一种五槽式去胶剥离机及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种五槽式去胶剥离机及其使用方法，包括机架、位于所述机架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剥离清洗工位以及用于晶片移送的移载工位；所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑台气缸以及用于晶片定心的定心夹块；所述剥离清洗工位数量为两个且分别位于所述移载工位两侧，所述剥离清洗工位包括双层支架、位于所述双层支架上方的上层剥离机构以及位于所述双层支架下方的下层清洗机构；所述移载工位包括Y轴模组、X轴模组、运动座、驱动电缸以及取料臂。本发明专利技术实现了对晶片的去胶剥离处理，无需对药液进行回收，不会对晶片表面造成损伤，保证了对晶片的处理效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种五槽式去胶剥离机及其使用方法


[0001]本专利技术属于晶片去胶剥离
，尤其涉及一种五槽式去胶剥离机及其使用方法。

技术介绍

[0002]晶片，是一种半导体零件，通常需要采用湿法蚀刻的方式进行去胶剥离，先对待去胶晶片进行药液加热浸泡，再进行高压二流体加热药液(喷头可设置角度调整，避免金属沉积物弹起对晶片表面造成损伤)，进行冲洗，待剥离完成之后，转移到刷片工位，再进行刷洗作业，有效的保证去胶的一次性以及去胶后晶片表面的洁净度。
[0003]传统的处理方式会对药液回收过滤后进行二次利用，这种方式的缺陷在于：(1)药液的衰弱性差异会导致去胶的一次性效果不够好；(2)药液回收系统耗材成本极高。
[0004]并且传统的去胶剥离过程中需要采用超高压对晶片表面进行冲洗，在此过程中会存在金属沉积物反弹，再次被超高压的药液水柱击打在晶片表面，对晶片表面造成损伤。

