列步骤：在激光产生器与所述衬底之间放置掩蔽装置，所述掩蔽装置包括掩蔽层及透明层，所述掩蔽层的部分是不透明的；及执行第一激光发射，所述激光穿过所述掩蔽层中的第一间隙且穿过所述透明层以加热与所述衬底相对的所述管芯的顶侧的第一部分。
[0005]根据本专利技术的实施例，一种形成半导体器件的方法包括下列步骤：将第一封装组件与第二封装组件对准，所述第一封装组件具有第一导电连接件，所述第二封装组件具有第二导电连接件，其中所述对准使所述第一导电连接件与所述第二导电连接件实体接触；执行第一激光发射，所述第一激光发射撞击与所述第一导电连接件相对的所述第一封装组件，所述第一激光发射经由穿过掩蔽层中的第一开口且穿过所述掩蔽层的邻近所述第一开口的第一部分透明的部分而成形，所述第一激光发射对所述第一导电连接件及所述第二导电连接件进行回焊。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1到图12以及图14A到图18是根据一些实施例在用于形成器件封装的工艺期间的各中间步骤的剖视图。
[0008]图13A到图13J是根据一些实施例的掩蔽装置的俯视图及剖视图。
[0009][符号的说明][0010]13B
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：横截面
[0011]40A：第一区
[0012]40B：第二区
[0013]40C：第三区
[0014]52：激光束
[0015]52A：第一激光发射
[0016]52B：第二激光发射
[0017]52C：第三激光发射
[0018]54：激光束产生器
[0019]100：第一封装组件
[0020]100A、200A：第一封装区
[0021]100B、200B：第二封装区
[0022]101：第一封装
[0023]102：载体衬底
[0024]104：释放层
[0025]106：背侧重布线结构
[0026]108、112、146、150、154、158：介电层
[0027]110、148、152、156：金属化图案
[0028]114：开口
[0029]116：通孔
[0030]126：集成电路管芯
[0031]128：粘合剂
[0032]130：半导体衬底
[0033]132：内连线结构
[0034]134：焊盘
[0035]136：钝化膜
[0036]138：管芯连接件
[0037]140：介电材料
[0038]142：包封体
[0039]144：前侧重布线结构
[0040]160：凸块下金属层
[0041]162、164、166、168：导电连接件
[0042]200：第二封装组件
[0043]201：第二封装
[0044]300：封装结构
[0045]302：封装衬底
[0046]304：结合焊盘
[0047]400：掩蔽装置
[0048]402：掩蔽层
[0049]404：安装层
[0050]410、420、430、440：区
[0051]412：环形开口
[0052]414：圆形部分
[0053]422：圆形开口
[0054]432：矩形开口
[0055]444：部分透明的部分
[0056]D1、D2、D3：直径
[0057]Dist1：总体距离
[0058]L1、L2：长度
[0059]L3：分离长度
[0060]T1、T2：厚度
[0061]W1、W2：宽度
[0062]x、y：方向
具体实施方式
[0063]以下公开内容提供用于实作本专利技术的不同特征的诸多不同的实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开在各种实例中可重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是为了简明及清晰起见，且自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0064]此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...之下”、“在...下方”、“下部的”、“在...上方”、“上部的”等空间相对性用语来阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可被另外取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。
[0065]根据一些实施例，第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于执行激光加热工艺的掩蔽装置，包括：掩蔽层，所述掩蔽层包括多个掩蔽部分，所述掩蔽部分对于回焊激光是不透明的；及安装层，所述掩蔽层位于所述安装层上，所述安装层对于所述回焊激光是透明的。2.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述多个掩蔽部分中的第一掩蔽部分包括圆形轮廓，所述多个掩蔽部分中的第二掩蔽部分包括圆形轮廓，所述第二掩蔽部分围绕所述第一掩蔽部分，所述第一掩蔽部分不接触所述掩蔽层的任何其他部分，所述第二掩蔽部分位于所述第一掩蔽部分中的开口中，所述开口的直径介于10mm到60mm的范围内，且所述第二掩蔽部分的直径介于4mm到30mm的范围内。3.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述掩蔽层内的至少一个间隙具有矩形轮廓，所述掩蔽层包括部分透明的部分。4.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述安装层包含玻璃，且所述掩蔽层通过螺钉贴合到所述安装层。5.一种用于结合半导体衬底的方法，所述方法包括：将管芯放置在衬底上，所述管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触所述衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件；及在所述管芯及所述衬底上执行加热工艺，以将所述相应的第一连接件与所述相应的第二连接件结合，所述加热工艺包括：在激光产生器与所述衬底之间放置掩蔽装置，所述掩蔽装置包括掩蔽层及透明层，所述掩蔽层的部分是不透明的；及执行第一激光发射，所述激光穿过所述掩蔽层中的第一间隙且穿过所述透明层以加热与所述衬底相对的所述管芯的顶侧的第一部分。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一间隙具有环形轮廓。7.根据权利要求5所述的方法，还包括：执行第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳申，陈威宇，钟宇轩，林修任，谢静华，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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