半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导线结构，接触第一互连结构；第一管芯，形成在第一导线结构上；第二导线结构，接触第二互连结构，第二互连结构连接第一互连结构；第二管芯，形成在第二导线结构上。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以改善半导体结构的良率。改善半导体结构的良率。改善半导体结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]多电子元件的封装件结构中，线路结构要同时包含每一个电子元件的导线线路，例如扇出型衬底上芯片(FOCoS)结构中特定应用集成电路(ASIC)芯片与高带宽存储器(HBM)同时接合在包含其二者的扇出线路的结构上，由于线路复杂度及线路制作尺寸大，因此会具有较低的良率。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以改善半导体结构的良率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导线结构，接触第一互连结构；第一管芯，形成在第一导线结构上；第二导线结构，接触第二互连结构，第二互连结构连接第一互连结构；第二管芯，形成在第二导线结构上。
[0005]在一些实施例中，还包括：第一介电层，位于第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于第二导线结构的上下两侧，第一导线结构和第二导线结构分别延伸到第一介电层的侧壁和第二介电层的侧壁上，第一互连结构和第二互连结构分别与第一介电层和第二介电层接触。
[0006]在一些实施例中，还包括：第一介电层，位于第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于第二导线结构的上下两侧，第一导线结构和第二导线结构分别相对于第一介电层的侧壁和第二介电层的侧壁凹进，第一互连结构和第二互连结构分别与第一介电层和第二介电层接触。
[0007]在一些实施例中，还包括：第一介电层，位于第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于第二导线结构的上下两侧，第一导线结构和第二导线结构分别相对于第一介电层的侧壁和第二介电层的侧壁凸出，第一介电层和第二介电层的侧壁分别朝远离第一互连结构和第二互连结构的方向内凹成弧形，第一互连结构和第二互连结构分别与第一介电层和第二介电层接触。
[0008]在一些实施例中，第一互连结构和第二互连结构分别包覆第一介电层的弧形的侧壁和第二介电层的弧形的侧壁，第一介电层和第二介电层分别在所对应的弧形的侧壁处具有尖角。
[0009]在一些实施例中，第一互连结构包覆第一介电层的尖角，第二互连结构包覆第二介电层的尖角。
[0010]在一些实施例中，第一导线结构的接触第一互连结构的端部构造成尖端，第二导线结构的接触第二互连结构的端部构造成尖端。
[0011]在一些实施例中，还包括：第一氧化层，覆盖第一导线结构的部分，并且临近第一
导线结构的尖端；第二氧化层，覆盖第二导线结构的部分，并且临近第二导线结构的尖端。
[0012]在一些实施例中，还包括：桥结构，位于第一导线结构和第二导线结构之间，并且电连接至第一互连结构和第二互连结构。
[0013]在一些实施例中，第一导线结构和第二导线结构均具有上下叠置的第一金属层和第二金属层，第一互连结构和第二互连结构分别包覆第一导线结构和第二导线结构的端部，第一互连结构、第二互连结构与第一金属层的材料相同，第一互连结构在第一金属层上的厚度大于第一互连结构在第二金属层上的厚度，第二互连结构在第一金属层上的厚度大于第二互连结构在第二金属层上的厚度。
[0014]本申请的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在第一导线结构上形成第一管芯以形成第一管芯封装结构；在第二导线结构上形成第二管芯以形成第二管芯封装结构；在第一导线结构的侧壁上形成第一互连结构；在第二导线结构的侧壁上形成第二互连结构；将第一互连结构对接至第二互连结构。
[0015]在一些实施例中，使用化镀工艺形成第一互连结构、第二互连结构。
[0016]在一些实施例中，使用化镀工艺将第一互连结构对接至第二互连结构。
[0017]在一些实施例中，第一介电层形成在第一导线结构的上下两侧，在准备第一导线结构时，使用切割工艺形成单片化的第一导线结构，在进行化镀工艺时，第一导线结构延伸到第一介电层的侧壁上，第一互连结构接触第一介电层。
[0018]在一些实施例中，第一介电层形成在第一导线结构的上下两侧，在准备第一导线结构时，使用切割工艺形成单片化的第一导线结构，进行湿蚀刻工艺使得第一导线结构相对于第一介电层的侧壁凹陷，第一互连结构接触第一介电层。
[0019]在一些实施例中，第一介电层形成在第一导线结构的上下两侧，对第一管芯封装结构的侧壁处的第一介电层进行等向蚀刻，使得第一介电层的侧壁凹成弧形。
[0020]在一些实施例中，第一互连结构包覆第一介电层的弧形的侧壁与第一导线结构形成的尖角。
[0021]在一些实施例中，第一导线结构的接触第一互连结构的端部形成为尖端。
[0022]在一些实施例中，形成第一管芯封装结构包括：在第一导线结构上形成氧化层；在氧化层上形成掩模层，掩模层未覆盖尖端，掩模层覆盖第一导线结构的临近尖端的部分；去除未被掩模层覆盖的氧化层的部分；去除掩模层。
[0023]在一些实施例中，第一导线结构的形成包括：形成第二金属层以及位于第二金属层上的第一金属层，第一金属层和第二金属层共形。
[0024]在一些实施例中，第一互连结构和第一金属层为相同的材料，第一互连结构在第一金属层上的厚度大于第一互连结构在第二金属层上的厚度。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0026]图1至图7示出了本申请的半导体结构的形成过程的截面图。
[0027]图8至图22B示出了本申请的半导体结构的不同实施例。
[0028]图23至图28示出了本申请的半导体结构的不同实施例的形成过程的截面图。
具体实施方式
[0029]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0030]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0031]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
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10％的变化范围，例如小于或等于
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5％、小于或等于
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3％、小于或等于
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2％、小于或等于
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一导线结构，接触第一互连结构；第一管芯，形成在所述第一导线结构上；第二导线结构，接触第二互连结构，所述第二互连结构连接所述第一互连结构；第二管芯，形成在所述第二导线结构上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一介电层，位于所述第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于所述第二导线结构的上下两侧，所述第一导线结构和所述第二导线结构分别延伸到所述第一介电层的侧壁和所述第二介电层的侧壁上，所述第一互连结构和所述第二互连结构分别与所述第一介电层和所述第二介电层接触。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一介电层，位于所述第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于所述第二导线结构的上下两侧，所述第一导线结构和所述第二导线结构分别相对于所述第一介电层的侧壁和所述第二介电层的侧壁凹进，所述第一互连结构和所述第二互连结构分别与所述第一介电层和所述第二介电层接触。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一介电层，位于所述第一导线结构的上下两侧；第二介电层，位于所述第二导线结构的上下两侧，所述第一导线结构和所述第二导线结构分别相对于所述第一介电层的侧壁和所述第二介电层的侧壁凸出，所述第一介电层和所述第二介电层的所述侧壁分别朝远离所述第一互连结构和所述第二互连结构的方向内凹成弧形，所述第一互连结构和所述第二互连结构分别与所述第一介电层和所述第二介电层接触。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：凃顺财，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：