技术实现思路

[0005]本专利技术克服了现有技术的不足，提供一种五槽式去胶剥离机及其使用方法，以解决现有技术中存在的问题。
[0006]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种五槽式去胶剥离机，对晶片表面进行去胶处理，包括机架、位于所述机架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剥离清洗工位以及用于晶片移送的移载工位；其中：
[0007]所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑台气缸以及用于晶片定心的定心夹块；
[0008]所述浸泡工位对晶片进行药液浸泡；
[0009]所述剥离清洗工位数量为两个且分别位于所述移载工位两侧，所述剥离清洗工位包括双层支架、位于所述双层支架上方的上层剥离机构以及位于所述双层支架下方的下层清洗机构，所述上层剥离机构包括剥离槽体以及位于所述剥离槽体内的剥离吸盘、定心气缸以及雾化喷头，将晶片放置在剥离吸盘上之后，由雾化喷头对晶片进行雾化药液喷淋，所述下层清洗机构清洗槽体以及位于所述清洗槽体内的定心甩盘、喷洗头以及吹干头，将晶片放置在定心甩盘上之后，由喷洗头与吹干头依次对晶片进行喷洗与吹干；
[0010]所述移载工位包括Y轴模组、能够沿所述Y轴模组长度方向进行运动的X轴模组、能够沿所述X轴模组长度方向进行运动的运动座、位于所述运动座上的驱动电缸、能够沿所述驱动电缸长度方向进行运动的取料臂，所述取料臂包括取料安装架以及用于晶片取料的取料部，所述取料部前端为四层取料结构。
[0011]优选的，所述浸泡工位包括驱动模组、位于所述驱动模组一侧的浸泡槽体以及位于所述浸泡槽体内的料架，所述浸泡槽体一侧设有进料口，所述料架通过安装块与所述驱动模组连接。
[0012]优选的，所述浸泡槽体侧面与底面均设置有加热板。
[0013]优选的，所述安装架为V形结构体，所述安装架两端均通过连接块与所述驱动电缸连接，所述取料部前端采用真空吸附的方式对晶片进行吸放。
[0014]优选的，所述运动座下方设置有旋转马达，所述旋转马达通过连接架与所述X轴模组连接，所述旋转马达用以驱动所述运动座进行转动。
[0015]优选的，所述运动座前端设置有接水盘。
[0016]优选的，所述剥离槽体底部设置有第一剥离驱动组件与第二剥离驱动组件，所述第一剥离驱动组件用以驱动剥离吸盘进行旋转，所述第二剥离驱动组件用以驱动雾化喷头进行旋转。
[0017]优选的，所述清洗槽体底部设置有第一清洗驱动组件与第二清洗驱动组件，所述第一清洗驱动组件用以驱动定心甩盘进行旋转升降，所述第二清洗驱动组件用以驱动喷洗头与吹干头进行旋转。
[0018]本专利技术还公开了一种五槽式去胶剥离机的使用方法，包括以下步骤：
[0019]S1、晶片在移载工位作用下取放至浸泡工位的料架内，在浸泡槽体内充满药液，使晶片在药液内浸泡；
[0020]S2、晶片在移载工位作用下从浸泡工位取放至剥离清洗工位的上方剥离机构位置处，此时晶片置于剥离吸盘上，由雾化喷头喷出雾化后的药液对晶片进行去胶操作；
[0021]S3、晶片在移载工位作用下从上方剥离机构取放至下方清洗机构，此时晶片置于定位甩盘上，由喷洗头对晶片进行喷淋清洗，再由吹干头对晶片进行吹干。
[0022]优选的，步骤S3中，所述吹干头采用风刀对晶片进行吹干。
[0023]本专利技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本专利技术具备以下有益效果：
[0024](1)本专利技术在机架、料盒、定心工位、浸泡工位、剥离清洗工位以及移载工位的配合作用下，实现了对晶片的去胶剥离处理，无需对药液进行回收，不会对晶片表面造成损伤，保证了对晶片的处理效果；
[0025](2)浸泡工位能够采用加热的药液对晶片进行去胶前的预处理，剥离清洗工位能够依次对晶片进行药液的雾化喷淋与清洗吹干操作，完成对晶片进行去胶处理与后续清理，提高对晶片的处理效率；
[0026](3)移载工位能够对晶片进行连续的移载，将料盒、浸泡工位以及剥离清洗工位串接起来，提高晶片去胶剥离处理的连续性，进而提高对晶片去胶剥离的效率。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术优选实施例的整体结构示意图；
[0029]图2为本专利技术优选实施例的局部结构俯视图；
[0030]图3为本专利技术优选实施例定心工位的结构示意图；
[0031]图4为本专利技术优选实施例浸泡工位的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术优选实施例剥离清洗工位的结构示意图；
[0033]图6为本专利技术优选实施例移载工位的结构示意图；
[0034]图7为本专利技术优选实施例的流程图；
[0035]图中：1、机架；2、料盒；3、定心工位；31、定心支架；32、定心滑台气缸；33、定心夹块；4、浸泡工位；41、驱动模组；42、浸泡槽体；43、料架；5、剥离清洗工位；51、双层支架；52、上层剥离机构；521、剥离槽体；522、剥离吸盘；523、定心气缸；524、雾化喷头；53、下层清洗机构；531、清洗槽体；532、定心甩盘；533、喷洗头；534、吹干头；6、移载工位；61、Y轴模组；62、X轴模组；63、运动座；64、驱动电缸；65、取料臂；651、取料安装架；652、取料部；7、进料口；8、加热板；9、旋转马达；10、接水盘；11、第一剥离驱动组件；12、第二剥离驱动组件；13、第一清洗驱动组件；14、第二清洗驱动组件；15、剥离开关门；16、清洗开关门；17、抽风管。
具体实施方式
[0036]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种五槽式去胶剥离机，对晶片表面进行去胶处理，其特征在于，包括机架、位于所述机架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剥离清洗工位以及用于晶片移送的移载工位；其中：所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑台气缸以及用于晶片定心的定心夹块；所述浸泡工位对晶片进行药液浸泡；所述剥离清洗工位数量为两个且分别位于所述移载工位两侧，所述剥离清洗工位包括双层支架、位于所述双层支架上方的上层剥离机构以及位于所述双层支架下方的下层清洗机构，所述上层剥离机构包括剥离槽体以及位于所述剥离槽体内的剥离吸盘、定心气缸以及雾化喷头，将晶片放置在剥离吸盘上之后，由雾化喷头对晶片进行雾化药液喷淋，所述下层清洗机构清洗槽体以及位于所述清洗槽体内的定心甩盘、喷洗头以及吹干头，将晶片放置在定心甩盘上之后，由喷洗头与吹干头依次对晶片进行喷洗与吹干；所述移载工位包括Y轴模组、能够沿所述Y轴模组长度方向进行运动的X轴模组、能够沿所述X轴模组长度方向进行运动的运动座、位于所述运动座上的驱动电缸、能够沿所述驱动电缸长度方向进行运动的取料臂，所述取料臂包括取料安装架以及用于晶片取料的取料部，所述取料部前端为四层取料结构。2.根据权利要求1所述的一种五槽式去胶剥离机，其特征在于，所述浸泡工位包括驱动模组、位于所述驱动模组一侧的浸泡槽体以及位于所述浸泡槽体内的料架，所述浸泡槽体一侧设有进料口，所述料架通过安装块与所述驱动模组连接。3.根据权利要求2所述的一种五槽式去胶剥离机，其特征在于，所述浸泡槽体侧面与底面均设置有加热板。4.根据权利要求1所述的一种五槽式去胶剥离机，其特征在于，所述安装架为V形结构体，所述安装架两端均通过连接块...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，蒋君，孔玉朋，宋昌万，
申请(专利权)人：拓思精工科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：